The present invention provides a three-dimensional chip package and method thereof, wherein the package structure of the package substrate, perforated silicon interposer, bare chip stacked package, protection, die and the plastic layer wherein the bare chip and perforated silicon interposer through conductive bumps and re wiring layer connection. The packaging structure has the advantages of simple structure, higher I/O density and faster transmission efficiency. The packaging method first on the bearing perforated silicon interposer substrate adhesion, and then die heads installed in perforated silicon intermediate layer, and to cover the bare chip and the perforated silicon interposer plastic seal formed on the adhesive layer, then removing the substrate and adhesive layer, to include perforation the three-dimensional chip module silicon die and plastic layer, intermediate layer, and finally provide a package substrate, the three-dimensional chip module with perforated silicon interposer side arranged on the package substrate. The process complexity of the package is low, which is beneficial to reduce the production cost and improve the rate of packaging.
【技术实现步骤摘要】
一种三维芯片封装结构及其封装方法
本专利技术属于半导体封装领域,涉及一种三维芯片封装结构的封装方法。
技术介绍
半导体工业通过持续减小最小特征尺寸来继续提高各种各样电子元件的整合密度,使得在给定的面积下可以集成更多的电子元件。目前,最先进的封装解决方案包括晶圆级芯片尺寸封装(Waferlevelchip-scalepackage)、扇出型晶圆级封装(Fan-outwaferlevelpackage)倒装芯片(Flipchip)以及堆叠型封装(PackageonPackage,POP)等等。传统的扇出型晶圆级封装(Fan-outwaferlevelpackaging,FOWLP)一般包括如下几个步骤:首先从晶圆切下单个微芯片,并采用标准拾放设备将芯片正面朝下粘贴到载体的粘胶层上;然后形成塑封层,将芯片嵌入塑封层内;在塑封层固化后,去除载体及粘胶层,然后进行再分布引线层工艺及植球回流工艺,最后进行切割和测试。再分布引线层(RedistributionLayers,RDL)是倒装芯片组件中芯片与封装之间的接口界面。再分布引线层是一个额外的金属层,由核心金属顶部走线组成,用于将裸片的I/O焊盘向外绑定到诸如凸点焊盘等其它位置。凸点通常以栅格图案布置,每个凸点都浇铸有两个焊盘(一个在顶部,一个在底部),它们分别连接再分布引线层和封装基板。传统的扇出型晶圆级封装容易导致芯片与RDL层之间发生偏移,导致良率较低。堆叠型封装(PackageonPackage,PoP)可以使单个封装体内纵向堆叠多个芯片,将纵向分离的逻辑和存储球栅阵列结合,层叠的各封装体之间通过标准接口来传 ...
【技术保护点】
一种三维芯片封装结构的封装方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一承载基板;于所述承载基板上形成粘附层;于所述粘附层上粘附穿孔硅中介层,所述穿孔硅中介层包括绝缘基板及多个上下贯穿所述绝缘基板的导电柱;提供至少一个裸片,将所述裸片正面朝下装设于所述穿孔硅中介层上;于所述粘附层上形成覆盖所述裸片及所述穿孔硅中介层的塑封层;去除所述承载基板及粘附层,得到包括所述穿孔硅中介层、所述裸片及所述塑封层的三维芯片模块;提供一封装基板,将所述三维芯片模块具有所述穿孔硅中介层的一面装设于所述封装基板上。
【技术特征摘要】
1.一种三维芯片封装结构的封装方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一承载基板;于所述承载基板上形成粘附层;于所述粘附层上粘附穿孔硅中介层,所述穿孔硅中介层包括绝缘基板及多个上下贯穿所述绝缘基板的导电柱;提供至少一个裸片,将所述裸片正面朝下装设于所述穿孔硅中介层上;于所述粘附层上形成覆盖所述裸片及所述穿孔硅中介层的塑封层;去除所述承载基板及粘附层,得到包括所述穿孔硅中介层、所述裸片及所述塑封层的三维芯片模块;提供一封装基板,将所述三维芯片模块具有所述穿孔硅中介层的一面装设于所述封装基板上。2.根据权利要求1所述的三维芯片封装结构的封装方法,其特征在于:所述三维芯片模块与所述封装基板之间具有间隙;将所述三维芯片模块装设于所述封装基板上之后,还包括于所述间隙中形成保护层的步骤。3.根据权利要求1所述的三维芯片封装结构的封装方法,其特征在于:于所述粘附层上粘附所述穿孔硅中介层之后,还包括于所述穿孔硅中介层上形成重新布线层的步骤,以使所述裸片通过所述重新布线层与所述穿孔硅中介层电性连接。4.根据权利要求3所述的三维芯片封装结构的封装方法,其特征在于:所述重新布线层包括至少一层图形化的介质层及至少一层图形化的金属布线层。5.根据权利要求3所述的三维芯片封装结构的封装方法,其特征在于:所述裸片的正面带有导电凸块,所述裸片通过所述导电凸块与所述重新布线层电性连接。6.根据权利要求3所述的三维芯片封装结构的封装方法,其特征在于:于所述穿孔硅中介层上形成重新布线层之后,还包括于所述重新布线层上形成凸块结构的步骤,以使所述裸片通过所述凸块结构与所述重新布线层电性连接。7.根据权利要求6所述的三维芯片封装结构的封装方法,其特征在于:所述凸块结构包括金属柱及连接于所述导电柱上方的焊料凸点,或者所述凸块...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈彦亨,林正忠,
申请(专利权)人:中芯长电半导体江阴有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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