具有沟槽结构的高容量硅电容器制造技术

本实用新型专利技术涉及具有沟槽结构的高容量硅电容器，属于电容器技术领域。主要技术方案如下：在硅基板上蚀刻沟槽结构，所述的沟槽结构为“十字型”，所述沟槽结构的纵横比为(10‑50):1；在所述沟槽结构上依次为沟槽绝缘层、第1电极层、第1介电层、第2电极层、第2介电层、第3电极层、第3介电层、第4电极层，第4电极层上方为保护层，所述的第1电极层、第3电极层通过外部端子种晶层A连接外部端子A。本实用新型专利技术提供的硅电容器，采用十字型沟槽结构，具有容量大的特点，并且各电极层及介电层的在蚀刻过程中不会有任何的损伤，电极层与外部端子通过种晶层进行连接，结构相对简单，生产制造成本低。

High capacity silicon capacitor with groove structure

The utility model relates to a high capacity silicon capacitor with a trench structure, which belongs to the technical field of capacitors. The main technical scheme is as follows: the groove structure is etched on the silicon substrate, the groove structure is \cross type\, the longitudinal and transverse ratio of the groove structure is (10) 50: 1; in the groove structure, the trench insulation layer, the first electrode layer, the first dielectric layer, the second electrode layer, the second dielectric layer, the third electrode layer, the third dielectric layer, and the groove structure are in turn. The fourth electrode layer is a protective layer above the fourth electrode layer, and the first electrode layer and the third electrode layer are connected to the external terminal A through the external terminal seed layer A. The silicon capacitor provided by the utility model adopts the cross groove structure with large capacity, and the electrode layer and the dielectric layer will not have any damage during the etching process. The electrode layer and the external terminal are connected through the seed layer, and the structure is relatively simple and the production cost is low.

【技术实现步骤摘要】
具有沟槽结构的高容量硅电容器
本技术涉及电容器
，具体为一种具有沟槽结构的高容量硅电容器。
技术介绍
众所周知，为了制造出高容量的电容器，需要增加上、下部电极之间的有效面积，或增加两个电极之间介质层的介电常数，或减少介电层的厚度使两个电极之间的距离缩短。第一，为增加电极有效面积，最常用的方法是通过对基板进行狭深形状的蚀刻处理即使用沟槽(Trench)结构的方法。通常，沟槽结构的截面与“U”字形类似，另外，为了增加静电容量，将沟槽在硅基板上以一定间隔重复形成阵列(Array)。第二，使用介电常数较大的材料，通常会存在因为膜结构不够致密而导致泄漏电流的问题，尤其在沟槽等弯曲的结构中更加严重。由于介电常数较大，为使沟槽内部也能够形成均匀致密的薄膜，所以常使用低压化学气相沉积(LPCVD)法或原子层沉积(ALD)法。通常，电极层采用物理气相沉积(PVD)法或蒸发(evaporation)法进行沉积。虽然使用此类方法制成的膜结构具有致密、比电阻低等优点，但是在沟槽的纵横比(宽度和深度的比例)较高的情况下，很难在沟槽内部形成均匀的沉积。因此在高纵横比情况下，常使用低压化学气相沉积法的多晶硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
具有沟槽结构的高容量硅电容器，其特征在于，在硅基板(401)上蚀刻沟槽结构，所述的沟槽结构为“十字型”，所述沟槽结构的纵横比为(10‑50):1；在所述沟槽结构上依次为沟槽绝缘层(402)、第1电极层(403)、第1介电层(404)、第2电极层(405)、第2介电层(406)、第3电极层(407)、第3介电层(408)、第4电极层(409)，第4电极层(409)上方为保护层(410)，所述的第1电极层(403)、第3电极层(407)通过外部端子种晶层A(413)连接外部端子A(414)，所述的第2电极层(405)、第4电极层(409)通过外部端子种晶层B(411)连接外部端子B(412)。

【技术特征摘要】
1.具有沟槽结构的高容量硅电容器，其特征在于，在硅基板(401)上蚀刻沟槽结构，所述的沟槽结构为“十字型”，所述沟槽结构的纵横比为(10-50):1；在所述沟槽结构上依次为沟槽绝缘层(402)、第1电极层(403)、第1介电层(404)、第2电极层(405)、第2介电层(406)、第3电极层(407)、第3介电层(408)、第4电极层(409)，第4电极层(409)上方为保护层(410)，所述的第1电极层(403)、第3电极层(407)通过外部端子种晶层A(413)连接外部端子A(414)，所述的第2电极层(405)、第4电极层(409)通过外部端子种晶层B(411)连接外部端子B(412)。2.如权利要求1所述的具有沟槽结构的高容量硅电容器，其特征在于，所述沟槽结构的硅柱子长(104)与硅柱子宽(103)的长度之比为2，相邻硅柱子间隔(105)与硅柱子宽(103)的长度相同。3.如权利要求1所述的具有沟槽结构的高容量硅电容器，其特征在于，所述沟槽结构的纵横比为30:1。4.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：高在洪，
申请(专利权)人：宏衍微电子大连有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁,21