二胺化合物和电子照相感光体制造技术

本发明专利技术提供一种二胺化合物和电子照相感光体。二胺化合物以通式(1)表示。通式(1)中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10各自独立，表示氢原子、卤素原子、任意取代的碳原子数1以上6以下的烷基、任意取代的碳原子数1以上6以下的烷氧基或者任意取代的碳原子数6以上14以下的芳基。m表示1以上3以下的整数。n表示0以上2以下的整数。【化1】

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种二胺化合物和电子照相感光体。
技术介绍
电子照相感光体用在电子照相方式的图像形成装置中。电子照相感光体具备感光层。例如，电子照相感光体中，有层叠型电子照相感光体和单层型电子照相感光体。层叠型电子照相感光体具备电荷产生层和电荷输送层，电荷产生层和电荷输送层作为感光层，电荷产生层具有电荷产生的功能，电荷输送层具有电荷传输的功能。单层型电子照相感光体具备作为感光层的单层型感光层，单层型感光层具有电荷产生的功能和电荷传输的功能。在电子照相感光体的一个例子中，电子照相感光体具备感光层。例如，感光层中含有以化学式(HT-A)或者(HT-B)表示的胺基二苯乙烯衍生物。【化1】【化2】
技术实现思路
然而，上述电子照相感光体的电气特性不充分。本专利技术是鉴于上述课题而作出的，其目的在于提供一种二胺化合物，其可以提高电子照相感光体的电气特性。还有，本专利技术的目的在于提供一种电子照相感光体，其通过含有上述的二胺化合物来使电气特性优异。本专利技术的二胺化合物用下述通式(1)表示。【化3】所述通式(1)中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10各自独立，表示：氢原子、卤素原子、任意取代的碳原子数1以上6以下的烷基、任意取代的碳原子数1以上6以下的烷氧基或者任意取代的碳原子数6以上14以下的芳基。m表示1以上3以下的整数。n表示0以上2以下的整数。另外，本说明书中的任意取代是指取代基的数量为0，或者1以上。本专利技术的电子照相感光体具备导电性基体和感光层。所述感光层至少含有电荷产生剂和作为空穴输送剂的上述二胺化合物。根据本专利技术的二胺化合物，能够提高电子照相感光体的电气特性。还有，根据本专利技术的电子照相感光体，能够通过含有上述的二胺化合物来提高电气特性。附图说明图1是本专利技术的第一实施方式所涉及的以化学式(HT-3)表示的二胺化合物的1H-NMR光谱。图2是本专利技术的第一实施方式所涉及的以化学式(HT-6)表示的二胺化合物的1H-NMR光谱。图3中(a)、(b)和(c)分别是表示本专利技术的第二实施方式所涉及的电子照相感光体的一个例子的示意性剖视图。图4中(a)、(b)和(c)分别是表示本专利技术的第二实施方式所涉及的电子照相感光体的别的例子的示意性剖视图。具体实施方式以下，对本专利技术的实施方式进行详细说明。但是，本专利技术不以任何方式限定于以下的实施方式中。在本专利技术的目的范围内，可以通过适当变更来实施本专利技术。另外，对于说明重复之处，存在适当省略的情况，但不因此而限定专利技术的要旨。以下，有时在化合物名称之后加上“类”来统称该化合物及其衍生物。还有，在化合物名称之后加上“类”来表示聚合物名称的情况下，表示聚合物的重复单元源自该化合物或者其衍生物。还有，有时将通式或者化学式(2-1)～(2-3)、(3-1)～(3-3)、(4)、(5)、(6)、(6-1)～(6-3)、(7)～(11)、(2a)～(2d)、(3a)～(3d)、(5a)、(6a)～(6c)、(7a)～(7b)、(8a)～(8b)、(10a)～(10f)、(11a)～(11g)表示的化合物分别记载为化合物2-1～2-3、3-1～3-3、4、5、6、6-1～6-3、7～11、2a～2d、3a～3d、5a、6a～6c、7a～7b、8a～8b、10a～10f和11a～11g。以下，卤素原子、碳原子数1以上6以下的烷基、碳原子数1以上6以下的烷氧基和碳原子数6以上14以下的芳基在没有特别规定的情况下，分别表示下列含义。例如，卤素原子是氟(氟基)、氯(氯基)或者溴(溴基)。碳原子数1以上6以下的烷基是直链状或者支链状的，且是无取代的。对于碳原子数1以上6以下的烷基的例子，可以举出：甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、新戊基或者己基。碳原子数1以上6以下的烷氧基是直链状或者支链状的，且是无取代的。对于碳原子数1以上6以下的烷氧基的例子，可以举出：甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、异戊氧基、新戊氧基或者己氧基。例如，碳原子数6以上14以下的芳基是碳原子数6以上14以下的无取代芳香族单环烃基、碳原子数6以上14以下的无取代芳香族缩合双环烃基或者碳原子数6以上14以下的无取代芳香族缩合三环烃基。