含有胺化合物的铟电镀组合物和铟电镀方法技术

一种铟电镀组合物，其含有痕量的胺化合物以电镀基本上无缺陷的均匀铟，所述铟具有光滑表面形态。铟电镀组合物可以用于在各种衬底(如半导体晶片)的金属层上电镀铟金属以及用作热界面材料。

Indium electroplating compositions and indium plating methods containing amine compounds

An indium electroplating composition containing trace amine compounds to electroplating basically defective uniform indium, which has a smooth surface morphology. Indium plating compositions can be used to electroplate indium metals on various substrates (such as semiconductor wafers) and to be used as thermal interface materials.

【技术实现步骤摘要】
含有胺化合物的铟电镀组合物和铟电镀方法
本专利技术涉及含有痕量的胺化合物的铟电镀组合物和用于将铟金属电镀于金属层上的方法。更确切地说，本专利技术涉及含有痕量的胺化合物的铟电镀组合物和将铟金属电镀于金属层上的方法，其中铟金属沉积物是均匀的、基本上无空隙的且具有光滑表面形态。
技术介绍
在金属层上能够可再现地电镀具有目标厚度和光滑表面形态的无空隙均匀铟具有挑战性。铟还原发生时的电位比质子还原时的电位更负，且阴极处显著的氢气鼓泡导致表面粗糙度增加。在铟沉积过程中形成的由于惰性配对效应而稳定化的铟(1+)离子催化了质子还原且参与歧化反应而使铟(3+)离子再生。在缺乏络合剂的情况下，铟离子开始从高于pH>3的溶液中沉淀。在如镍、锡、铜和金的金属上电镀铟具有挑战性，原因是这些金属是用于质子还原的良好催化剂且惰性比铟更强，从而其可导致铟以电化相互作用被腐蚀。铟还可以与这些金属形成非所期望的金属间化合物。最后，由于铟化学和电化学性质尚未被充分研究，因此与可以充当添加剂的化合物发生的相互作用未知。一般来说，传统的铟电镀浴尚无法电镀与多种凸点下金属(UBM)(如镍、铜、金和锡)相容的铟沉积本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种组合物，其包含一或多种铟离子源、柠檬酸、其盐或其混合物和含量为0.1ppm到100ppm的具有下式的一或多种胺化合物：

【技术特征摘要】
2016.07.18 US 62/3635501.一种组合物，其包含一或多种铟离子源、柠檬酸、其盐或其混合物和含量为0.1ppm到100ppm的具有下式的一或多种胺化合物：其中R1选自氢；(CH2)aNR4R5，其中R4和R5独立地选自氢和直链或分支链(C1-C4)烷基且a是整数1到4；(CH2CHR6-O)xH或其盐，其中R6选自氢或直链或分支链(C1-C4)烷基且x是整数1到20；羧基(C1-C4)烷基或其盐；或(CH2CHR6-O)p(CH2CHR9-O)xH或其盐，其中R9是氢或直链或分支链(C1-C4)烷基且p是整数1到20；R2选自氢；直链或分支链(C1-C4)烷基；(CH2CHR6-O)yH或其盐，其中R6如上文所定义且y是整数1到20；羧基(C1-C4)烷基或其盐；或(CH2CHR6-O)q(CH2CHR10-O)yH或其盐，其中R10是氢或直链或分支链(C1-C4)烷基且q是整数1到20；R3选自椰油烷基；R'-O-(CH2)m，其中R'选自氢、饱和或不饱和直链或分支链(C1-C20)烷基，m是整数1到4；(CH2)mNR7R8，其中R7是(CH2CHR6-O)p(CH2CHR9-O)xH或其盐且R8是(CH2CHR6-O)q(CH2CHR10-O)yH或其盐；且G是(CH2CHR6-O)zH或其盐，其中z是整数1到20或→O且n是0或1。2.根据权利要求1所述的组合物，其中所述一或多种胺化合物的含量是5ppm到15ppm。3.根据权利要求1所述的组合物，进一步包含一或多种氯离子源。4.根据权利要求3所述的组合物，其中所述氯离子与铟离子摩尔比是至少2:1。5.根据权利要求4所述的组合物，其中所述氯离...

【专利技术属性】
技术研发人员：Y·秦，K·弗拉伊斯里克，M·列斐伏尔，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国,US