控制掩膜版脱气雾状缺陷的方法技术

本发明专利技术提供了一种控制掩膜版脱气雾状缺陷的方法，包括：第一步骤：在掩膜版存储机中布置紫外曝光单元；第二步骤：将掩膜版放置在紫外曝光单元密闭腔室中；第三步骤：利用紫外曝光单元对掩膜版进行照射。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，更具体地说，本专利技术涉及一种控制掩膜版脱气雾状缺陷的方法。
技术介绍
在集成电路制造中，193nm/246nm光刻制程使用的掩膜版在曝光过程中因为掩膜版薄膜脱气(pellicle outgassing)问题，会生成一种雾状缺陷分布于掩膜版图形区，有非常大的风险会造成晶圆上的重复性缺陷。对光刻制程的良率是极大的挑战。为了控制此类雾状缺陷，业内的通常做法为在掩膜版不使用时把掩膜版放RSP(掩膜版标准存储盒)中，然后把RSP放在掩膜版存储机(purge stocker)中使用N2或CDA(clean dry air，洁净干燥的压缩空气)气体进行不间断的填充保护，以提供一个稳定的储存环境防止雾状缺陷产生。但是，从实际数据表明，薄膜脱气雾状缺陷是在掩膜版储存一段时间后数量就会急剧增加，而在频繁的曝光过程中数量会逐渐减少。因为薄膜脱气持续存在，而脱气产生的雾状缺陷在加热过程中又会逐渐挥发，所以在曝光过程中随着掩膜版温度升高，雾状缺陷数量持续减少；在存储过程中掩膜版温度降低，脱气雾状缺陷数量持续增加。当掩膜版已经储存一段时间后，雾状缺陷的数量会达到惊人的地步，对前期曝光的一些晶圆有非常大的缺陷风险。因此，希望能够提供一种方案来有效控制光刻制程使用的掩膜版的脱气雾状缺陷。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够有效地控制光刻制程使用的掩膜版的脱气雾状缺陷的方法。为了实现上述技术目的，根据本专利技术，提供了一种控制掩膜版脱气雾状缺陷的方法，包括：第一步骤：在掩膜版存储机中布置紫外曝光单元；第二步骤：将掩膜版放置在紫外曝光单元密闭腔室中；第三步骤：利用紫外曝光单元对掩膜版进行照射。优选地，紫外曝光单元中配置氮气填充保护装置；而且在第三步骤利用紫外曝光单元对掩膜版进行照射的同时开启氮气填充保护装置以便对掩膜版存储机中的气氛进行控制。优选地，紫外曝光单元、掩膜版被布置在密闭腔室中。优选地，紫外曝光单元的覆盖面积大于掩膜版基板的面积，而且在第二步骤中掩膜版放置在紫外曝光单元的中央位置处。优选地，在第二步骤中，掩膜版与紫外曝光单元相距的距离处于预定距离范围内。优选地，所述预定距离范围为5mm～50mm。优选地，紫外曝光单元中配置有温度监控装置，用于监控处理过程中掩膜版表面的温度变化。优选地，紫外曝光单元包括并排布置的多个紫外灯。优选地，外灯为154nm～256nm波长的紫外灯。优选地，对掩膜版可以预定周期进行周期照射处理，也可以在重新使用前进行一次性照射处理。本专利技术在掩膜版的掩膜版存储机中增加了专门的紫外加热单元，在针对掩膜版的存储管理过程中可制定相应策略，对一定时期内不需要曝光一直需要存储的掩膜版，间隔一段时间之后传输到紫外加热单元进行照射处理，可使掩膜版表面的脱气雾状缺陷数量得到有效控制，在掩膜版重写投入到使用时，大大减低初期曝光时雾状缺陷造成晶圆缺陷的风险。附图说明结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本专利技术有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：图1示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的控制掩膜版脱气雾状缺陷的方法的流程图。图2示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的控制掩膜版脱气雾状缺陷的方法的俯视示意图。图3示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的控制掩膜版脱气雾状缺陷的方法的侧视示意图。需要说明的是，附图用于说明本专利技术，而非限制本专利技术。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。具体实施方式为了使本专利技术的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本专利技术的内容进行详细描述。在193nm光刻曝光时代，如何控制掩膜版雾状缺陷对光刻曝光缺陷的影响成为关键议题。一方面，掩膜版储存一段时间之后雾状缺陷数量急剧上升；另一方面，掩膜版储存之后再启用，初期曝光的晶圆受到雾状缺陷缺陷的影响极大，产生晶圆缺陷的风险较高。对此，本专利技术针对掩膜版脱气雾状缺陷提供有效控制方法，使得雾状缺陷对掩膜版正常使用的影响降到最低。