电子封装件及其制法制造技术

一种电子封装件及其制法，包括：无核心层式线路结构、结合至该无核心层式线路结构上的中介板、设于该中介板上的电子元件、以及包覆该中介板与该电子元件的封装层，以通过该无核心层式线路结构取代现有封装基板，而利于产品的轻薄短小化。

Electronic package and its manufacturing method

Including an electronic package and its manufacturing method, no core layer type line structure, combined with the board, the intermediary to the core layer of the type line structure is arranged on the intermediary board electronic components, and covering the intermediary plate and the encapsulation layer of the electronic element, through the core layer type structure to replace the line the existing package substrate for shorter and thinner products.

【技术实现步骤摘要】
电子封装件及其制法
本专利技术有关一种半导体封装制程，尤指一种电子封装件及其制法。
技术介绍
随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐迈向多功能、高性能的趋势，其中应用于芯片封装领域的技术包含有：芯片尺寸构装(ChipScalePackage，简称CSP)、芯片直接贴附封装(DirectChipAttached，简称DCA)、多芯片模组封装(Multi－ChipModule，简称MCM)、或将芯片立体堆叠化整合为三维积体电路(3DIC)芯片堆叠技术等。图1为现有3DIC芯片堆叠的半导体封装件1的剖面示意图，其包含有一硅中介板(ThroughSiliconinterposer，简称TSI)10，该硅中介板10具有相对的置晶侧10a与转接侧10b、及连通该置晶侧10a与转接侧10b的多个导电硅穿孔(Through-siliconvia，简称TSV)100，且该转接侧10b上具有线路重布层(Redistributionlayer，简称RDL)101，以将间距较小的半导体芯片19的电极垫190通过多个焊锡凸块102电性结合至该置晶侧10a上，再以底胶192包覆该些焊锡凸块102，且形成封装胶体18于该硅中介板10上，以覆盖该半导体芯片19，另于该线路重布层101上通过多个如凸块的导电元件103电性结合间距较大的封装基板17的焊垫170，并以底胶172包覆该些导电元件103。然而，现有半导体封装件1中，该封装基板17具有含玻纤材料的核心层17a(其厚度约500至800μm，甚至更厚。)，致使该封装基板17厚度D相当厚，约1000至1500μm(即1mm至1.5mm)，因而不利于产品的轻薄短小化。因此，如何克服上述现有技术的问题，实已成目前亟欲解决的课题。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的种种缺失，本专利技术提供一种电子封装件及其制法，以通过该无核心层式线路结构取代现有封装基板，而利于产品的轻薄短小化。本专利技术的电子封装件，包括：无核心层式线路结构，其具有相对的第一表面与第二表面；中介板，其结合至该无核心层式线路结构的第一表面上；电子元件，其设于该中介板上；以及封装层，其形成于该无核心层式线路结构的第一表面上，以包覆该中介板与该电子元件。本专利技术还提供一种电子封装件的制法，包括：提供一无核心层式线路结构与至少一电子组件，其中，该无核心层式线路结构具有相对的第一表面与第二表面，且该电子组件包含中介板、及设于该中介板上的电子元件；将该电子组件以该中介板结合至该无核心层式线路结构的第一表面上；以及形成封装层于该无核心层式线路结构的第一表面上，以包覆该电子组件。前述的电子封装件及其制法中，该无核心层式线路结构包含有介电层及形成于该介电层上的线路层，例如，该线路层的数量为二层至四层。前述的电子封装件及其制法中，该无核心层式线路结构的厚度至多为50微米(μm)。前述的电子封装件及其制法中，该中介板具有相对的置晶侧与转接侧、及连通该置晶侧与转接侧的导电穿孔，且该电子元件设于该置晶侧上，并以该转接侧结合至该无核心层式线路结构上。前述的电子封装件及其制法中，该电子元件为主动元件、被动元件或其二者组合。前述的电子封装件及其制法中，还包括设置电子配件于该无核心层式线路结构上。例如，该电子配件为主动元件、被动元件或其二者组合。前述的电子封装件及其制法中，还包括形成多个导电元件于该无核心层式线路结构的第二表面上。前述的电子封装件及其制法中，还包括形成金属元件于该封装层上。由上可知，本专利技术的电子封装件及其制法，通过该无核心层式线路结构取代现有封装基板，故该无核心层式线路结构的厚度可控制在50μm以内，因而利于产品的轻薄短小化。附图说明图1为现有半导体封装件的剖面示意图；以及图2A至图2F为本专利技术的电子封装件的制法的剖面示意图。符号说明：1半导体封装件10硅中介板10a,22a置晶侧10b,22b转接侧100导电硅穿孔101,221线路重布层102焊锡凸块103,28导电元件17封装基板17a核心层170焊垫172,192,231底胶18封装胶体19半导体芯片190电极垫2电子封装件2a电子组件20承载件200结合层21无核心层式线路结构21a第一表面21b第二表面210介电层211线路层212,280凸块底下金属层22中介板220导电穿孔23电子元件230,25导电凸块24包覆层26电子配件27封装层29金属元件290黏着层D,H厚度。具体实施方式以下通过特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”、“第二”及“一”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本专利技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本专利技术可实施的范畴。图2A至图2F为本专利技术的电子封装件2的制法的剖面示意图。如图2A所示，形成一无核心层式(coreless)线路结构21于一承载件20上。于本实施例中，该承载件20为半导体板体，例如虚设硅晶圆(dummySiwafer)、玻璃或高分子板材，其上可具有如黏胶(较佳为有机黏着材)、热化二氧化硅层(thermalSiO2layer)或离型膜的结合层200，以供结合该无核心层式线路结构21。此外，该无核心层式线路结构21可利用线路重布层(Redistributionlayer，简称RDL)制程形成，且该无核心层式线路结构21具有相对的第一表面21a与第二表面21b，并以该第二表面21b结合于该结合层200上。具体地，该无核心层式线路结构21具有至少一介电层210及形成于该介电层210上的线路层211，且形成该线路层211的材质为铜，而形成该介电层210的材质为如聚对二唑苯(Polybenzoxazole，简称PBO)、聚酰亚胺(Polyimide，简称PI)、预浸材(Prepreg，简称PP)或感光介质(photoimageabledielectric，简称PID)等。又，该无核心层式线路结构21的第一表面21a作为元件侧，而该无核心层式线路结构21的第二表面21b作为植球侧。因此，于该承载件20上方的无核心层式线路结构21的布设由下往上依序为宽线宽(10um)的线路层211，再形成中线宽(如5um)的线路层211，接着形成细线宽(如0.7um)的线路层211，较佳者，该线路层211的总数量为二层以上(较佳为三至四层)，且该无核心层式线路结构21的总厚度H至多50微米(μm)。然而，于制作时，先形成细线宽的线路层211，再形成中线宽的线路层211，接着形成宽线宽的线路层211，此乃由于细线路层211及其上的介电层210平整度较平，如此往上作宽线路时，可符合上层线路层平整度要求。因此，本专利技术的无核心层式线路结构21可采用一般非晶圆制程方式形成，即采用成本较低的高分子介电层210，以涂布方式形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子封装件，其特征为，该电子封装件包括：无核心层式线路结构，其具有相对的第一表面与第二表面；中介板，其结合至该无核心层式线路结构的第一表面上；电子元件，其设于该中介板上；以及封装层，其形成于该无核心层式线路结构的第一表面上，以包覆该中介板与该电子元件。

