铟电镀组合物和用于电镀铟的方法技术

铟电镀组合物电镀在金属层上具有平滑表面形态的基本上无缺陷的均一层。所述铟电镀组合物可以用于在如半导体晶片的各种衬底的金属层上电镀铟金属和用作热界面材料。

Indium electroplating compositions and methods for electroplating indium

The indium electroplating composition is electroplated on the metal layer with a smooth surface morphology, which is basically a homogeneous layer without defects. The indium plating composition can be used to electroplating indium metal on the metal layers of various substrates such as semiconductor wafers and used as a thermal interface material.

【技术实现步骤摘要】
铟电镀组合物和用于电镀铟的方法
本专利技术涉及铟电镀组合物和用于在金属层上电镀铟金属的方法。更确切地说，本专利技术涉及铟电镀组合物和在金属层上电镀铟金属的方法，其中铟金属沉积物是均一、基本上无空隙的并且具有平滑表面形态。
技术介绍
可再现地将具有目标厚度和平滑表面形态的无空隙均一铟镀覆于金属层上的能力具有挑战性。铟还原在比质子还原更负性的电位下发生，并且阴极处的显著氢起泡造成增加的表面粗糙度。形成于铟沉积方法中的由于惰性配对效应而稳定化的铟(1+)离子催化质子还原并且参与歧化反应以再生铟(3+)离子。在不存在络合剂的情况下，铟离子在pH>3以上开始从溶液沉淀。在如镍、锡、铜和金的金属上镀覆铟具有挑战性，因为这些金属是质子还原的良好催化剂并且比铟更具惰性，因此其可以在电化相互作用中引起铟的腐蚀。铟还可以与这些金属形成不合需要的金属间化合物。最后，未充分研究铟化学和电化学，因此与可以充当添加剂的化合物的相互作用是未知的。一般来说，常规铟电镀浴不能电镀与多种凸块下金属(underbumpmetal，UBM)(如镍、铜、金和锡)相容的铟沉积物。更重要的是，常规铟电镀浴不能在包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种组合物，其包含一种或多种铟离子源、硫脲和硫脲衍生物中的一种或多种以及柠檬酸、其盐或其混合物。

【技术特征摘要】
2016.07.18 US 15/2127131.一种组合物，其包含一种或多种铟离子源、硫脲和硫脲衍生物中的一种或多种以及柠檬酸、其盐或其混合物。2.根据权利要求1所述的组合物，其中所述硫脲衍生物选自甲脒硫脲(guanylthiourea)、1-烯丙基-2-硫脲、1-乙酰基-2-硫脲、1-苯甲酰基-2-硫脲、1-苯甲基-2-硫脲、1-丁基-3-苯基-2-硫脲、1,1-二甲基-2-硫脲、四甲基-2-硫脲、1,3-二甲基硫脲、1-甲基硫脲、1,3-二乙基硫脲、1,1-二苯基-2-硫脲、1,3-二苯基-2-硫脲、1,1-二丙基-2-硫脲、1,3-二丙基-2-硫脲、1,3-二异丙基-2-硫脲、1,3-二(2-甲苯基)-2-硫脲、1-甲基-3-苯基-2-硫脲、1(1-萘基)-3-苯基-2-硫脲、1(1-萘基)-2-硫脲、1(2-萘基)-2-硫脲、1-苯基-2-硫脲、1,1,3,3-四甲基-2-硫脲和1,1,3,3-四苯基-2-硫脲。3.根据权利要求2所述的组合物，其中所述硫脲衍生物选自甲脒硫脲、1-烯丙基-2-硫脲和四甲基-2-硫脲。4.根据权利要求1所述的组合物，其中所述硫脲和硫脲衍生物中的一种或多种以0.01g/L到50g/L的量包括于所述组合物中。5.根据权利要求1所述的组合物，其中所述组合物进一步包含一种或多种氯离子源，其中所述氯离子与所述铟离子的摩尔比是2:1或更大。6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：Y·秦，K·弗拉伊斯里克，M·列斐伏尔，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国,US