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本发明涉及具有沟槽结构的高容量硅电容器的制造方法，属于电容器技术领域。主要技术方案如下：形成沟槽结构；修复沟槽结构粗糙表面；沟槽绝缘层；叠层电极层和介电层；蚀刻电极层和介电层；形成保护层和连接通道；形成外部端子。本发明采用连续叠层的方法形成...
该专利属于宏衍微电子（大连）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宏衍微电子（大连）有限公司授权不得商用。

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