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本发明公开了一种金属-氧化硅-金属电容器的制作方法，其中，包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上沉积一层低介电常数介质层；在所述低介电常数介质层上制作一开口，所述开口为金属-氧化硅-金属形成区域；采用沉积步骤和含氧气体处理步骤循环进行的方式...
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