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本发明公开了一种相偏移光罩的缺陷处理方法，直接寻找缺陷，并进行刻蚀，之后进行第一次清洗和第二次清洗，分别将刻蚀液及缺陷处理后的残留物清洗掉，如此节省了大量的时间，同时，相偏移光罩的相位和穿透度在处理缺陷过程后不达标的可能性也降低了。此外，第...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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