坩埚及蒸镀方法技术

本发明专利技术提供一种坩埚，包括第一埚体和设于相对所述第一埚体内的第二埚体，所述第一埚体和所述第二埚体之间围合形成腔体结构，以使所述腔体横截面形成环形形状，所述腔体用于容纳蒸镀材料，所述第一埚体背对所述第二埚体的外壁面围设有第一加热部件，所述第二埚体背对所述第一埚体的内壁面围设有第二加热部件，所述坩埚还包括加热控制系统，所述加热控制系统控制所述第一加热部件和所述第二加热部件的加热时长不同，通过以上设置，使得本发明专利技术的坩埚不会发生变形或者破裂的问题。本发明专利技术还提供了一种坩埚蒸镀方法。

Crucible and evaporation method

The invention provides a crucible, including second first pot body and a crucible body relative to the first pot body, between the first and the second crucible crucible body body formed cavity structure, so that the cross section of the cavity formed in a shape of a ring cavity for accommodating the evaporated material, the the back wall of the first crucible the crucible body second is surrounded on the first heating parts, the back wall of the crucible second the first crucible body is surrounded with second heating parts, the crucible also includes a heating control system, heating the heating control system to control the first heating component and the second heating element of different length, through the above settings, the crucible of the invention will not deform or rupture problems. The invention also provides a method for the plating of a crucible.

【技术实现步骤摘要】
坩埚及蒸镀方法
本专利技术属于蒸镀
，尤其涉及一种坩埚及蒸镀方法。
技术介绍
OLED具有自发光，轻薄，易于实现柔性显示等特点，是一种具有良好发展前景的新一代显示技术；目前在OLED面板制程中，OLED材料的蒸镀一般采用物理气相沉积法，即将有机材料放置在真空腔体内的坩埚中加热，使有机材料升华或者气化，在衬底上成膜；一些金属材料需要加热到比较高的温度(500℃甚至1000℃以上)才能液化或者气化，蒸镀金属材料需要用到耐高温的坩埚。一般的高温金属坩埚都是筒状，金属材料加热之后液化然后气化，气化的金属原子从坩埚口喷出，在停止加热之后，金属坩埚内的金属材料会收缩，对坩埚侧壁造成一定的拉力，导致坩埚出现变形甚至破损。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种坩埚，以解决现有技术所存在的坩埚变形破损的问题。为实现本专利技术的目的，本专利技术提供了如下的技术方案：第一方面，一种坩埚，包括第一埚体和设于相对所述第一埚体内的第二埚体，所述第一埚体和所述第二埚体之间围合形成腔体结构，以使所述腔体横截面形成环形形状，所述腔体用于容纳蒸镀材料，所述第一埚体背对所述第二埚体的外壁面围设有第一加热部件，所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种坩埚，其特征在于，包括第一埚体和设于相对所述第一埚体内的第二埚体，所述第一埚体和所述第二埚体之间围合形成腔体结构，以使所述腔体横截面形成环形形状，所述腔体用于容纳蒸镀材料，所述第一埚体背对所述第二埚体的外壁面围设有第一加热部件，所述第二埚体背对所述第一埚体的内壁面围设有第二加热部件，所述坩埚还包括加热控制系统，所述加热控制系统控制所述第一加热部件和所述第二加热部件的加热时长不同。

【技术特征摘要】
1.一种坩埚，其特征在于，包括第一埚体和设于相对所述第一埚体内的第二埚体，所述第一埚体和所述第二埚体之间围合形成腔体结构，以使所述腔体横截面形成环形形状，所述腔体用于容纳蒸镀材料，所述第一埚体背对所述第二埚体的外壁面围设有第一加热部件，所述第二埚体背对所述第一埚体的内壁面围设有第二加热部件，所述坩埚还包括加热控制系统，所述加热控制系统控制所述第一加热部件和所述第二加热部件的加热时长不同。2.如权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述第一加热部件紧贴所述第一埚体外壁面设置，所述第二加热部件紧贴所述第二埚体内壁面设置。3.如权利要求1或2所述的坩埚，其特征在于，所述第一加热部件和所述第二加热部件提供的加热温度范围为400℃～1500℃。4.如权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述坩埚还包括盖体，所述盖体盖设于所述腔体顶端的端部，所述盖体具有开口。5.如权利要求4所述的坩埚，其特征在于，所述盖体的开口为多个且绕所述第一埚体圆心环形阵列排布。6.如权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述第一埚...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔小平，李金川，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44