一种光刻工艺热点的自动修复方法技术

本发明专利技术涉及DFM可制造图形设计领域，尤其是涉及到一种光刻工艺热点的自动修复方法，首先对版图进行光刻工艺友善性检查；之后通过光刻工艺友善性检查生成光刻工艺热点的位置标记，并根据位置标记生成光刻工艺热点的考量数据区域和模拟区域，最后对数据区域的版图进行修改，并通过检查工具套件对修改进行有效性判定，以提供一种合适的修复方案；该技术方案实现了版图中的光刻工艺热点的快速自动修复和验证，实现了高程度的自动化要求，且其可制造性设计方案的操作性和效率大大提高，修复周期较短，一定程度上降低了时间成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及DFM(Design For Manufacture)可制造图形设计领域，尤其是涉及到。
技术介绍
光刻是集成电路制造的主要工艺，其主要实现将掩模板上的图形向硅表面各层材料上的转移，掩模板图像对光波来说相当于传播路径的障碍，从而在硅片上得到与掩模板图像相关的光刻图形。 由于设计缺陷或分辩率增强技术等本身的限制，晶圆上的电路可能会出现夹断(pinch)、桥接(bridge)、孔接触不良等缺陷(即热点)，版图中可能导致这些缺陷的区域叫做光刻工艺热点区域，光刻工艺热点区域可能会影响到最终电路的性能甚至导致功能的失效，因此应在芯片生产之前找出光刻工艺热点并加以修复。为评估光刻工艺中版图的友善性，确定版图是否是适应于现实的生产中，应通过仿真模拟方法来模拟光刻工艺、检测工艺热点。 如图1所示，现有技术提供的一种版图中光刻工艺热点的修复流程:首先，运用工厂提供的检查工具套件对设计公司的版图进行光刻工艺友善性检查(LithographyFriendly Check，简称LFC);其次，判断版图中是否存在潜在光刻工艺热点，若存在则将版图依靠代工厂或设计公司的工程师手动修改；之后，进行第二次版图的光刻工艺友善性检查，并依次循环上述步骤；最后，得到修改后的版图。 现有技术中版图的光刻工艺热点的修复主要是依靠代工厂或设计公司(代工厂将相关工具套件加密之后传送给设计公司)的工程师根据经验进行手动修改，之后进行光刻工艺友善性检查套件(LFC Kits)的验证。这种方法的缺陷是依赖工程师的经验，而且自动化程度不高，修复周期较长，效率较低且不利于热点修复的高效简易。 因此，本领域亟需一种更加高效的光刻工艺热点的自动修复方法。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术提供了，以解决现有技术中因光刻工艺热点在修复过程中自动化程度不高，修复周期较长，效率和可操作性低下等缺陷。 本专利技术解决上述技术问题所采用的技术方案为: ，其中，所述方法包括: 步骤S1、提供一版图，并通过一检查工具套件对版图进行光刻工艺友善性检查； 步骤S2、根据光刻工艺友善性检查的结果，判断版图中是否存在光刻工艺热点，若存在则进行步骤S3，否则结束修复； 步骤S3、通过光刻工艺友善性检查生成光刻工艺热点的位置标记，并根据位置标记生成光刻工艺热点的考量数据区域和模拟区域； 步骤S4、通过一修改工具套件对考量数据区域的版图进行修改，并通过检查工具套件对修改进行有效性判定； 步骤S5、保留有效的版图的修复方案。 较佳的，上述的光刻工艺热点的自动修复方法，其中，所述考量数据区域和所述模拟区域为位置标记的放大区域； 其中，所述考量数据区域的半径为b，所述模拟区域的半径为c，c>b，且c_b>光学模型半径。 较佳的，上述的光刻工艺热点的自动修复方法，其中，所述考量数据区域的半径b的取值范围为:0.5um ^ b ^ 1.5um。 较佳的，上述的光刻工艺热点的自动修复方法，其中，所述光刻工艺热点包括单层次热点和多层次热点。 较佳的，上述的光刻工艺热点的自动修复方法，其中，对于单层次热点，所述版图包括当前层版图，步骤S4中包括: 步骤S41、根据相关层设计规则和当前层设计规则对当前层版图进行修改尝试； 步骤S42、对修改尝试后的当前层版图进行有效性判定；若无效，则放弃此修复方案，若有效，则保存此修复方案； 其中，若有效性判定后的有效数目和尝试数目未达到预先数目设定值，则继续执行步骤S41。 较佳的，上述的光刻工艺热点的自动修复方法，其中，所述尝试数目的预先数目设定值为6?15，所述有效数目的预先数目设定值为3?8，且尝试数目大于有效数目。 较佳的，上述的光刻工艺热点的自动修复方法，其中，对当前层版图进行修改尝试的方法包括: 在考量数据区域内，对当前层版图的边进行移动，且移动距离为O?0.04um。 较佳的，上述的光刻工艺热点的自动修复方法，其中，对于多层次热点，所述版图分为主层版图和次层版图，且步骤S4中包括: 步骤S410、根据相关层设计规则和当前层设计规则对主层版图和次层版图进行修改尝试； 步骤S420、对修改尝试后的主层版图和次层版图进行有效性判定。 较佳的，上述的光刻工艺热点的自动修复方法，其中，对主层版图进行修改尝试的方法包括:在考量数据区域内，对主层版图的边进行移动，且移动距离为O?0.04um。 较佳的，上述的光刻工艺热点的自动修复方法，其中，对次层版图进行修改尝试的方法包括:在考量数据区域内，对次层版图的整个多边形进行移动，且不改变尺寸和形状。 上述技术方案具有如下优点或有益效果: 本专利技术公开了，首先对版图进行光刻工艺友善性检查；之后通过光刻工艺友善性检查生成光刻工艺热点的位置标记，并根据位置标记生成光刻工艺热点的考量数据区域和模拟区域，最后对数据区域的版图进行修改，并通过检查工具套件对修改进行有效性判定，以提供一种合适的修复方案。本专利技术技术方案因后续的修复方案和有效性判定均是对小部分的版图进行计算，因此相对花费的成本较低，同时该技术方案实现了版图中的光刻工艺热点的快速自动修复和验证，实现了高程度的自动化要求，且其可制造性设计方案的操作性和效率大大提高，修复周期较短，一定程度上降低了时间成本。 【附图说明】 通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术及其特征、夕卜形和优点将会变得更明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分并未刻意按照比例绘制附图，重点在于示出本专利技术的主旨。 图1是现有技术中版图的光刻工艺热点的修复流程图； 图2是本专利技术中版图的光刻工艺热点的自动修复流程图； 图3是本专利技术中考量数据范围和模拟范围的设计示意图； 图4是本专利技术中单层次热点的修复流程图； 图5是本专利技术中多层次热点的修复流程图； 图6是本专利技术中热点修复的原理示意图； 图7a?图7d是本专利技术中单层次热点的具体实施例的修复流程图。 【具体实施方式】 下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明，但不作为本专利技术的限定。 为解决现有技术中因光刻工艺热点在修复过程中自动化程度不高，修复周期较长，效率和可操作性低下等缺陷，本专利技术提供了，首先对版图进行光刻工艺友善性检查；之后通过光刻工艺友善性检查生成光刻工艺热点的位置标记，并根据位置标记生成光刻工艺热点的考量数据区域和模拟区域，最后对数据区域的版图进行修改，并通过检查工具套件对修改进行有效性判定，以提供一种合适的修复方案。 如图2所示的光刻工艺热点的自动修复流程图，具体如下步骤: 步骤S1、提供一设计公司的版图202，并运用代工厂提供的一检查工具套件203对该版图进行版图的光刻工艺友善性检查201，该光刻工艺友善性检查主要用于检查版图上是否具有光刻工艺热点的存在。 步骤S2、根据步骤SI中的检查结果，判断版图中是否具有光刻工艺热点(在本专利技术的实施例中，光刻工艺热点主要包括有夹断、桥接或者叠对)211，若发现存在光刻工艺热点则进行后续步骤S3，否则结束修复流程。 步骤S3、当步骤S2中存在光刻工艺热点时，通过光刻工艺友善性检查的操作，会自动生成光刻工艺热点的位置标记，以便于我们快速对其进行定位本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻工艺热点的自动修复方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S1、提供一版图，并通过一检查工具套件对版图进行光刻工艺友善性检查；步骤S2、根据光刻工艺友善性检查的结果，判断版图中是否存在光刻工艺热点，若存在则进行步骤S3，否则结束修复；步骤S3、通过光刻工艺友善性检查生成光刻工艺热点的位置标记，并根据位置标记生成光刻工艺热点的考量数据区域和模拟区域；步骤S4、通过一修改工具套件对考量数据区域的版图进行修改，并通过检查工具套件对修改进行有效性判定；步骤S5、保留有效的版图的修复方案。

