一种金属-氧化硅-金属电容器的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种金属-氧化硅-金属电容器的制作方法，其中，包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上沉积一层低介电常数介质层；在所述低介电常数介质层上制作一开口，所述开口为金属-氧化硅-金属形成区域；采用沉积步骤和含氧气体处理步骤循环进行的方式，在所述开口中沉积氧化硅，形成氧化硅层和低介电常数介质层的混合层；刻蚀所述氧化硅层，在所述氧化硅层中形成第一金属槽，并且刻蚀所述低介电常数介质层，在所述低介电常数介质层中形成第二金属槽；向所述第一金属槽和所述第二金属槽进行金属填充工艺。本发明专利技术有效地提高了层内电容器的电容，改善了电容器的击穿电压、漏电流等各电特性并提高了各器件间的电学均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子领域，尤其涉及ー种金属-氧化硅-金属电容器的制作方法。
技术介绍
电容器是集成电路中的重要组成单元，广泛运用于存储器，微波，射频，智能卡，高压和滤波等芯片中。在芯片中广为采用的电容器构造是平行于硅片衬底的金属-绝缘体-金属(MIM)。其中金属是制作エ艺易与金属互连エ艺相兼容的铜、铝等，绝缘体则是氮化硅、氧化硅等高介电常数(k)的电介质材料。改进高k电介质材料的性能是提高电容器性能的主要方法之一。等离子体增强型化学气相沉积方法(PECVD, Plasma Enhanced Chemical VaporD印osition )因其沉积温度低而被广泛用于金属互连エ艺中的薄膜沉积。例如，利用PEV⑶方法，通过硅烷和一氧化ニ氮反应生成氧化硅薄膜，然而，利用PECVD方法制作的氧化硅薄 膜内残留大量的硅氢键(Si-H)，使其内存在较多电荷，这导致该氮化硅薄膜在电性厚度方法的均匀性较差，利用该氧化硅薄膜制作的M頂电容器的击穿电压、漏电流等个电特性方面也相应较差。并且，随着芯片尺寸的減少，以及性能对大电容的需求，如何在有限的面积下获得高密度的电容成为ー个非常有吸引力的课题。随着半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属？氧化硅？金属电容器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：？？提供一衬底；？？在所述衬底上沉积一层低介电常数介质层；？？在所述低介电常数介质层上制作一开口，所述开口为金属？氧化硅？金属形成区域；？？采用沉积步骤和含氧气体处理步骤循环进行的方式，在所述开口中沉积氧化硅，形成氧化硅层和低介电常数介质层的混合层；？？刻蚀所述氧化硅层，在所述氧化硅层中形成第一金属槽，并且刻蚀所述低介电常数介质层，在所述低介电常数介质层中形成第二金属槽？；？？向所述第一金属槽和所述第二金属槽进行金属填充工艺。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：毛智彪，胡友存，徐强，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：