一种提高光掩模板关键尺寸均一性的方法技术

本发明专利技术提供了一种提高光掩模板关键尺寸均一性的方法，包括：第一步骤，用于执行初始掩模板版图设计；第二步骤，用于对设计出来的初始掩模板版图进行区块划分；第三步骤，用于计算初始掩模板版图各区块的曝光图形密度；第四步骤，用于根据各区块周边区域内的曝光图形密度分布确定各区块关键尺寸的调整幅度；第五步骤，用于根据所确定的各区块关键尺寸的调整幅度调整各区块的关键尺寸，以得到更新的掩模板版图；第六步骤，用于根据更新的掩模板版图执行掩模板制造。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，更具体地说，本专利技术涉及。
技术介绍
在集成电路制造工艺中，通常通过激光束或电子束将设计好的电路转移到掩模板上，再通过曝光的方式将掩模版上的图形转移到硅片上。但是，由于电子束易在光掩模基板表面与曝光腔体内反复反射(雾化效应)，导致曝光区域图形面积比重较大的区域的光阻比其他区域的光阻接受更多的电子。由此，在同样的曝光能量下，显影完后，正性光阻的掩模板曝光区域图形面积比重较大的区域光阻的关键尺寸较其他区域的区域光阻的关键尺寸小；负性光阻的掩模板则相反，即负性光阻的掩模板曝光区域图形面积比重较大的区域光阻的关键尺寸较其他区域的区域光阻的关键尺寸大。因此，希望提供一种能够解决由掩模板曝光时的雾化效应造成的关键尺寸均一性不良的问题，最终提升掩模板整体的关键尺寸均一性的技术方案。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够解决由掩模板曝光时的雾化效应造成的关键尺寸均一性不良的问题，最终提升掩模板整体的关键尺寸均一性的方法。为了实现上述技术目的，本专利技术提供了，其包括:第一步骤，用于执行初始掩模板版图设计；第二步骤，用于对设计出来的初始掩模板版图进行区块划分；第三步骤，用于计算初始掩模板版图各区块的曝光图形密度；第四步骤，用于根据各区块周边区域内的曝光图形密度分布确定各区块关键尺寸的调整幅度；第五步骤，用于根据所确定的各区块关键尺寸的调整幅度调整各区块的关键尺寸，以得到更新的掩模板版图；第六步骤，用于根据更新的掩模板版图执行掩模板制造。优选地，所述各区块周边区域是以该区块中心为圆心，以给定距离为半径的圆所覆盖的范围内的区域。优选地，所述的给定距离的范围是0.1mm至152.4mm。优选地，在所述第四步骤中，所述的各区块关键尺寸的调整幅度的范围是Inm至5优选地，各区块周边区域内的曝光图形密度分布包括:该区块周边区域内的曝光图形至该区块的距离、以及该区块周边区域内的曝光图形的密度；在所述第四步骤中，所述各区块关键尺寸的调整幅度可由该区块周边区域内的曝光图形至该区块的距离、以及该区块周边区域内的曝光图形的密度决定。优选地，在所述第四步骤中，区块周边区域内的曝光图形至该区块的距离越小，则该区块关键尺寸的调整幅度越大；区块周边区域内的曝光图形的密度越大，则该区块关键尺寸的调整幅度越大。优选地，在第五步骤中，对于使用正性掩模板光阻的掩模板，根据所确定的各区块关键尺寸的调整幅度，将曝光区域图形密度较大的透光图形关键尺寸调小，曝光区域图形密度较小的透光图形关键尺寸调大；对于使用负性掩模板光阻的掩模板，根据所确定的各区块关键尺寸的调整幅度，将曝光区域图形密度较大的透光图形关键尺寸调大，曝光区域图形密度较小的透光图形关键尺寸调小。优选地，在第二步骤中，按照固定尺寸来进行区块划分。在本专利技术中，提供了 ；其中，在掩模板设计之后，针对各数据区域周围的图形密度情况，来调整该区域的关键尺寸的大小，以弥补由雾化效应带来的各区域关键尺寸的差异，最终提高掩模板整体的关键尺寸均一性。附图说明结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本专利技术有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中:图1示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的提高光掩模板关键尺寸均一性的方法的流程图。图2示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的提高光掩模板关键尺寸均一性的方法生产的掩模板的关键尺寸分布图。图3示意性地示出了根据现有技术的生产的掩模板的关键尺寸分布图。需要说明的是，附图用于说明本专利技术，而非限制本专利技术。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。具体实施例方式为了使本专利技术的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本专利技术的内容进行详细描述。图1示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的提高光掩模板关键尺寸均一性的方法的流程图。更具体地说，如图1所示，根据本专利技术优选实施例的提高光掩模板关键尺寸均一性的方法包括:第一步骤SI，用于执行初始掩模板版图设计；其中，可通过现有技术中已知的任何方式来执行初始掩模板版图设计。第二步骤S2，用于对设计出来的初始掩模板版图进行区块划分；其中，优选地，可以按照固定尺寸来进行区块划分，例如，可将20umX20um大小的单元格作为一个区块。第三步骤S3，用于计算初始掩模板版图各区块的曝光图形密度。其中，曝光图形密度指的是曝光区域图形面积除以区块总面积之商。第四步骤S4，用于根据各区块周边区域内的曝光图形密度分布确定各区块关键尺寸的调整幅度；其中，优选地，所述各区块周边区域是以该区块中心为圆心，以给定距离为半径的圆所覆盖的范围内的区域。优选地，所述的给定距离的范围是0.1mm至152.4mm。优选地，所述的各区块关键尺寸的调整幅度的范围是Inm至500nm。优选地，在具体实施例中，各区块周边区域内的曝光图形密度分布包括:该区块周边区域内的曝光图形至该区块的距离、以及该区块周边区域内的曝光图形的密度；由此所述各区块关键尺寸的调整幅度可由该区块周边区域内的曝光图形至该区块的距离、以及该区块周边区域内的曝光图形的密度决定。其中，该区块周边区域内的曝光图形至该区块的距离越小，则该区块关键尺寸的调整幅度越大；此外，该区块周边区域内的曝光图形的密度越大，则该区块关键尺寸的调整幅度越大。第五步骤S5，用于根据所确定的各区块关键尺寸的调整幅度调整各区块的关键尺寸，以得到更新的掩模板版图。具体地说，在第五步骤S5中，对于使用正性掩模板光阻的掩模板来说，根据所确定的各区块关键尺寸的调整幅度，将曝光区域图形密度较大的透光图形关键尺寸调小，曝光区域图形密度较小的透光图形关键尺寸调大；对于使用负性掩模板光阻的掩模板，根据所确定的各区块关键尺寸的调整幅度，将曝光区域图形密度较大的透光图形关键尺寸调大，曝光区域图形密度较小的透光图形关键尺寸调小。第六步骤S6，用于根据更新的掩模板版图执行掩模板制造。图2和图3不出了本专利技术与现有技术的对比的一个不例。图2示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的提高光掩模板关键尺寸均一性的方法生产的掩模板的关键尺寸分布图P1，其中整片掩模板的关键尺寸波动为lonm。图3示意性地示出了根据现有技术的生产的掩模板的关键尺寸分布图P2，其中整片掩模板的关键尺寸波动为37nm。可以看出，在应用本专利技术之后，整片掩模板的关键尺寸波动从37nm下降至10nm。由此，在本专利技术上述实施例中，提供了；其中，在掩模板设计之后，针对各数据区域周围的曝光区域图形密度情况，来调整该区域的关键尺寸的大小，以弥补由雾化效应带来的各区域关键尺寸的差异，最终提高掩模板整体的关键尺寸均一性。此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。可以理解的是，虽然本专利技术已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本专利技术。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本专利技术技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的
技术实现思路
对本专利技术技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本专利技术技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高光掩模板关键尺寸均一性的方法，其特征在于包括：第一步骤，用于执行初始掩模板版图设计；第二步骤，用于对设计出来的初始掩模板版图进行区块划分；第三步骤，用于计算初始掩模板版图各区块的曝光图形密度；第四步骤，用于根据各区块周边区域内的曝光图形密度分布确定各区块关键尺寸的调整幅度；第五步骤，用于根据所确定的各区块关键尺寸的调整幅度调整各区块的关键尺寸，以得到更新的掩模板版图；第六步骤，用于根据更新的掩模板版图执行掩模板制造。

