Method of manufacturing a three-dimensional packaging structure of the invention relates to a double-sided SiP, wherein the method comprises the following steps: step one, take a temporary board; step two, the temporary load board mount core switching board; step three, the core switching board front mount fanout type wafer level package structure, the first passive the 3D element and the first conductive member; step four, plastic operation; step five, mechanical polishing exposing the first conductive part 3D and remove the temporary board; step six, core switching board back mount chip, second passive components and second 3D conductive parts; step seven, plastic ball, homework; step eight, the next step packaging process or cut into a single product, complete the test. The invention can use prefabricated narrow center distance 3D conductive parts to become a supporting structure for stacked packaging, which can reduce the size and height of the packaging module, improve the high-frequency performance of the packaging module, and improve the flexibility of high design and warpage control.
【技术实现步骤摘要】
双面SiP的三维封装结构的制造方法
本专利技术涉及一种双面SiP的三维封装结构的制造方法,属于半导体封装
技术介绍
根据半导体技术的发展,电子器件变得微型化并且越来越轻以满足用户的需求,因此,用于实现与单个封装相同或不同的半导体芯片的多芯片封装技术得到增强。与半导体芯片所实现的封装相比,多芯片封装就封装大小或重量以及安装过程而言是有利的,具体地讲,多芯片封装主要应用于要求微型化和减重的便携式通信终端。在这些多芯片封装中,封装基板堆叠在另一个封装基板上的层叠型封装被称为堆叠封装(packageonpackage,以下称为“PoP”)。由于随着半导体封装技术的发展,半导体封装的容量已变得更高,厚度变得更薄并且尺寸变得更小,堆叠的芯片数量最近已经增大。常规的层叠封装采用焊料球印刷工艺和回流工艺,问题在于,当增大焊料球的尺寸或高度以便增大封装之间的距离时,焊料球会产生开裂或破碎。另外随着封装制程中的高密度线路、多种封装材料的使用、以及各种芯片以及功能器件的使用,使得整个封装体很复杂,各种材质的搭配不易平衡,容易导致整体的翘曲变形。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种双面SiP的三维封装结构的制造方法,它能够使用预制的窄中心距3D导电部件成为堆叠封装的支撑结构,模组中使用薄型晶圆级封装和其他器件的组合,可以降低封装模组的尺寸高度,提高封装模组的高频性能以及高度设计和翘曲控制的灵活性。本专利技术解决上述问题所采用的技术方案为:一种双面SiP的三维封装结构的制造方法,所述方法包括如下步骤:步骤一、取一临时载板;步骤二、在临时载板上 ...
【技术保护点】
一种双面SiP的三维封装结构的制造方法,其特征在于所述方法包括如下步骤:步骤一、取一临时载板;步骤二、在临时载板上贴装核心转接板;步骤三、在核心转接板正面贴装扇出型晶圆级封装结构、第一被动元件和第一3D导电部件,第一3D导电部件布置于扇出型晶圆级封装结构和第一被动元件的外围;步骤四、核心转接板正面进行塑封作业;步骤五、机械研磨露出第一3D导电部件并移除临时载板;步骤六、核心转接板背面贴装芯片、第二被动元件和第二3D导电部件,第二3D导电部件布置于芯片和第二被动元件的外围;步骤七、核心转接板正面进行塑封,植球作业;步骤八、下一步封装制程或者整体进行切割成单颗产品,完成测试。
【技术特征摘要】
1.一种双面SiP的三维封装结构的制造方法,其特征在于所述方法包括如下步骤:步骤一、取一临时载板;步骤二、在临时载板上贴装核心转接板;步骤三、在核心转接板正面贴装扇出型晶圆级封装结构、第一被动元件和第一3D导电部件,第一3D导电部件布置于扇出型晶圆级封装结构和第一被动元件的外围;步骤四、核心转接板正面进行塑封作业;步骤五、机械研磨露出第一3D导电部件并移除临时载板;步骤六、核心转接板背面贴装芯片、第二被动元件和第二3D导电部件,第二3D导电部件布置于芯片和第二被动元件的外围;步骤七、核心转接板正面进行塑封,植球作业;步骤八、下一步封装制程或者整体进行切割成单颗产品,完成测试。2.根据权利要求1所述的一种双面SiP的三维封装结构的制造方法,其特征在于:步骤一中的临时载板使用硅或者玻璃晶圆/板材。3.根据权利要求1所述的一种双面SiP的三维封装结构的制造方法,其特征在于:步骤一中的脱膜层使用树脂类薄膜或者惰性材料层或者多层惰性金属层。4.根据权利要求3所述的一种双面SiP的...
【专利技术属性】
技术研发人员:林耀剑,
申请(专利权)人:江苏长电科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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