对于碳原子数6以上14以下的芳基的例子，可以举出：苯基、萘基、蒽基或者菲基。<第一实施方式：二胺化合物>本专利技术的第一实施方式是二胺化合物。本实施方式的二胺化合物是用下述通式(1)表示的。【化4】通式(1)中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10各自独立，表示：氢原子、卤素原子、任意取代的碳原子数1以上6以下的烷基、任意取代的碳原子数1以上6以下的烷氧基或者任意取代的碳原子数6以上14以下的芳基。m表示1以上3以下的整数。n表示0以上2以下的整数。在电子照相感光体含有通式(1)表示的二胺化合物(以下，有时记载为二胺化合物1)的情况下，二胺化合物1能够提高电子照相感光体的电气特性。其理由推测如下。二胺化合物1具有2个氮原子。在2个氮原子之间，存在共轭键。还有，在各氮原子上结合了包含着具有R6～R10的苯基的基(共轭基团)。而且，在各氮原子上结合了包含着具有R1～R5的苯基的基(共轭基团)。通过使二胺化合物1具有这样的构造，能够适度增大二胺化合物1的分子结构。由此，往往感光层中存在的二胺化合物1的分子内的空穴移动距离增大，一个二胺化合物1的π电子云与邻近的另一个二胺化合物1的π电子云之间的距离(跳跃距离)变小。其结果，可以认为二胺化合物1之间的空穴移动性得到提高以及电子照相感光体的电气特性得到提高。对于通式(1)的R1～R10表示的碳原子数1以上6以下的烷基，优选为碳原子数1以上4以下的烷基，更优选为甲基、乙基、丁基(特别优选为正丁基)。通式(1)的R1～R10表示的碳原子数1以上6以下的烷基也可以具有取代基。对于碳原子数1以上6以下的烷基所具有的取代基，可以举出：卤素原子、碳原子数1以上6以下的烷氧基或者碳原子数6以上14以下的芳基。对于取代基的数量，不做特别的限定，优选为3个以下。对于通式(1)的R1～R10表示的碳原子数1以上6以下的烷氧基，优选为碳原子数1以上3以下的烷氧基。通式(1)的R1～R10表示的碳原子数1以上6以下的烷氧基也可以具有取代基。对于碳原子数1以上6以下的烷氧基所具有的取代基，可以举出：卤素原子、碳原子数1以上6以下的烷氧基或者碳原子数6以上14以下的芳基。对于取代基的数量，不做特别的限定，优选为3个以下。对于通式(1)的R1～R10表示的碳原子数6以上14以下的芳基，优选为碳原子数6以上14以下的芳香族单环烃基，更优选为苯基。通式(1)的R1～R10表示的碳原子数6以上14以下的芳基也可以具有取代基。对于碳原子数6以上14以下的芳基所具有的取代基，可以举出：卤素原子、碳原子数1以上6以下的烷基、碳原子数1以上6以下的烷氧基或者碳原子数6以上14以下的芳基。对于取代基的数量，不做特别的限定，优选为3个以下。通式(1)中，m表示1以上3以下的整数。m优选为表示2或者3，更优选为表示3。m为2或者3时，二胺化合物1的分子结构适度变大，感光层中存在的一个二胺化合物1的电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二胺化合物，使用下述通式(1)表示，【化1】所述通式(1)中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10各自独立，表示氢原子、卤素原子、任意取代的碳原子数1以上6以下的烷基、任意取代的碳原子数1以上6以下的烷氧基或者任意取代的碳原子数6以上14以下的芳基，m表示1以上3以下的整数，n表示0以上2以下的整数，所述的任意取代是指取代基的数量为0，或者1以上。

【技术特征摘要】
2015.07.30 JP 2015-1504741.一种二胺化合物，使用下述通式(1)表示，【化1】所述通式(1)中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10各自独立，表示氢原子、卤素原子、任意取代的碳原子数1以上6以下的烷基、任意取代的碳原子数1以上6以下的烷氧基或者任意取代的碳原子数6以上14以下的芳基，m表示1以上3以下的整数，n表示0以上2以下的整数，所述的任意取代是指取代基的数量为0，或者1以上。2.根据权利要求1所述的二胺化合物，其特征在于，所述通式(1)中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10各自独立，表示氢原子、碳原子数1以上6以下的烷基或者碳原子数6以上14以下的芳基。3.根据权利要求1或者2所述的二胺化合物，其特征在于，所述通式(1)中，m表示2或者3。4.根据权利要求1或者2所述的二胺化合物，其特征在于，所述通式(1)中，m表示3。5.根据权利要求1或者2所述的二胺化合物，其特征在于，所述通式(1)中，n表示1或者2。6.根据权利要求1或者2所述的二胺化合物，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈田英树，
申请(专利权)人：京瓷办公信息系统株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP