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本实用新型涉及具有沟槽结构的高容量硅电容器，属于电容器技术领域。主要技术方案如下：在硅基板上蚀刻沟槽结构，所述的沟槽结构为“十字型”，所述沟槽结构的纵横比为(10‑50):1；在所述沟槽结构上依次为沟槽绝缘层、第1电极层、第1介电层、第2电...
该专利属于宏衍微电子（大连）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宏衍微电子（大连）有限公司授权不得商用。

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