太阳能电池模块修复装置与修复方法制造方法及图纸

技术编号:3776061 阅读:423 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种用以修复一太阳能电池模块的太阳能电池模块修复装置,其中此太阳能电池模块包括彼此串联的一第一太阳能电池以及一第二太阳能电池。太阳能电池模块修复装置包括一第一端子、一第二端子以及一电源供应装置。电源供应装置经由第一端子以及第二端子对这些太阳能电池施加一偏压信号。此偏压信号包括一正偏压部分以及一负偏压部分。负偏压部分具有依照时间排列的多个电压区段,每一电压区段的电压值为定值。较早产生的电压区段的电压值比较晚产生的电压区段的电压值大,该负偏压部分的持续时间大于该正偏压部分的持续时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种太阳能电池模块的制造设备与制造方法,尤其涉及一种用以修复 太阳能电池模块的太阳能电池模块修复装置及其修复方法。
技术介绍
随着世界各国对于绿色能源的重视,薄膜太阳能电池市场也随着各国的重视而快 速地成长。图1A至图1F绘示为现有技术的薄膜太阳能电池模块的工艺示意图。请参照 图1A,首先提供玻璃基板110,其中玻璃基板110的一表面具有一透明导电层(TC0)薄膜 120。请参照图1B,之后,经由激光剥除的方式,在透明导电层(TC0)薄膜120上形成多个开 口 P1,其中这些开口 P1将透明导电层(TC0)薄膜120划分为多个彼此分离的透明导电层 120a。请参照图1C,于这些透明导电层120a以及玻璃基板110上形成一光电转换层 (photovoltaic layer) 130o请参照图1D,经由激光剥除的方式,在光电转换层130上形 成多条开口 P2,其中这些开口 P2位于透明导电层120a上,并且暴露出部份的透明导电层 120a。请参照图1E,于光电转换层130以及透明导电层120a上形成一背电极薄膜140,其 中部分的形成背电极薄膜140的材质被填入开口 P2内,并且与透明导电层120a电性接触。 如图1F所示,经由激光剥除的方式,在背电极薄膜140上形成多条开口 P3,其中这些开口 P3位于透明导电层120a的上方、贯穿背电极薄膜140以及光电转换层130并且曝露出部分 的透明导电层120a。此外,这些开口 P3也将背电极薄膜140划分为多个彼此分离的背电极 层140a,以形成一薄膜太阳能电池模块100,其中薄膜太阳能电池模块100具有多个彼此串 连的太阳能电池100’。基于上述的工艺,现有技术却存在着下述的问题。请参照图2,图2为图1F的区域 Q的放大示意图。一般而言,光电转换层130是由一 P型半导体层132、一本质型半导体层 134 (又称为I型半导体层)以及一 N型半导体层136所堆栈而成,其中P型半导体层132 与透明导电层120a接触,并且本质型半导体层134被夹合于P型半导体层132与N型半导 体层136之间。在形成开口 P3的过程中,形成开口 P3的光电转换层130的壁面上往往会 因为激光功率不足或是激光头老化的问题等等而形成有多个半导体结晶150或残留未移 除的薄膜,进而降低了光电转换层130将光线转换为电能的能力。举例而言,当半导体结晶150或残留未移除的薄膜位于P型半导体层132与本质 型半导体层134的交界处,而造成P型半导体层132与本质型半导体层134电性短路时,半 导体结晶150或残留未移除的薄膜往往会降低薄膜太阳能电池模块100的发电能力。同样 地,当半导体结晶150或残留未移除的薄膜位于N型半导体层136与本质型半导体层134 的交界处,而造成N型半导体层136与本质型半导体层134电性短路时,半导体结晶150或 残留未移除的薄膜也会降低薄膜太阳能电池模块100的发电能力。有鉴于上述的问题,现有技术US 6228662B1以及US 6365825B1提出了利用焦耳 热效应的原理来氧化这些半导体结晶150或残留未移除的薄膜的技术,以修复薄膜太阳能4电池模块100并且恢复薄膜太阳能电池模块100的发电能力。然而,US 6228662 B1以及 US 6365825 B1却存在着修复时程过长的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种太阳能电池模块修复装置及其修复方法, 其可缩短修复太阳能电池模块的缺陷的时程。为实现上述目的,本专利技术所揭露的太阳能电池模块修复装置是用以修复一太阳能 电池模块。此太阳能电池模块包括彼此串联的一第一太阳能电池以及一第二太阳能电池。 此太阳能电池模块修复装置包括一第一端子、一第二端子以及一电源供应装置。