一种石英基座及物理气相沉积设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种石英基座及物理气相沉积设备，属于半导体制造技术领域，石英基座适用于物理气相沉积设备的反应腔内，石英基座设置于反应腔的底部，石英基座包括：基座本体，用于放置待处理的晶圆；至少三个长条形的安装腔，成放射状沿基座本体周向均布，每个安装腔的延长线相交于基座的中心；每个安装腔包括一安装入口，安装入口设置于基座本体的上表面；于每个安装腔内分别设置一碳棒，碳棒通过对应的安装入口设置于安装腔内。上述技术方案的有益效果是：石英基座用于安装碳棒的安装腔的开口设置于基座本体的上表面，待处理的晶圆放置在基座本体的上表面上，避免出现碳棒直接曝露在氩电浆下遭受轰击而造成晶圆的微尘污染。

【技术实现步骤摘要】
一种石英基座及物理气相沉积设备
本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种适用于物理气相沉积设备的反应腔的石英基座及物理气相沉积设备。
技术介绍
在半导体制造流程中，会使用物理气相沉积设备去除晶圆表面的氧化物，具体方法是，在反应腔内通过氩电浆轰击晶圆的表面，以实现去除晶圆表面的氧化物，由于石英材质的绝缘基座可以直接接受来自上方氩电浆的轰击并与其他零电势部件绝缘，所述物理气相沉积设备的反应腔中使用石英基座承载待处理的晶圆，并加载以负电压增加氩电浆对晶圆表面的氧化层的刻蚀效果。同时为了改善晶圆边缘氧化层刻蚀厚度的均匀性，会在石英基座一周每隔120°插入1根碳棒(共3根)用以增强对氩电浆的牵引力，使氩电浆均匀的轰击在晶圆表面。现有技术中，碳棒的安装入口位于石英基座的侧壁上，由于石英基座在氩电浆的轰击下存在损耗，而且在3根碳棒牵引力的作用下，氩电浆的轰击往往集中在这3处。石英基座经过3～5次循环使用之后，石英基座在这3处碳棒的安装入口处的损耗尤为严重，严重时会导致碳棒直接曝露在氩电浆下遭受轰击产生碎屑，造成晶圆的微尘污染。
技术实现思路
根据现有技术中存在的上述问题，现提供一种安装碳棒的安装入口本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种石英基座，适用于物理气相沉积设备的反应腔内，所述石英基座设置于所述反应腔的底部，其特征在于，所述石英基座包括：基座本体，用于放置待处理的晶圆；至少三个长条形的安装腔，成放射状沿所述基座本体周向均布，每个所述安装腔的延长线相交于所述基座本体的中心；每个所述安装腔包括一安装入口，所述安装入口设置于所述基座本体的上表面；于每个所述安装腔内分别设置一碳棒，所述碳棒通过对应的所述安装入口设置于所述安装腔内。

【技术特征摘要】
1.一种石英基座，适用于物理气相沉积设备的反应腔内，所述石英基座设置于所述反应腔的底部，其特征在于，所述石英基座包括：基座本体，用于放置待处理的晶圆；至少三个长条形的安装腔，成放射状沿所述基座本体周向均布，每个所述安装腔的延长线相交于所述基座本体的中心；每个所述安装腔包括一安装入口，所述安装入口设置于所述基座本体的上表面；于每个所述安装腔内分别设置一碳棒，所述碳棒通过对应的所述安装入口设置于所述安装腔内。2.如权利要求1所述的石英基座，其特征在于，每个所述安装腔包括：凹槽，设置于基座本体内，所述凹槽位于所述安装腔朝向所述基座本体的中心的一端，所述凹槽的开口朝向基座本体的上表面；盲孔，水平设置于所述基座本体内并连接所述凹槽，所述盲孔的开口位于所述凹槽背向所述基座本体的中心的侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗灿，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北,42