修复光掩模的方法技术

本公开提供一种修复光掩模的方法。上述方法包括接收一光掩模，其包括一图案化特征部件。图案化特征部件产生一相移且具有一透光率。辨识光掩模上的一缺陷区。形成一修复特征部件于光掩模上的缺陷区上方。形成修复特征部件包括形成一第一图案化材料层于缺陷区上方以及形成一第二图案化材料层于第一图案化材料层上方，以形成修复特征部件。修复特征部件产生上述相移且具有上述透光率。

Method for repairing photomask

The present disclosure provides a method for repairing photomask. The method comprises receiving a photomask that includes a patterned feature element. The patterned feature produces a phase shift with a light transmittance. Identify a defect area on the photomask. A repair feature component is formed over the defect area on the photomask. The formed repair feature includes forming a first patterned material layer above the defect region and forming a second patterned material layer above the first patterning material layer to form a repair feature component. The repair feature component generates the phase shift and has the transmittance.

【技术实现步骤摘要】
修复光掩模的方法
本专利技术实施例涉及一种半导体技术，且特别涉及一种修复光掩模的方法。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit,IC)工业历经了快速的成长。IC材料与设计的技术进展造就了各个IC世代，每一世代的电路都比前世代来得更小更为复杂。在IC进展课题中，功能密度(即，单位芯片面积的内连装置数量)普遍增加，而几何尺寸(即，所使用的工艺能形成的最小部件(或线))则缩小。上述尺寸微缩工艺因生产效率的增加及相关成本的降低而有所助益。而上述尺寸微缩亦已增加IC加工及制造的复杂度，而因应这些进展，IC制造及加工需要类似的演进。在关于微影图案化的一范例中，用于微影工艺中的光掩模(或掩模)具有一电路图案定义于其上且会转移至晶片。光掩模上的图案需要更加精确，且对于先进技术节点中小特征部件尺寸而言，微影图案化对于光掩模缺陷会更加敏感。因此，会修复光掩模以排除缺陷，并进一步检查以确认修复的缺陷。
技术实现思路
根据一些实施例，本公开提供一种修复光掩模的方法。上述方法包括接收一光掩模，其包括一图案化特征部件及一缺陷。图案化特征部件产生一相移且具有一透光率。通过形成一修复特征部件来修复本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种修复光掩模的方法，包括︰接收一光掩模，其包括一图案化特征部件及一缺陷，该图案化特征部件产生一相移且具有一透光率；以及通过形成一修复特征部件来修复该缺陷，该修复特征部件产生该相移且具有该透光率。

【技术特征摘要】
2015.11.16 US 14/941,8761.一种修复光掩模的方法，包括︰接收一光掩模，其包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡尚纶，李岳勋，朱远志，秦圣基，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71