【技术特征摘要】
1.一种提高光掩模板关键尺寸均一性的方法，其特征在于包括: 第一步骤，用于执行初始掩模板版图设计； 第二步骤，用于对设计出来的初始掩模板版图进行区块划分； 第三步骤，用于计算初始掩模板版图各区块的曝光图形密度； 第四步骤，用于根据各区块周边区域内的曝光图形密度分布确定各区块关键尺寸的调整幅度； 第五步骤，用于根据所确定的各区块关键尺寸的调整幅度调整各区块的关键尺寸，以得到更新的掩模板版图； 第六步骤，用于根据更新的掩模板版图执行掩模板制造。2.根据权利要求1所述的提高光掩模板关键尺寸均一性的方法，其特征在于，所述各区块周边区域是以该区块中心为圆心，以给定距离为半径的圆所覆盖的范围内的区域。3.根据权利要求2所述的提高光掩模板关键尺寸均一性的方法，其特征在于，所述的给定距离的范围是0.1mm至152.4mm。4.根据权利要求1或2所述的提高光掩模板关键尺寸均一性的方法，其特征在于，在所述第四步骤中，所述的各区块关键尺寸的调整幅度的范围是Inm至500nm。5.根据权利要求1或2所述的提高光掩模板关键尺寸均一性的方法，其特征在于，各区块周边区域内的曝光图形密度...

【专利技术属性】
技术研发人员：阚欢，魏芳，张旭升，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：