第一端子 电性连接于第一太阳能电池的一第一电极层。第二端子电性连接于第二太阳能电池的一第 二电极层,其中第一电极层与第二电极层的极性相同。电源供应装置电性连接于第一端子 以及第二端子。电源供应装置产生一偏压信号。此偏压信号经由第一端子以及第二端子而 被传递至第一太阳能电池以及第二太阳能电池。此偏压信号包括一正偏压部分以及一负偏 压部分。正偏压部分的电压值大于零,负偏压部分的电压值小于零。负偏压部分具有依照 时间排列的多个电压区段。每一电压区段的电压值为定值。较早产生的电压区段的电压值 比较晚产生的电压区段的电压值大。负偏压部分的持续时间大于正偏压部分的持续时间。依照本专利技术的较佳实施例,上述的正偏压部分是产生于负偏压部分之后。较佳的 是,此偏压信号包括多个连续的负偏压部分,其中正偏压部分是产生于这些负偏压部分之 后。依照本专利技术的较佳实施例,上述的正偏压部分的电压值为一固定值。依照本专利技术的较佳实施例,上述电源供应装置为一直流电源产生器。依照本专利技术的较佳实施例,上述电源供应装置为一脉冲产生器。依照本专利技术的较佳实施例,上述负偏压部分的任一电压区段的电压值的绝对值不 超过第一太阳能电池以及第二太阳能电池的崩溃电压。依照本专利技术的较佳实施例,上述该正偏压部分的电压值不超过第一太阳能电池以 及与第二太阳能电池的开路电压值。依照本专利技术的较佳实施例,上述的太阳能电池模块修复装置也可以包括多个第一 端子以及多个第二端子。而且,为了实现上述目的,本专利技术所揭露的修复太阳能电池模块的修复方法包括 下述的步骤提供一太阳能电池模块,其包括彼此串联的一第一太阳能电池以及一第二太 阳能电池。将一第一端子电性连接于第一太阳能电池的一第一电极层,并且将一第二端子 电性连接于第二太阳能电池的一第二电极层,其中第一电极层与第二电极层的极性相同。 产生一偏压信号,并且经由第一端子以及第二端子将偏压信号传递至第一太阳能电池以及 第二太阳能电池。此偏压信号包括一正偏压部分以及一负偏压部分。正偏压部分的电压值 大于零,负偏压部分的电压值小于零。负偏压部分具有依照时间排列的多个电压区段。每 一电压区段的电压值为定值。较早产生的电压区段的电压值比较晚产生的电压区段的电压 值大。负偏压部分的持续时间大于正偏压部分的持续时间。依照本专利技术的较佳实施例,上述步骤的正偏压部分是产生于负偏压部分之后。较 佳的是,此偏压信号包括多个连续的负偏压部分,其中正偏压部分是产生于这些负偏压部分之后。依照本专利技术的较佳实施例,上述步骤的正偏压部分的电压值为一固定值。依照本专利技术的较佳实施例,上述步骤的负偏压部分的任一电压区段的电压值的绝 对值不超过第一太阳能电池以及与第二太阳能电池的崩溃电压。依照本专利技术的较佳实施例,上述步骤的正偏压部分的电压值不超过第一太阳能电 池以及第二太阳能电池的开路电压值。依照本专利技术的较佳实施例,上述步骤的太阳能电池模块更包括至少一第三太阳能 电池,第一太阳能电池经由这些第三太阳能电池与第二太阳能电池串连。较佳的是,这些第 三太阳能电池串连于第一太阳能电池与第二太阳能电池之间。而且,为实现上述目的,本专利技术所揭露的太阳能电池模块修复装置是用以修复一 太阳能电池模块。此太阳能电池模块包括彼此串联的一第一太阳能电池以及一第二太阳能 电池。此太阳能电池模块修复装置包括一第一端子、一第二端子以及一电源供应装置。第 一端子电性连接于第一太阳能电池的一第一电极层。第二端子电性连本文档来自技高网
...

【技术保护点】
一种太阳能电池模块修复装置,用以修复一太阳能电池模块,其特征在于,该太阳能电池模块包括彼此串联的一第一太阳能电池以及一第二太阳能电池,该太阳能电池模块修复装置包括:一第一端子,电性连接于该第一太阳能电池的一第一电极层;一第二端子,电性连接于该第二太阳能电池的一第二电极层,其中该第一电极层与该第二电极层的极性相同;以及一电源供应装置,电性连接于该第一端子以及该第二端子,该电源供应装置产生一偏压信号,该偏压信号经由该第一端子以及该第二端子被传递至该第一太阳能电池以及该第二太阳能电池,该偏压信号包括一正偏压部分以及一负偏压部分,该负偏压部分具有依照时间排列的多个电压区段,每一该些电压区段的电压值为定值,在先产生的该电压区段的电压值比在后产生的该电压区段的电压值大,该负偏压部分的持续时间大于该正偏压部分的持续时间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈俊亨陈颐承
申请(专利权)人:财团法人工业技术研究院
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1