晶圆承载盘及其支撑结构制造技术

本发明专利技术提供一种用于晶圆承载盘之支撑结构，尤其所述晶圆承载盘的一晶圆承载面定义有用于容置所述支撑结构之孔。所述支撑结构包含具有一第一表面及一第二表面的一本体，该本体延伸于该第一表面与该第二表面之间，且该第一表面具有一隆起部用于支撑晶圆。该第一表面的中心与该第二表面的中心定义一方向轴，且该方向轴与该第一表面的法线并非平行。即相对于第二表面，第一表面系倾斜延伸，致使本发明专利技术支撑结构可相对晶圆承载盘的承载面而倾斜地容置于晶圆承载盘中。

Wafer bearing plate and its supporting structure

The invention provides a supporting structure for wafer carrying tray, in particular, a wafer bearing surface of the wafer bearing disk is defined to have a hole for holding the supporting structure. The supporting structure comprises a body with a first surface and a second surface, and the body extends between the first surface and the second surface, and the first surface has a raised part to support the wafer. The center of the first surface defines a direction axis with the center of the second surface, and the axis is not parallel to the normal line of the first surface. Compared with the second surface, the first surface is inclined to extend, resulting in the supporting structure of the invention can be relatively tilted to the wafer bearing disk relative to the bearing surface of the wafer carrying disc.

【技术实现步骤摘要】
晶圆承载盘及其支撑结构
本专利技术是关于一种适用于晶圆处理装置之晶圆加热盘，尤其是关于晶圆加热盘所用于支撑晶圆的支撑结构。
技术介绍
一般而言，晶圆处理设备是由分别执行不同功能的多个单元所构成的多功能设备，像是包含气体供应装置、真空抽气装置、晶圆负载腔室、晶圆传递腔室以及晶圆处理腔室等。各个单元可因应不同的制程需求而赋予特殊的处理能力。例如，气体供应装置可因应等离子体处理而配置有电极，晶圆处理腔室可因应晶圆的热处理而在腔室中配置有加热源。传统上，在一种已知的半导体薄膜沉积处理中，传递腔室的机械手臂需要将被处理的晶圆放在一加热盘上，并在对晶圆加热同时进行化学沉积以形成薄膜在晶圆上，而晶圆与加热盘之间需要有支撑结构来支撑晶圆，将晶圆支撑于加热盘上方。在一种已知的配置中，所述加热盘是加热单元与晶圆承载盘(wafercarrier)或晶圆衬托器(susceptor)之整合。例如，可将电阻式加热单元包覆于晶圆承载盘中，藉由热传递加热承载盘上的晶圆。目前的，所用的晶圆支撑结构为垂直容置在加热盘之垂直柱孔的宝石球或者陶瓷柱。这种结构配置有其缺失，当腔体在抽气到真空状态时，支撑结构容易因缺乏结构的限本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于晶圆承载盘之支撑结构，所述晶圆承载盘的一晶圆承载面定义有用于容置所述支撑结构之一孔，所述支撑结构包含：一本体，具有一第一表面及一第二表面，该本体延伸于该第一表面与该第二表面之间，其中该第一表面具有一隆起部，其特征在于：该第一表面的中心与该第二表面的中心定义一方向轴，且该方向轴与该第一表面的法线并非平行。

【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆承载盘之支撑结构，所述晶圆承载盘的一晶圆承载面定义有用于容置所述支撑结构之一孔，所述支撑结构包含：一本体，具有一第一表面及一第二表面，该本体延伸于该第一表面与该第二表面之间，其中该第一表面具有一隆起部，其特征在于：该第一表面的中心与该第二表面的中心定义一方向轴，且该方向轴与该第一表面的法线并非平行。2.如权利要求1所述的支撑结构，其特征在于：所述本体之延伸定义该方向轴，该方向轴与该方向轴在该第一表面上的垂直投影分量定义一夹角，该夹角介于15至45度。3.如权利要求1所述的支撑结构，其特征在于：该本体具有一帽部及一延伸部，该延伸部自该帽部延伸，该帽部包含该第一表面，该延伸部包含该第二表面，该帽部的一径向尺寸大于该延伸部的一径向尺寸。4.如权利要求3所述的支撑结构，其特征在于：该本体的帽部具有一连续变化之厚度。5.一种晶圆承载盘，适用于晶圆处理装置，所述晶圆承载盘包含：一承载面，定义有复数个容置孔，每一容置孔容置有用于支撑晶圆的一支撑结构，其中该支撑...

【专利技术属性】
技术研发人员：周仁，范川，方仕彩，
申请(专利权)人：沈阳拓荆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁,21