具有沟槽结构的高容量硅电容器的制造方法技术
Manufacturing method of high capacity silicon capacitor with trench structure
The invention relates to a manufacturing method of a high-capacity silicon capacitor with a trench structure, which belongs to the technical field of capacitors. The main technical proposal is as follows: forming groove structure; repairing groove structure rough surface; trench insulation layer; laminated electrode layer and dielectric layer; etching electrode layer and dielectric layer; forming protective layer and connecting channel; forming external terminal. The electrode layer and dielectric layer are formed by continuous stacking method, and then the etching is carried out continuously to prevent the damage of the multilayer etching. The cross shaped groove structure can prevent the silicon column from falling; in addition, when the silicon capacitor is formed by the method of the invention, only one through hole operation is needed, and the operation cost is saved.
【技术实现步骤摘要】
具有沟槽结构的高容量硅电容器的制造方法
本专利技术涉及电容器
，具体为具有沟槽结构的高容量硅电容器的制造方法。
技术介绍
众所周知，为了制造出高容量的电容器，需要增加上、下部电极之间的有效面积，或增加两个电极之间介质层的介电常数，或减少介电层的厚度使两个电极之间的距离缩短。第一，为增加电极有效面积，最常用的方法是通过对基板进行狭深形状的蚀刻处理即使用沟槽(Trench)结构的方法。通常，沟槽结构的截面与“U”字形类似，另外，为了增加静电容量，将沟槽在硅基板上以一定间隔重复形成阵列(Array)。第二，使用介电常数较大的材料，通常会存在因为膜结构不够致密而导致泄漏电流的问题，尤其在沟槽等弯曲的结构中更加严重。由于介电常数较大，为使沟槽内部也能够形成均匀致密的薄膜，所以常使用低压化学气相沉积(LPCVD)法或原子层沉积(ALD)法。通常，电极层采用物理气相沉积(PVD)法或蒸发(evaporation)法进行沉积。虽然使用此类方法制成的膜结构具有致密、比电阻低等优点，但是在沟槽的纵横比(宽度和深度的比例)较高的情况下，很难在沟槽内部形成均匀的沉积。因此在高纵横比...
【技术保护点】
具有沟槽结构的高容量硅电容器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)形成沟槽结构；(2)修复沟槽结构粗糙表面；(3)形成沟槽绝缘层；(4)叠层电极层和介电层；(5)蚀刻电极层和介电层；(6)形成保护层和连接通道；(7)形成外部端子。
【技术特征摘要】
1.具有沟槽结构的高容量硅电容器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)形成沟槽结构；(2)修复沟槽结构粗糙表面；(3)形成沟槽绝缘层；(4)叠层电极层和介电层；(5)蚀刻电极层和介电层；(6)形成保护层和连接通道；(7)形成外部端子。2.如权利要求1所述的具有沟槽结构的高容量硅电容器的制造方法，其特征在于，所述的沟槽结构为‘十字型’。3.如权利要求1所述的具有沟槽结构的高容量硅电容器的制造方法，其特征在于，对沟槽结构蚀刻过程中发生损伤的硅表面进行修复。4.如权利要求1所述的具有沟槽结构的高容量硅电容器的制造方法，其特征在于，所述的介电层采用原子层沉积法获得，所述的介电层中包含硅元...
【专利技术属性】
技术研发人员：高在洪，
申请(专利权)人：宏衍微电子大连有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁,21
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