含有2‑咪唑烷硫酮化合物的铟电镀组合物和电镀铟的方法技术

技术编号:17133076 阅读:45 留言:0更新日期:2018-01-27 09:40
含有2‑咪唑烷硫酮化合物的铟电镀组合物在金属层上电镀具有平滑表面形态的基本上无缺陷的均一层。所述铟电镀组合物可用于将铟金属电镀于如半导体晶片的各种衬底的金属层上并且可用作热界面材料。

Method of electroplating composition containing indium 2 sulfur compounds and ketone imidazolidine indium electroplating

Electroplating composition containing indium 2 sulfur compounds imidazolidine plating has smooth surface morphology basically defect free uniform layer on the metal layer. The indium plating composition can be used to electroplating indium metal on a metal layer such as a variety of substrates of a semiconductor wafer and can be used as a hot interface material.

【技术实现步骤摘要】
含有2-咪唑烷硫酮化合物的铟电镀组合物和电镀铟的方法
本专利技术涉及含有2-咪唑烷硫酮化合物的铟电镀组合物和用于将铟金属电镀于金属层上的方法。更具体来说,本专利技术涉及含有2-咪唑烷硫酮化合物的铟电镀组合物和将铟金属电镀于金属层上的方法,其中铟金属沉积物为均一、基本上无空隙的并且具有平滑表面形态。
技术介绍
可再现地将具有目标厚度和平滑表面形态的无空隙均一铟镀覆于金属层上的能力具有挑战性。铟还原在比质子还原的电位更负的电位下发生,并且阴极处显著的氢鼓泡会造成表面粗糙度增加。形成于铟沉积工艺中的由于惰性电子对效应(inertpaireffect)而稳定化的铟(1+)离子会催化质子还原并且参与歧化反应以再生铟(3+)离子。在不存在络合剂的情况下,铟离子在大于pH>3下开始从溶液沉淀。将铟镀覆于如镍、锡、铜和金的金属上具有挑战性,因为这些金属为针对质子还原的良好催化剂并且比铟更具惰性,因此其可在电流相互作用中造成铟的腐蚀。铟还可与这些金属形成不合需要的金属间化合物。最后,尚未充分研究铟化学性质和电化学性质,因此与可充当添加剂的化合物的相互作用是未知的。一般来说,常规铟电镀浴尚本文档来自技高网...
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【技术保护点】
一种组合物,其包含一种或多种铟离子源、一种或多种2‑咪唑烷硫酮化合物和柠檬酸、其盐或其混合物。

【技术特征摘要】
2016.07.18 US 62/3635401.一种组合物,其包含一种或多种铟离子源、一种或多种2-咪唑烷硫酮化合物和柠檬酸、其盐或其混合物。2.根据权利要求1所述的组合物,其中所述一种或多种2-咪唑烷硫酮化合物具有下式:其中R1和R2独立地选自氢、直链或支链(C1-C12)烷基、直链或支链羟基(C1-C12)烷基、直链或支链(C1-C12)烷氧基、直链或支链(C3-C12)烯丙基、氨基、伯、仲或叔氨基(C1-C12)烷基、乙酰基和经取代或未经取代的芳基(C1-C12)烷基;R3、R4、R5和R6独立地选自氢、直链或支链(C1-C12)烷基、羟基、直链或支链羟基(C1-C12)烷基、伯、仲或叔氨基、芳基、直链或支链(C1-C12)烷氧基、伯、仲或叔氨基(C1-C12)烷基和乙酰基、芳基上的取代基包括(但不限于)直链或支链(C1-C5)烷基、羟基、羟基(C1-C5)烷基、(C1-C3)烷氧基和伯、仲和叔氨基(C1-C5)烷基。3.根据权利要求2所述的组合物,其中所述一种或多种2-咪唑烷硫酮化合物选自2-咪唑烷硫酮、1,3-二甲基-2-咪唑烷硫酮、1-甲基-5-苯基-2-咪唑烷硫酮、1,3-二乙基-2-咪唑烷硫酮、1-甲基-2-咪唑烷硫酮、4,4-二甲基-2-咪唑烷硫酮、4,5-二甲基-2-咪唑烷硫酮、(4S)-4-甲基-2-咪唑烷硫酮、1-十二烷基-2-咪唑烷硫酮、1-丁基-5-(1-甲基乙基)-2-咪唑烷硫酮、1,3-二烯丙基-2-咪唑烷硫酮、1-乙酰基-3-烯丙基-2-咪唑烷硫酮、1-(2-氨基乙基)-2-咪唑烷硫酮、1-乙酰基-2-咪唑烷硫酮、4,5-二羟基-1-甲基-2-咪唑烷硫酮、1-(2-羟乙基)-2-咪唑烷硫酮、1,3-双(羟甲基)-2-咪唑烷硫酮、1-乙基-5-(4-甲氧苯基)-2-咪唑烷硫酮、1,3-二...

【专利技术属性】
技术研发人员:Y·秦K·弗拉伊斯里克M·列斐伏尔
申请(专利权)人:罗门哈斯电子材料有限责任公司
类型:发明
国别省市:美国,US

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