用于承载晶片的支撑组件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于承载晶片的支撑组件，包括：一支撑件，支撑件包括一不锈钢层以及一胶层，胶层设置于不锈钢层的下表面，用于黏合晶片；一剥离件，贴合于支撑件下方，剥离件包括一剥离层以及设置于剥离层下方的一载带，剥离层可剥离地贴合于胶层的下方，载带具有一黏合层与剥离层相黏合，且黏合层的面积大于或者等于剥离层的面积。本实用新型专利技术由于胶层与载带之间增设了一层剥离层，因而胶层不会黏到载带，由此改善误排和变形问题。此外，由于黏合层的面积大于或者等于剥离层的面积，无需精确对位支撑件的位置来设置小面积的黏合层，在保证剥离层与载带良好黏合的同时，可简化制造工艺。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种支撑组件，尤其是指一种用于承载晶片的支撑组件。
技术介绍
晶圆是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆。晶圆分割切成若干小晶片，不同的晶片进行组合封装可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之IC产品。现有用于支撑这些小晶片的支撑组件其通常包括支撑体和设置于支撑体表面的胶层，这种支撑组件通过以下工艺制成：将条带状支撑体表面涂布一层胶，再将上述整体贴合至条带状的载带上，利用半冲切工艺，将支撑体层和胶层按照预定尺寸冲切形成多个支撑件(产品)，而载带不切断，并将多余的废料(包括支撑体层和胶层)从载带上剥离排除。在贴合晶片前或者转移至特定承载盘中时，利用吸盘对支撑件进行吸附以将支撑件(产品)从载带上剥离。由于胶层具有一定的流动性，其在受到挤压时会溢出。溢出部分增大了产品与载带间的接触面积，而且溢出部分受到模具的直接挤压容易和载带贴合，形成挤压结合区，挤压结合区的吸附力比其他贴合区域更强，因此，不利于吸盘对支撑件进行吸附：当吸盘吸附力太小时，产品吸不起来；若增大吸附力，产品会发生变形或折痕，严重影响产品品质。此外，由于胶层的延展性强，半切时有可能出现未完全切断的情况，严重时容易使得产品与废料相互粘连，导致产品在排废时一同被剥离。因此，有必要设计一种新的用于承载晶片的支撑组件，以克服上述问题。
技术实现思路
本技术的创作目的在于提供一种用于承载晶片的支撑组件，其可减小剥离时的吸附力和降低误排率。为了达到上述目的，本技术采用如下技术方案：一种用于承载晶片的支撑组件，包括：一支撑件，所述支撑件包括一不锈钢层以及一胶层，所述胶层设置于所述不锈钢层的下表面，用于黏合晶片；一剥离件，贴合于所述支撑件下方，所述剥离件包括一剥离层以及设置于所述剥离层下方的一载带，所述剥离层可剥离地贴合于所述胶层的下方，所述载带具有一黏合层与所述剥离层相黏合，且所述黏合层的面积大于或者等于所述剥离层的面积。进一步，所述不锈钢层与所述剥离层的面积相等且完全重叠。优选地，所述载带包括一基膜，所述黏合层布满所述基膜的整个上表面。所述载带为单面胶。所述支撑件呈矩形，且所述载带的长度大于所述支撑件的长度。所述不锈钢层的上表面裸露。作为优选的实施方式，所述剥离层与所述黏合层之间的黏合力大于所述剥离层与所述胶层之间的黏合力。所述黏合层上方还贴设有一保护层位于所述剥离层的周围，且保护层与所述剥离层之间具有间隙。所述保护层向上不超过所述剥离层。所述保护层与所述剥离层均为离型膜。与现有技术相比，本技术由于胶层与载带之间增设了一层剥离层，因而胶层不会黏到载带，由此改善误排和变形问题。此外，由于黏合层的面积大于或者等于剥离层的面积，无需精确对位支撑件的位置来设置小面积的黏合层，在保证剥离层与载带良好黏合的同时，可简化制造工艺。【附图说明】图1为本技术第一实施例的立体图；图2为本技术第一实施例进行冲切后的示意图；图3为图2中结构进行排废的示意图；图4为本技术第二实施例的示意图。具体实施方式的附图标号说明：支撑件100剥离件200不锈钢层11胶层12载带21基膜21a黏合层21b剥离层22保护层23【具体实施方式】为便于更好的理解本技术的目的、结构、特征以及功效等，现结合附图和具体实施方式对本技术作进一步说明。图1至图3为本技术的第一实施例。本技术用于承载晶片(未图示)的支撑组件，包括支撑件100和贴合于支撑件100下方的剥离件200。如图1，所述支撑件100呈矩形，其包括不锈钢层11和胶层12。不锈钢层11的上表面裸露，下表面则设置有胶层12，所述胶层12用于黏合晶片(未图示)。所述剥离件200包括呈长条状的载带21以及多个相互独立的剥离层22。本实施例中采用单面胶做载带21，所述载带21包括一基膜21a以及设置于基膜21a上的黏合层21b。所述载带21的长度大于所述支撑件100的长度，因而载带21上可设置多个支撑件100以及多个剥离层22。