晶片载体及化学气相沉积装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种晶片载体及其所在的化学气相沉积装置，包括：本体，该本体具有彼此相对布置的顶表面和底表面，所述顶表面包括具有圆形轮廓的周缘；多个呈圆形的具有第一直径的凹穴，其设置在所述晶片载体的顶表面的周缘内且以所述圆形轮廓的圆心为圆心呈两个同心圆分布，所述多个具有第一直径的凹穴中的第一部分凹穴均匀且相互外切地布置在所述两个同心圆的第一同心圆中，所述第一同心圆位于所述第二同心圆内部；并且在所述顶表面的周缘内还包括多个具有第二直径的呈圆形的第三部分凹穴，每一个所述第三部分凹穴位于由所述第二部分凹穴中的相切的两个凹穴和相邻的第一部分凹穴中的两个凹穴之间的空间内，所述第二直径小于所述第一直径。

Chip carrier and chemical vapor deposition device

The utility model discloses a chemical vapor deposition and the wafer carrier device, which comprises a main body, the body has a top surface and a bottom surface opposite to each other, the top surface includes a circular outline of the periphery; a plurality of circular recess having a first diameter, which is arranged on the top surface the periphery of the wafer carrier and the circular contour center as the center is two concentric distribution, the plurality of having a first diameter recess in the first part of the recess is uniform and mutually cut arranged in concentric circles, the first of two concentric circles, the first one the circle is located on the second concentric circles; and on the top surface of the inner periphery also includes a plurality of having a second diameter circular recess part third, each of the third parts of the recess located by the second part The second diameter of the second diameter is smaller than the first diameter of the two concave acupoint in the cavity and the space between the two cavern in the adjacent first part of the concave point.

【技术实现步骤摘要】
晶片载体及化学气相沉积装置
本技术总体涉及半导体制造技术，尤其涉及化学气相沉积或外延生长工艺及相关设备，用于在工艺期间保持半导体晶片和进行晶片工艺生长。更具体地，本申请涉及用于在高温处理期间在真空系统内支撑晶片的晶片载体，所公开的晶片载体尤其有利于高温真空处理，例如金属气相沉积(MOCVD)工艺处理。
技术介绍
在MOCVD处理反应腔中，在其上生长薄膜层的半导体晶片被放置于快速旋转的晶片载体上，以使它们的表面均匀暴露于反应气体气氛中，用以沉积半导体材料。晶片载体典型地是由诸如石墨等高导热材料机械加工出来的，并且通常涂覆有诸如碳化硅材料的保护层。每个晶片载体具有多外圆形凹部或凹穴，每一个凹部或凹穴中放置有单片的晶片。在反应腔内，晶片载体被放置在可旋转轴上，受其支撑并共同快速旋转。当旋转轴旋转时，反应气体被向下引导到该晶片载体的顶表面上并且经过该顶表面流向该晶片载体的外周。通过设置在该晶片载体下方的排气口从反应腔中排出所使用的气体。通过加热元件将该晶片载体保持在所希望的高的温度下。在MOCVD工艺处理中，为了获得所期望的晶体生长，必须控制诸如温度、压强和气体流速等工艺参数。尤其，晶片温度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片载体，该晶片载体适用于化学气相沉积装置或外延生长装置，其特征在于，所述晶片载体包括：本体，该本体具有彼此相对布置的顶表面和底表面，所述顶表面包括具有圆形轮廓的周缘；多个呈圆形的具有第一直径的凹穴，其设置在所述晶片载体的顶表面的周缘内且以所述圆形轮廓的圆心为圆心呈两个同心圆分布，所述多个具有第一直径的凹穴中的第一部分凹穴均匀且相互外切地布置在所述两个同心圆的第一同心圆中，所述多个具有第一直径的凹穴中的第二部分凹穴均匀且相互外切地布置在所述两个同心圆的第二同心圆中，所述第一同心圆位于所述第二同心圆内部；并且所述第二部分凹穴中的任意相邻的两个凹穴与位于其内侧的相邻的第一部分凹穴中的一个凹穴的...

【技术特征摘要】
1.一种晶片载体，该晶片载体适用于化学气相沉积装置或外延生长装置，其特征在于，所述晶片载体包括：本体，该本体具有彼此相对布置的顶表面和底表面，所述顶表面包括具有圆形轮廓的周缘；多个呈圆形的具有第一直径的凹穴，其设置在所述晶片载体的顶表面的周缘内且以所述圆形轮廓的圆心为圆心呈两个同心圆分布，所述多个具有第一直径的凹穴中的第一部分凹穴均匀且相互外切地布置在所述两个同心圆的第一同心圆中，所述多个具有第一直径的凹穴中的第二部分凹穴均匀且相互外切地布置在所述两个同心圆的第二同心圆中，所述第一同心圆位于所述第二同心圆内部；并且所述第二部分凹穴中的任意相邻的两个凹穴与位于其内侧的相邻的第一部分凹穴中的一个凹穴的排布方式为：该三个凹穴所确定的三个圆外切，且三个圆的圆心连线构成正三角形。2.如权利要求1所述的晶片载体，其特征在于，所述顶表面的周缘内的中心区域还包括一个呈圆形的中心凹穴，其直径与所述第一直径相同，所述中心凹穴位于所述第一同心圆所包围的区域内且与所述第一同心圆中的每一个凹穴相互外切。3.如权利要求1或2所述的晶片载体，其特征在于，在所述顶表面的周缘内还包括多个具有第二直径的呈圆形的第三部分凹穴，每一个所述第三部分凹穴位于由所述第二部分凹穴中的相切的两个凹穴和相邻的第一部分凹穴中的两个凹穴之间的空间内，所述第二直径小于所述第一直径。4.如权利要求3所述的晶片载体，其特征在于，所述顶表面的周缘内的中心区域还包括一个呈圆形的以所述圆形轮廓的圆心为圆心的具有第三直径的中心凹穴，所述第三直径小于所述第一直径，在所述第三直径的中心凹穴与所述第一部分的凹穴之间还设置有多个呈圆形的第四部分凹穴，每一个第四部分凹穴与相邻的所述具有第三直径的中心凹穴和所述第一部分的凹穴中的两个凹穴相互外切。5.如权利要求3所述的晶片载体，其特征在于，所述顶表面的周缘内的中心区域还包括一个呈圆形的以所述圆形轮廓的圆心为圆心的具有第三直径的中央区，所述第三直径小于所述第一直径，在所述第三直径的中央区与所述第一部分的凹穴之间还设置有多个呈圆形的第四部分凹穴，每一个第四部分凹穴与相邻的所述具有第三直径的中央区和所述第一部分的凹穴中的两个凹穴相互外切，所述中央区不设置凹穴。6.如权利要求4或5所述的晶片载体，其特征在于，所述第四部分凹穴的直径与所述第二直径相等或不相等。7.如权利要求1或2所述的晶片载体，其特征在于，所述第一部分凹穴的数量为6，所述第二部分凹穴的数量为12。8.如权利要求7所述的晶片载体，其特征在于，所述第一部分凹穴和第二部分凹穴的每一个凹穴的直径大小范围为150-152毫米之间。9.如权利要求7的所述晶片载体，其特征在于第，所述顶表面的具有圆形轮廓的周缘的直径范围为770-800毫米。10.如权利要求3所述的晶片载体，其特征在于，所述第二直径大小范围为50-60毫米。11.如权利要求3所述的晶片载体，其特征在于，所述多个具有第一直径的凹穴用于放置待处理的晶片，所述第三部分凹穴内用于放置待处理的晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭世平，姜勇，陶珩，李可，杜志游，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31