半导体器件制造技术

本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括：绝缘层；绝缘层上的金属电阻图案；金属电阻图案的侧壁上的间隔物；以及与间隔物间隔开的栅接触，栅接触延伸到绝缘层中，其中绝缘层包括从其凸出的凸起，该凸起接触栅接触。

semiconductor device

The present disclosure relates to semiconductor devices. A semiconductor device includes an insulating layer; the metal resistance pattern layer on the insulating spacer; side wall metal resistance of the pattern; and spacers spaced gate contact, the gate contact extends to the insulating layer, the insulating layer including the protruding from the convex, the convex contact gate contact.

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
实施方式涉及半导体器件及其制造方法。
技术介绍
用杂质掺杂的多晶硅可以被用作半导体器件中使用的金属电阻图案。对于高性能的半导体器件，由于使用了金属栅极，因此可以执行通过使用金属来形成金属电阻图案的工艺。
技术实现思路
实施方式针对半导体器件及其制造方法。实施方式可以通过提供一种半导体器件来实现，该半导体器件包括：绝缘层；绝缘层上的金属电阻图案；金属电阻图案的侧壁上的间隔物；以及与间隔物间隔开的栅接触，栅接触延伸到绝缘层中，其中绝缘层包括从其凸出的凸起，凸起接触栅接触。实施方式可以通过提供一种半导体器件来实现，该半导体器件包括：包括第一区域和第二区域的衬底；第一区域中的栅结构；与栅结构相邻的源极/漏极区；接触源极/漏极区的栅接触；第二区域中的金属电阻图案；以及金属电阻图案的侧壁上的间隔物，其中栅结构和金属电阻图案在具有自衬底起的不同的高度的区域上。实施方式可以通过提供一种半导体器件来实现，该半导体器件包括：绝缘层；绝缘层上的金属电阻图案；金属电阻图案的侧壁上的间隔物；以及接触金属电阻图案的电阻图案接触，其中电阻图案接触包括第一下表面和第二下表面，第一下表面在与第二下表面的平面不本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：绝缘层；在所述绝缘层上的金属电阻图案；在所述金属电阻图案的侧壁上的间隔物；以及栅接触，其与所述间隔物间隔开，所述栅接触延伸到所述绝缘层内，其中所述绝缘层包括从其凸出的凸起，所述凸起接触所述栅接触。

【技术特征摘要】
2016.05.31 KR 10-2016-00668971.一种半导体器件，包括：绝缘层；在所述绝缘层上的金属电阻图案；在所述金属电阻图案的侧壁上的间隔物；以及栅接触，其与所述间隔物间隔开，所述栅接触延伸到所述绝缘层内，其中所述绝缘层包括从其凸出的凸起，所述凸起接触所述栅接触。2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述凸起围绕所述栅接触的至少一部分。3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述间隔物完全覆盖所述金属电阻图案的所述侧壁。4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘层包括按照所述间隔物的轮廓从所述间隔物的外侧壁的下边缘向下延伸的侧壁。5.如权利要求1所述的半导体器件，还包括接触所述金属电阻图案的电阻图案接触。6.如权利要求5所述的半导体器件，其中所述电阻图案接触穿过所述金属电阻图案并接触所述绝缘层。7.如权利要求5所述的半导体器件，其中所述电阻图案接触包括第一下表面和第二下表面，所述第一下表面在与所述第二下表面的平面不同的平面上。8.如权利要求7所述的半导体器件，其中：所述第一下表面接触所述间隔物，以及所述第二下表面接触所述金属电阻图案。9.如权利要求7所述的半导体器件，其中所述电阻图案接触穿过所述间隔物和所述金属电阻图案，使得：所述第一下表面接触所述绝缘层，以及所述第二下表面接触所述绝缘层并位于所述第一下表面与所述金属电阻图案之间。10.如权利要求7所述的半导体器件，其中与所述第二下表面至所述绝缘层相比，所述第一下表面更靠近所述绝缘层。11.如权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述绝缘层之下的源极/漏极区，其中所述栅接触穿过所述绝缘层并接触所述源极/漏极区。12.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔正宪，金永倬，严大耳，李宣姃，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR