承载盘及其与晶片支撑件的组合制造技术

本实用新型专利技术公开了一种承载盘，包括：一基部；一收容部，自所述基部向下延伸形成，所述收容部用于收容一晶片支撑件，所述收容部具有一底壁用于支撑晶片支撑件的底面，所述底壁与所述底面不平行。本实用新型专利技术通过将承载盘用于支撑晶片支撑件的底壁设置为与晶片支撑件的底面不平行，从而实现底壁与底面发生局部分离，可减小底壁与晶片支撑件结合或者接触的面积，达到有效降低剥离力的目的。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种承载盘，尤其是指一种承载晶片支撑件的承载盘及其与晶片支撑件的组合。
技术介绍
晶圆是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆。晶圆分割切成若干小晶片，不同的晶片进行组合封装可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之IC产品。这些小晶片通常需要特定的支撑结构，目前的支撑组件通常包括支撑体、设置于支撑体表面的胶层，以及设在胶层表面的载带。通过半冲切工艺将支撑体和胶层冲切成特定尺寸和形状后，将支撑件从载带上剥离，然后将支撑件放置在特定的承载盘上，以便于储存和运输。使用时利用吸盘将支撑件从承载盘上吸附取出，然后将其与晶片贴合。这种承载盘的用于承载支撑件的表面通常为平面，且所述平面与支撑件紧密贴合，因而在吸盘吸取时所需的剥离力量极大，导致剥离困难，且剥离时容易导致支撑件发生变形。因此，有必要设计一种新的承载盘及其与晶片支撑件的组合，以克服上述问题。
技术实现思路
本技术的创作目的在于提供一种承载盘及其与晶片支撑件的组合，可降低承载盘与晶片支撑件之间的剥离力。为了达到上述目的，本技术采用如下技术方案：一种承载盘，包括：一基部；一收容部，自所述基部向下延伸形成，所述收容部用于收容一晶片支撑件，所述收容部具有一底壁用于支撑晶片支撑件的底面，所述底壁与所述底面不平行。进一步，所述底壁为弧面。具体地，所述底壁呈上凸的球面或者下凹的球面。或者可选地，所述底壁为折面。本技术还提供一种晶片支撑件与承载盘的组合，包括：一晶片支撑件，包括一不锈钢层以及位于所述不锈钢层下表面的一胶层，所述胶层用于黏合晶片；一承载盘，包括用于收容所述晶片支撑件的一收容部，所述收容部具有一底壁用于支撑所述胶层，所述底壁与所述胶层不平行。可选地，所述底壁具有一贴合区与所述胶层相贴合，所述胶层与底壁之间还具有一间隙，所述间隙位于所述贴合区的外围。可选地，所述底壁具有一贴合区与所述胶层相贴合，所述胶层与底壁之间还具有一间隙，所述贴合区位于所述间隙的外围。本技术还提供一种晶片支撑件与承载盘的组合，包括：一晶片支撑件，包括一不锈钢层、设置于所述不锈钢层下表面的一胶层，所述胶层用于黏合晶片；一离型膜，部分贴合于所述胶层的下表面；一承载盘，包括用于收容所述晶片支撑件的一收容部，所述收容部具有一底壁用于支撑所述离型膜，所述底壁与所述胶层不平行，且所述离型膜的整个下表面与所述底壁贴合。进一步，所述底壁呈弧面。所述离型膜的上下表面均呈弧面，且弧度与底壁的弧度匹配。所述离型膜的光面与所述胶层贴合，所述离型膜的粗面与所述底壁贴合。可选地，所述离型膜具有一贴合区与所述胶层相贴合，所述胶层与离型膜之间还具有一间隙，所述间隙位于所述贴合区的外围。可选地，所述离型膜具有一贴合区与所述胶层相贴合，所述离型膜与底壁之间还具有一间隙，所述贴合区位于所述间隙的外围。与现有技术相比，本技术通过将承载盘用于支撑晶片支撑件的底壁设置为与晶片支撑件的底面不平行，从而实现底壁与底面发生局部分离，可减小底壁与晶片支撑件结合或者接触的面积，达到有效降低剥离力的目的。【附图说明】图1为本技术的立体图；图2为本技术第一实施例的剖视图；图3为本技术第二实施例的剖视图；图4为本技术第三实施例的剖视图；图5为本技术第四实施例的剖视图。具体实施方式的附图标号说明： 承载盘1基部10收容部11底壁110侧壁111晶片支撑件2不锈钢层20胶层21离型膜3贴合区A间隙B【具体实施方式】为便于更好的理解本技术的目的、结构、特征以及功效等，现结合附图和具体实施方式对本技术作进一步说明。如图1所示，本技术的承载盘1，用于承载晶片支撑件2，所述承载盘1包括一基部10，以及自所述基部10向下延伸形成的多个收容部11(本图示仅示意性画出两个)，所述收容部11用于收容晶片支撑件2。所述承载盘1由绝缘材料经过热压形成。所述基部10呈水平的平板状，收容部11则自基部10向下凹陷呈矩形。所述收容部11包括底壁110和连接底壁110与基部10的四个侧壁111，所述侧壁111均为与基部10相垂直的平面，而底壁110则为非平面。具体而言，所述底壁110可以为弧面，也可以为折面，当然也可以是规则或者不规则的曲面。如图2所示，为本技术的第一实施例，所述底壁110呈上凸的球面，底壁110的中央区域向上凸起，底壁110沿竖直方向的任一截面均为弧形。本实施例中的晶片支撑件2，包括呈矩形的一不锈钢层20以及位于所述不锈钢层20下表面的一胶层21，所述胶层21用于黏合晶片(未图示)。所述不锈钢层20为平面，不锈钢层20的下表面涂布黏胶形成所述胶层21，因而所述胶层21也呈平面。由于本技术的晶片支撑件2尺寸较小，其长宽大约10.33mm×9.73mm，不锈钢层20的厚度大约0.05mm，因而不锈钢层20本身可发生弯曲弹性形变。为防止生产和移动过程中灰尘沾染到胶层21，所述胶层21下表面还临时贴合有一离型膜3，离型膜3的上表面为光面，下表面为粗面，且本实施例中，离型膜3的光面与胶层21临时贴合。当利用吸盘将晶片支撑件2从载带(未图示)上吸取并放置到承载盘1的收容部11内时，需要对晶片支撑件2施加向下的挤压力。由于收容部11的底壁110呈上凸的球面，挤压晶片支撑件2时会使得不锈钢层20也发生弹性弯曲变形呈上凸的弧形，使得离型膜3的下表面即粗面贴合至底壁110，且离型膜3的整个下表面均与底壁110紧密贴合。当挤压力撤销后，不锈钢层20由于自身的弹性会恢复成原来的平面状，胶层21紧贴于不锈钢层20上，由于离型膜3的光面是与胶层21贴合、粗面与底壁110贴合，离型膜3与底壁110之间的黏合力会大于离型膜3与胶层21之间的黏合力，此时离型膜3的下表面即粗面依然紧密贴合在底壁110，其上表面的中央部分与胶层21依然贴合，中央部分以外的整个一圈边缘部分则与胶层21分离：所述离型膜3的上表面形成一贴合区A与所述胶层21相贴合，所述胶层21与离型膜3之间还具有一间隙B，所述间隙B位于所述贴合区A的外围。此时，所述离型膜3完全贴合在底壁110，离型膜3的上下表面均呈弧面，且弧度与底壁110的弧度匹配。后续利用吸盘将晶片支撑件2从承载盘1中吸取时，由于胶层21与离型膜3已经发生局部分离,二者间接触和结合面积减小，因而只需较小的吸取力量则可将晶片支撑件2吸起，同时离型膜3会留在承载盘1中。如图3所示的第二实施例，其与第一实施例的不同之处在于：底壁110则呈下凹的球面。晶片支撑件2的置入过程与第一实施例类似，区别仅在于：晶片支撑件2置入后，离型膜3的下表面即粗面依然紧密贴合在底壁110，所述离型膜3的上表面形成一贴合区A与所述胶层21相贴合，所述胶层21与离型膜3之间还具有一间隙B，所述贴合区A位于所述间隙B的外围。亦即离型膜3上表面的中央部分与胶层21分离，中央部分以外的整个一圈边缘部分与胶层21依然贴合。如图4所示的第三实施例，其中承载盘1结构与图2所示第一实施例相同，不同之处在于，晶片支撑件2仅由不锈钢层20和胶层21组成。本实施例中，由于晶片支撑件2下方未设置离型膜3或者在置入承载盘1中前离型膜3就已经被剥除，可利用吸盘吸取晶片支撑件2，直接将其置放在收容部11本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片支撑件与承载盘的组合，其特征在于，包括：一晶片支撑件，包括一不锈钢层以及位于所述不锈钢层下表面的一胶层，所述胶层用于黏合晶片；一承载盘，包括用于收容所述晶片支撑件的一收容部，所述收容部具有一底壁用于支撑所述胶层，所述底壁与所述胶层不平行。

