相偏移光罩的缺陷处理方法技术

本发明专利技术公开了一种相偏移光罩的缺陷处理方法，直接寻找缺陷，并进行刻蚀，之后进行第一次清洗和第二次清洗，分别将刻蚀液及缺陷处理后的残留物清洗掉，如此节省了大量的时间，同时，相偏移光罩的相位和穿透度在处理缺陷过程后不达标的可能性也降低了。此外，第一次清洗去除刻蚀液避免了第二次清洗时酸液与刻蚀液等发生反应形成新的缺陷，这对于缺陷数量少的相偏移光罩有着较高的处理效率，有利于高效生产。

Defect processing method for phase offset photomask

The invention discloses a processing method for defect phase shift mask, direct search for defects, and etching, after the first washing and second cleaning, respectively, etching solution and defect treatment of residue after washing off, so save a lot of time, at the same time, phase shifting masks and penetration in the treatment phase after the defective process also reduces the possibility of non-compliance. In addition, the first clean etching liquid to avoid second cleaning and acid etching liquid react to form new defects, the defects of the small number of phase shifting masks with high processing efficiency, is conducive to the efficient production.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造领域，特别涉及一种相偏移光罩的缺陷处理方法。
技术介绍
在半导体制程中，为了将所设计的电路转换成器件，必须要将图案形成在光罩上，之后通过光刻工艺将之形成在芯片上。对于一些电路图较细微的设计而言，必须要提高光罩上的分辨率，从而使得图案能够准确无误的转移到芯片上，才能够方便后续制程顺利的进行。目前，业内常用的方法为采用相偏移光罩（PhaseShiftMask，PSM），来提高分辨率。现有的相偏移光罩在制作过程中首先提供一石英基板，所述石英基板上形成有相移层，所述相移层上形成有铬（Cr）层，并在铬层上涂敷光刻胶，形成电路图案，之后经过刻蚀工艺形成光罩的图案区。在此过程中，位于图案区的铬是需要去除，而图案区周围的铬必须保留。但是在去除铬的步骤中，很容易去除不完全，形成残留缺陷，这对图案区有可能产生较大的影响，乃至于使得光罩不达标。请参考图1所示，其为现有工艺处理相偏移光罩的铬残留缺陷的流程图，现有工艺中对缺陷（铬残留缺陷）进行处理的方法主要包括：本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种相偏移光罩的缺陷处理方法，其特征在于，包括：提供待处理的相偏移光罩；通过对准设备找到缺陷；对所述缺陷进行刻蚀；对所述相偏移光罩进行第一次清洗；及对所述相偏移光罩进行第二次清洗。

【技术特征摘要】
1.一种相偏移光罩的缺陷处理方法，其特征在于，包括：
提供待处理的相偏移光罩；
通过对准设备找到缺陷；
对所述缺陷进行刻蚀；
对所述相偏移光罩进行第一次清洗；及
对所述相偏移光罩进行第二次清洗。
2.如权利要求1所述的相偏移光罩的缺陷处理方法，其特征在于，通过对
准设备找到缺陷之前，还包括如下工艺步骤：
采用保护模块保护所述相偏移光罩的外围区域。
3.如权利要求2所述的相偏移光罩的缺陷处理方法，其特征在于，所述保
护模块为塑料薄膜、塑料护垫或无尘布。
4.如权利要求1所述的相偏移光罩的缺陷处理方法，其特征在于，所述相
偏移光罩的缺陷数量小于等于5颗。
5.如权利要求4所述的相偏移光罩的缺陷处理方法，其特征在于，所述缺
陷的尺寸大于等于1μm。
6.如权利要求4所述的相偏移光罩的缺陷处理方法，其特征在于，所述缺
陷与所述相偏移光罩周围的铬间距大于等于2000μm。
7...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄金，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31