具体地，本专利技术在掩膜版(尤其是193nm掩膜版)的掩膜版存储机中增加了专门的紫外加热单元，在针对掩膜版的存储管理过程中可制定相应策略，对一定时期内不需要曝光一直需要存储的掩膜版，间隔一段时间之后传输到紫外加热单元进行照射处理，可使掩膜版表面的脱气雾状缺陷数量得到有效控制，在掩膜版重写投入到使用时，大大减低初期曝光时雾状缺陷造成晶圆缺陷的风险。图1示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的控制掩膜版脱气雾状缺陷的方法的流程图。图2示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的控制掩膜版脱气雾状缺陷的方法的俯视示意图。图3示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的控制掩膜版脱气雾状缺陷的方法的侧视示意图。如图1、图2和图3所示，根据本专利技术优选实施例的控制掩膜版脱气雾状缺陷的方法包括：第一步骤S1：在掩膜版存储机中布置紫外曝光单元10，第二步骤S2：将掩膜版(其中，如图2和图3所示，掩膜版包括掩膜版基板20和掩膜版保护膜30)放置在紫外曝光单元10中；优选地，紫外曝光单元10、掩膜版被布置在密闭腔室中，以保持环境氛围的均一性。优选地，紫外曝光单元10的覆盖面积大于掩膜版基板20的面积，由此完全覆盖掩膜版20需要照射的区域。优选地，紫外曝光单元10包括并排布置的多个紫外灯11。例如，紫外灯11为154nm～256nm(157nm、193nm和/或248nm)波长的紫外灯。目前通用掩膜版尺寸为152.4mm*152.4mm，在符合使用要求情况下考虑成本因素，紫外灯的尺寸可选择为300mm*300mm。优选地，在第二步骤S2中，所述掩膜版放置在紫外曝光单元10的中央位置处。优选地，在第二步骤S2中，掩膜版与紫外曝光单元10相距的距离处于预定距离范围(例如，5mm～50mm之间)内。进一步优选地，例如，在第二步骤S2中，掩膜版与紫外曝光单元10相距的距离为20～30mm。由此，在保证紫外照射效果的同时，能够避免操作中的刮伤风险。第三步骤S3：利用紫外曝光单元10对掩膜版进行照射。具体地，一般是利用紫外曝光单元10对掩膜版基板20进行照射。优选地，紫外曝光单元中配置氮气填充保护装置，可带走处理过程中雾状缺陷挥发物质及其他掩膜版的脱气产物。由此，在第三步骤S3利用紫外曝光单元10对掩膜版基板20进行照射的同时开启氮气填充保护装置以便对掩膜版存储机中的气氛进行控制(而且使雾状缺陷挥发的同时可把相关脱气成分带离掩膜版表面)。优选地，在第三步骤S3，利用紫外曝光单元10对掩膜版基板20进行照射的时长为10分钟。优选地，对掩膜版可以预定周期进行周期照射处理(例如，每天进行一次照射处理)，也可以在重新使用前进行一次性照射处理(例如，在长时间存储后，在重新启用前进行30分钟的照射作业)。以此控制策略对掩膜版脱气雾状缺陷进行控制。优选地，紫外曝光单元中配置有温度监控装置，可监控处理过程中掩膜版表面的温度变化。在具体实施时，所述控制掩膜版雾状缺陷的方法可根据各个工厂实际情况制定需要紫外曝光单元照射的策略，在隔多久时间需要照射、每次照射多少时间、掩膜版表面与紫外曝光单元的距离、氮气清洁气本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种控制掩膜版脱气雾状缺陷的方法，其特征在于包括：第一步骤：在掩膜版存储机中布置紫外曝光单元；第二步骤：将掩膜版放置在紫外曝光单元密闭腔室中；第三步骤：利用紫外曝光单元对掩膜版进行照射。

【技术特征摘要】
1.一种控制掩膜版脱气雾状缺陷的方法，其特征在于包括：第一步骤：在掩膜版存储机中布置紫外曝光单元；第二步骤：将掩膜版放置在紫外曝光单元密闭腔室中；第三步骤：利用紫外曝光单元对掩膜版进行照射。2.根据权利要求1所述的控制掩膜版脱气雾状缺陷的方法，其特征在于，紫外曝光单元密闭腔室中配置氮气填充保护装置；而且在第三步骤利用紫外曝光单元对掩膜版进行照射的同时开启氮气填充保护装置以便对掩膜版存储机中的气氛进行控制。3.根据权利要求1或2所述的控制掩膜版脱气雾状缺陷的方法，其特征在于，紫外曝光单元和掩膜版被布置在密闭腔室中。4.根据权利要求1或2所述的控制掩膜版脱气雾状缺陷的方法，其特征在于，紫外曝光单元的覆盖面积大于掩膜版基板面积，而且在第二步骤中掩膜版放置在紫外曝光单元的中央位置处。5.根据权利要求1或2所述的控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：李德建，陈力钧，朱骏，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31