【技术特征摘要】
1.一种光刻工艺热点的自动修复方法，其特征在于，所述方法包括: 步骤S1、提供一版图，并通过一检查工具套件对版图进行光刻工艺友善性检查； 步骤S2、根据光刻工艺友善性检查的结果，判断版图中是否存在光刻工艺热点，若存在则进行步骤S3，否则结束修复； 步骤S3、通过光刻工艺友善性检查生成光刻工艺热点的位置标记，并根据位置标记生成光刻工艺热点的考量数据区域和模拟区域； 步骤S4、通过一修改工具套件对考量数据区域的版图进行修改，并通过检查工具套件对修改进行有效性判定； 步骤S5、保留有效的版图的修复方案。2.如权利要求1所述的光刻工艺热点的自动修复方法，其特征在于，所述考量数据区域和所述模拟区域为位置标记的放大区域； 其中，所述考量数据区域的半径为b，所述模拟区域的半径为c，c>b，且c-b>光学模型半径。3.如权利要求2所述的光刻工艺热点的自动修复方法，其特征在于，所述考量数据区域的半径b的取值范围为:0.5um ^ b ^ 1.5um。4.如权利要求1所述的光刻工艺热点的自动修复方法，其特征在于，所述光刻工艺热点包括单层次热点和多层次热点。5.如权利要求4所述的光刻工艺热点的自动修复方法，其特征在于，对于单层次热点，所述版图包括当前层版图，步骤S4中包括: 步骤S41、根据相关层设计规则和当前层设计规则对当前层版图进行修...

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟斌，朱忠华，魏芳，吕煜坤，朱骏，张旭昇，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31