一种提高光掩模板关键尺寸均一性的方法技术

本发明专利技术提供了一种提高光掩模板关键尺寸均一性的方法，包括：第一步骤，用于执行初始掩模板版图设计；第二步骤，用于对设计出来的初始掩模板版图进行区块划分；第三步骤，用于计算初始掩模板版图各区块的曝光图形密度；第四步骤，用于根据各区块周边区域内的曝光图形密度分布确定各区块关键尺寸的调整幅度；第五步骤，用于根据所确定的各区块关键尺寸的调整幅度调整各区块的关键尺寸，以得到更新的掩模板版图；第六步骤，用于根据更新的掩模板版图执行掩模板制造。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，更具体地说，本专利技术涉及。
技术介绍
在集成电路制造工艺中，通常通过激光束或电子束将设计好的电路转移到掩模板上，再通过曝光的方式将掩模版上的图形转移到硅片上。但是，由于电子束易在光掩模基板表面与曝光腔体内反复反射(雾化效应)，导致曝光区域图形面积比重较大的区域的光阻比其他区域的光阻接受更多的电子。由此，在同样的曝光能量下，显影完后，正性光阻的掩模板曝光区域图形面积比重较大的区域光阻的关键尺寸较其他区域的区域光阻的关键尺寸小；负性光阻的掩模板则相反，即负性光阻的掩模板曝光区域图形面积比重较大的区域光阻的关键尺寸较其他区域的区域光阻的关键尺寸大。因此，希望提供一种能够解决由掩模板曝光时的雾化效应造成的关键尺寸均一性不良的问题，最终提升掩模板整体的关键尺寸均一性的技术方案。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够解决由掩模板曝光时的雾化效应造成的关键尺寸均一性不良的问题，最终提升掩模板整体的关键尺寸均一性的方法。为了实现上述技术目的，本专利技术提供了，其包括:第一步骤，用于执行初始掩模板版图设计；第二步骤，用于对设本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高光掩模板关键尺寸均一性的方法，其特征在于包括：第一步骤，用于执行初始掩模板版图设计；第二步骤，用于对设计出来的初始掩模板版图进行区块划分；第三步骤，用于计算初始掩模板版图各区块的曝光图形密度；第四步骤，用于根据各区块周边区域内的曝光图形密度分布确定各区块关键尺寸的调整幅度；第五步骤，用于根据所确定的各区块关键尺寸的调整幅度调整各区块的关键尺寸，以得到更新的掩模板版图；第六步骤，用于根据更新的掩模板版图执行掩模板制造。

【技术特征摘要】
1.一种提高光掩模板关键尺寸均一性的方法，其特征在于包括: 第一步骤，用于执行初始掩模板版图设计； 第二步骤，用于对设计出来的初始掩模板版图进行区块划分； 第三步骤，用于计算初始掩模板版图各区块的曝光图形密度； 第四步骤，用于根据各区块周边区域内的曝光图形密度分布确定各区块关键尺寸的调整幅度； 第五步骤，用于根据所确定的各区块关键尺寸的调整幅度调整各区块的关键尺寸，以得到更新的掩模板版图； 第六步骤，用于根据更新的掩模板版图执行掩模板制造。2.根据权利要求1所述的提高光掩模板关键尺寸均一性的方法，其特征在于，所述各区块周边区域是以该区块中心为圆心，以给定距离为半径的圆所覆盖的范围内的区域。3.根据权利要求2所述的提高光掩模板关键尺寸均一性的方法，其特征在于，所述的给定距离的范围是0.1mm至152.4mm。4.根据权利要求1或2所述的提高光掩模板关键尺寸均一性的方法，其特征在于，在所述第四步骤中，所述的各区块关键尺寸的调整幅度的范围是Inm至500nm。5.根据权利要求1或2所述的提高光掩模板关键尺寸均一性的方法，其特征在于，各区块周边区域内的曝光图形密度...

【专利技术属性】
技术研发人员：阚欢，魏芳，张旭升，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：