【技术特征摘要】
1.一种晶片支撑件与承载盘的组合，其特征在于，包括：一晶片支撑件，包括一不锈钢层以及位于所述不锈钢层下表面的一胶层，所述胶层用于黏合晶片；一承载盘，包括用于收容所述晶片支撑件的一收容部，所述收容部具有一底壁用于支撑所述胶层，所述底壁与所述胶层不平行。2.如权利要求1所述的晶片支撑件与承载盘的组合，其特征在于：所述底壁具有一贴合区与所述胶层相贴合，所述胶层与底壁之间还具有一间隙，所述间隙位于所述贴合区的外围。3.如权利要求1所述的晶片支撑件与承载盘的组合，其特征在于：所述底壁具有一贴合区与所述胶层相贴合，所述胶层与底壁之间还具有一间隙，所述贴合区位于所述间隙的外围。4.一种晶片支撑件与承载盘的组合，其特征在于，包括：一晶片支撑件，包括一不锈钢层、设置于所述不锈钢层下表面的一胶层，所述胶层用于黏合晶片；一离型膜，部分贴合于所述胶层的下表面；一承载盘，包括用于收容所述晶片支撑件的一收容部，所述收容部具有一底壁用于支撑所述离型膜，所述底壁与所述胶层不平行，且所述离型膜的整个下表面与所述底壁贴合。5.如权利要求4所述的晶片支撑件与承载盘的组合，其特征在于：所述底...

【专利技术属性】
技术研发人员：爱德华·巴亚特，朱文杰，
申请(专利权)人：番禺得意精密电子工业有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44