所述剥离层22为一整条离型膜经冲切成多个矩形，剥离层22的上表面为离型面(光面)，下表面则为粘性面 (粗面)。所述剥离层22的上表面可剥离地贴合于所述胶层12的下方，所述剥离层22的下表面则通过黏合层21b与载带21相黏合固定。所述剥离层22与所述黏合层21b之间的黏合力大于所述剥离层22与所述胶层12之间的黏合力，如此可方便剥离层22与胶层12分离，同时确保剥离层22与载带21牢固黏合以使得二者作为一个整体被剥离。所述黏合层21b的面积大于或者等于所述剥离层22的面积。本实施例中，由于载带21为单面胶，所述黏合层21b布满基膜21a的整个上表面，如此可简化制造工艺，便于采用半冲切工艺制作，无需精确对位支撑件100的位置来设置黏合层21b。通过半冲切工艺将不锈钢层11、胶层12以及剥离层22切断，得到完全重叠的不锈钢层11与剥离层22，且不锈钢层11与剥离层22的面积相等，而胶层12尺寸会与剥离层22尺寸基本一致，因而胶层12不会黏住剥离层22。使用时，只需将支撑件100即不锈钢层11和胶层12从剥离件200上剥离即可在支撑件100上贴合晶片。如图2至图3所示，本实施例的制造工艺如下：首先，在长条状的不锈钢板材下表面涂布一层胶形成胶层12；在胶层12下方贴设离型膜作为剥离层22，使得离型膜的光面与胶层12黏合；将单面胶贴合在离型膜下表面作为载带21，使得离型膜的粗面与单面胶的黏合层21b相黏合。接着，进行半冲切，将不锈钢层11、胶层12以及离型膜按照预定尺寸冲切成多个矩形，而载带21保持连贯状态。最后，将预定矩形以外的废料从载带21上剥离排除，所述废料包括三层：不锈钢层11、胶层12和离型膜。本技术第一实施例，通过在胶层12下方设置剥离层22，再进一步将载带21贴合在剥离层22下方，通过半冲切工艺将不锈钢层11、胶层12和剥离层22切断，可有效避免胶层12未切断的情况出现，减小支撑件100被误排的几率。此外，由于胶层12下方的剥离层22也被切断，因而胶层12的溢出部分不会形成挤压结合区，支撑件100的胶层12边缘结合力会下降，即便溢胶也不会产生边缘吸附力变大的状况，可降低剥离力量。如图4所示为本技术的第二实施例，其与第一实施例的区别在于：剥离件200还包括一保护层23贴设在所述黏合层21b上方且位于所述剥离层22的周围，保护层23与所述剥离层22之间具有间隙。所述保护层23向上不超过所述剥离层22。所述保护层23与所述剥离层22均为离型膜。本实施例的制造工艺如下：首先，在长条状的不锈钢板材下表面涂布一层胶形成胶层12；在胶层12下方贴设离型膜，使得离型膜的光面与胶层12黏合；将单面胶贴合在离型膜下表面作为载带21，使得离型膜的粗面与单面胶的黏合层21b相黏合。接着，进行半冲切，将不锈钢层11、胶层12以及离型膜按照预定尺寸冲切成多个矩形，而载带21保持连贯状态。最后，将预定矩形以外的废料从载带21上剥离排除，所述废料包括两层：不锈钢层11、和胶层12。经过上述步骤，离型膜在支撑件100下方形成剥离层22，而支撑件100以外的区域(剥离层22的周围)则为所述保护层23，且保护层23与剥离层22相互分离。本技术第二实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于承载晶片的支撑组件，其特征在于，包括：一支撑件，所述支撑件包括一不锈钢层以及一胶层，所述胶层设置于所述不锈钢层的下表面，用于黏合晶片；一剥离件，贴合于所述支撑件下方，所述剥离件包括一剥离层以及设置于所述剥离层下方的一载带，所述剥离层可剥离地贴合于所述胶层的下方，所述载带具有一黏合层与所述剥离层相黏合，且所述黏合层的面积大于或者等于所述剥离层的面积。

【技术特征摘要】
1.一种用于承载晶片的支撑组件，其特征在于，包括：一支撑件，所述支撑件包括一不锈钢层以及一胶层，所述胶层设置于所述不锈钢层的下表面，用于黏合晶片；一剥离件，贴合于所述支撑件下方，所述剥离件包括一剥离层以及设置于所述剥离层下方的一载带，所述剥离层可剥离地贴合于所述胶层的下方，所述载带具有一黏合层与所述剥离层相黏合，且所述黏合层的面积大于或者等于所述剥离层的面积。2.如权利要求1所述的用于承载晶片的支撑组件，其特征在于：所述不锈钢层与所述剥离层的面积相等且完全重叠。3.如权利要求1所述的用于承载晶片的支撑组件，其特征在于：所述载带包括一基膜，所述黏合层布满所述基膜的整个上表面。4.如权利要求1所述的用于承载晶片的支撑组件，其特征在于：所述载带为单面胶。...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱文杰，袁延显，爱德华巴亚特，
申请(专利权)人：番禺得意精密电子工业有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44