The present invention provides a method of integration, including: Hot lithography process is provided with a plurality of lithography process hot graphics library; to the lithography process hot as the center, part of the interception of each of the corresponding graphics lithography process hot, hot forming primary graphics library; the definition of integration rules, the same pattern is removed the primary hot in the graphic library or similar graphics, the graphics library of the primary intermediate hot hot graphics library integrated uncompressed compression; definition rules, set constraints, grouping of similar graphics, the graphics library for advanced intermediate hot compressed hot graphics library. In the invention, the matching precision of the final compressed version of the advanced hot spot library is not reduced, and the hot spots are not missing. In addition, the invention can integrate and compress tens of tens of millions of hot spots in the hot graph library, and finally generate a graph library with a number of hot spots within 1000 level, so as to reduce the number of hot spots and facilitate further effective management of hot spots.
【技术实现步骤摘要】
光刻工艺热点的整合方法
本专利技术涉及光刻
,尤其涉及一种光刻工艺热点的整合方法。
技术介绍
版图光刻工艺热点检测是可制造性设计(DesignForManufacture,DFM)中的一项重要技术。通常使用光学模型、光阻模型、光学邻近修正程序以及光刻工艺热点检测规则组成套件对设计图形进行光刻友善行检查(LithographyFriendlyCheck,LFC),产生工艺热点标记以及硅片模拟图形。其中,我们需要对设计图形先进行光学邻近修正,然后进行工艺窗口范围内的图形模拟,预测工艺窗口范围内的模拟图形大小,并对此进行规则检查,找到违反规则的设计位置。但随着技术节点的推进,集成电路的设计版图数据量变得越来越大,光刻工艺热点数量也越来越多,检查时间变得越来越长。为了准确且快速的定位光刻工艺热点,设计者需要制造者提供版图图形热点库(PatternMatchingDatabase,PMDB)。基于图形热点库的图形匹配的方式是目前业界公认最快的版图热点查找方式。对于制造者而言,需要一种有效的版图热点收集方法流程。这种方法流程能够将数以千万计的版图工艺热点进行归类压缩。
技术实现思路
本专利技术的目的在于,提供一种光刻工艺热点的整合方法,有利于对设计版图进行检查。为了实现上述目的,本专利技术提供一种光刻工艺热点的整合方法,包括:提供具有多个光刻工艺热点的图形库;以所述光刻工艺热点为中心,截取每个所述光刻工艺热点对应图形的部分区域,形成初级热点图形库;定义整合规则,去除所述初级热点图形库中的相同图形或相近图形,将所述初级热点图形库整合成未压缩的中级热点图形库;定义压缩规 ...
【技术保护点】
一种光刻工艺热点的整合方法,其特征在于,包括:提供具有多个光刻工艺热点的图形库;以所述光刻工艺热点为中心,截取每个所述光刻工艺热点对应图形的部分区域,形成初级热点图形库;定义整合规则,去除所述初级热点图形库中的相同图形或相近图形,将所述初级热点图形库整合成未压缩的中级热点图形库;定义压缩规则,设定约束条件、归类相似图形,将所述中级热点图形库压缩为高级热点图形库。
【技术特征摘要】
1.一种光刻工艺热点的整合方法,其特征在于,包括:提供具有多个光刻工艺热点的图形库;以所述光刻工艺热点为中心,截取每个所述光刻工艺热点对应图形的部分区域,形成初级热点图形库;定义整合规则,去除所述初级热点图形库中的相同图形或相近图形,将所述初级热点图形库整合成未压缩的中级热点图形库;定义压缩规则,设定约束条件、归类相似图形,将所述中级热点图形库压缩为高级热点图形库。2.如权利要求1所述的光刻工艺热点的整合方法,其特征在于,截取每个所述光刻工艺热点对应图形大小相同的部分区域。3.如权利要求1所述的光刻工艺热点的整合方法,其特征在于,以所述光刻工艺热点为中心,截取每个所述光刻工艺热点对应图形的正方形区域。4.如权利要求1所述的光刻工...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱忠华,王伟斌,
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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