用于修复掩模的方法技术

本发明专利技术的实施例提供了一种修复掩模的方法，包括检查掩模以定位掩模的缺陷的缺陷区域。获取缺陷区域的空中影像的相位分布。确定成像系统的点扩散函数。基于缺陷区域的空中影像的相位分布和点扩散函数来确认掩模的一个或多个修复区域。对掩模的一个或多个修复区域执行修复工艺以形成一个或多个修复部件。

A method for repairing the mask

An embodiment of the present invention provides a method for repairing a mask, including a defect area where a mask is checked to locate a defect of the mask. Obtain the phase distribution of the aerial image in the defect area. The point diffusion function of the imaging system is determined. The phase distribution and point diffusion function of the aerial images based on the defect region are used to confirm one or more repair areas of the mask. A repair process is performed on one or more repair areas of the mask to form one or more repair parts.

【技术实现步骤摘要】
用于修复掩模的方法
本专利技术的实施例涉及半导体领域，更具体地涉及用于修复掩模的方法。
技术介绍
在半导体集成电路(IC)工业中，IC材料和设计的技术进步产生了多代IC，其中，每一代都具有比先前一代更小且更复杂的电路。在IC演进过程中，功能密度(即，单位芯片面积中的互连器件的数量)通常在增加，同时几何尺寸(即，可使用制造工艺创建的最小组件(或线))减小。这种规模缩小工艺通常通过增加产量效率和降低相关成本来提供很多益处。这样的规模缩小还增大了处理和制造IC的复杂程度。例如，实施更高分辨率的光刻工艺的需求增长。用于处理这种需求的一种光刻技术是远紫外光刻(EUVL)。EUVL中使用的掩模存在新的挑战。例如，远紫外(EUV)掩模中使用多层结构。EUV掩模的衬底的表面上的微观非平整度(例如，由缺陷导致)可以使随后沉积在上面的多层结构的膜变形，这可以影响对应暴露的图像的质量或完整性。然而，不能够通过标准修复技术来去除EUV掩模的多层的下面或内侧的缺陷。因此，期望提供改进的掩模修复方法。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种修复掩模的方法，所述方法包括：检查掩模以定位所述掩模的缺陷的缺陷区域；在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种修复掩模的方法，所述方法包括：检查掩模以定位所述掩模的缺陷的缺陷区域；在成像系统中获取所述缺陷区域的空中影像的相位分布；确定所述成像系统的点扩散函数；基于所述缺陷区域的空中影像的相位分布和所述点扩散函数来确认所述掩模的一个或多个修复区域；以及对所述掩模的一个或多个修复区域执行修复工艺以形成一个或多个修复部件。

【技术特征摘要】
2016.06.06 US 62/346,273;2016.09.01 US 15/254,6071.一种修复掩模的方法，所述方法包括：检查掩模以定位所述掩模...

【专利技术属性】
技术研发人员：游信胜，严涛南，王文娟，秦圣基，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71