新型镀膜治具制造技术

本实用新型专利技术公开一种新型镀膜治具，包括火山口和遮板；火山口内盛放坩埚，坩埚盛放蒸镀源并放置在火山口内，遮板在火山口之上，在火山口上表面设置测量柱，通过测量柱对遮板与坩埚距离进行测量或校正，防止遮板距离火山口太远或太近。

【技术实现步骤摘要】
新型镀膜治具
本技术涉及一种真空蒸镀设备，具体为一种新型镀膜治具。
技术介绍
蒸镀法是属于一种物理气相沉积的真空镀膜技术。通常是将蒸镀的材料直接放在坩埚里或者放置于衬锅之中，再将衬锅放在坩埚之中（如图1所示），通过对材料进行施加热能，使材料从固态转化为气态的原子、原子团或分子，然后凝聚在到待镀膜的基片表面形成薄膜，该技术广泛应用于太阳能薄膜、半导体晶片、平板显示、光学晶片等多个领域。Shutter遮板是蒸镀设备所使用的重要元件之一。蒸镀金属过程中部分金属在镀膜前会采取先将其预熔为液体的方式（比如Au）。预熔过程中需要关闭遮板防止蒸镀到镀膜样品。遮板的位置过高就会在预熔阶段从遮板侧面偷渡到样品表面导致样品失效。遮板的位置过低也有可能导致电子枪打到遮板上将遮板打穿污染源。一般侧镀为镀膜
中较为普遍的异常之一。为防止此异常发生，需将遮板位置根据机台状况进行标定。
技术实现思路
针对上述技术问题，本技术公开一种新型镀膜治具，火山口内盛放坩埚，坩埚盛放蒸镀源后放置在火山口内，遮板在火山口之上，其特征在于：所述治具在火山口的上表面设置测量柱。优选地，所述测量柱至少为三根。优选地，所述遮板为圆形。优本文档来自技高网...

【技术保护点】
新型镀膜治具，包括火山口和遮板；火山口内盛放坩埚，坩埚盛放蒸镀源后放置在火山口内，遮板在火山口之上，其特征在于：所述治具在火山口的上表面设置测量柱。

【技术特征摘要】
1.新型镀膜治具，包括火山口和遮板；火山口内盛放坩埚，坩埚盛放蒸镀源后放置在火山口内，遮板在火山口之上，其特征在于：所述治具在火山口的上表面设置测量柱。2.根据权利要求1所述的新型镀膜治具，其特征在于：所述测量柱至少为三根。3.根据权利要求1所述的新型镀膜治具，其特征在于：所述测量柱呈三角形分布。4.根据权利要求1所述的新型镀膜治具，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐宏彬，冯岩，廖齐华，郭明兴，周帅坤，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35