【技术特征摘要】
2016.09.09 TW 1051292941.一种电子封装件，其特征为，该电子封装件包括：无核心层式线路结构，其具有相对的第一表面与第二表面；中介板，其结合至该无核心层式线路结构的第一表面上；电子元件，其设于该中介板上；以及封装层，其形成于该无核心层式线路结构的第一表面上，以包覆该中介板与该电子元件。2.如权利要求1所述的电子封装件，其特征为，该无核心层式线路结构包含有介电层及形成于该介电层上的线路层。3.如权利要求2所述的电子封装件，其特征为，该线路层的数量为二层至四层。4.如权利要求1所述的电子封装件，其特征为，该无核心层式线路结构的厚度至多为50微米(μm)。5.如权利要求1所述的电子封装件，其特征为，该中介板具有相对的置晶侧与转接侧、及连通该置晶侧与转接侧的导电穿孔，且该电子元件设于该置晶侧上，并以该转接侧结合至该无核心层式线路结构上。6.如权利要求1所述的电子封装件，其特征为，该电子元件为主动元件、被动元件或其二者组合。7.如权利要求1所述的电子封装件，其特征为，该电子封装件包括设于该无核心层式线路结构上的电子配件。8.如权利要求7所述的电子封装件，其特征为，该电子配件为主动元件、被动元件或其二者组合。9.如权利要求1所述的电子封装件，其特征为，该电子封装件还包括形成于该无核心层式线路结构的第二表面上的多个导电元件。10.如权利要求1所述的电子封装件，其特征为，该电子封装件还包括形成于该封装层上的金属元件。11.一种电子封装件的...

【专利技术属性】
技术研发人员：程吕义，吕长伦，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71