A method of realizing ASML different types of lithography, etching, the method comprises the following steps: (1) take a piece of ASML standard mask; (2) take another ASML standard mask; (3) using a special 4 inch GaAs wafer, focal plane parameters calibration of ASML scan lithography; (4) using 4 inch GaAs wafer, the surface coating of photoresist; (5) ASML scan lithography in step (4) on the GaAs wafer were exposed and the first alignment mark graphic layer overlay graphics matching; (6) after exposure to GaAs wafer developing, developing after dry etching; removal the photoresist after re coated with photoresist steps (4) the same; (7) ASML stepper in GaAs wafer exposure second layer overlay, graphics, the set of two sets of equipment,. Advantages: 1) simple and easy to do; 2) flexible engraving.
【技术实现步骤摘要】
一种实现ASML不同型号光刻机套刻匹配的方法
本专利技术涉及的是一种实现ASML步进式光刻机和ASML扫描式光刻机套刻匹配的方法,在4英寸GaAs圆片上实施。属于半导体
技术介绍
作为第二代半导体材料,GaAs具有电子迁移率高、禁带宽度宽、工作温度范围大、微波传输性能好等特点,因而基于GaAs衬底的单片微波集成电路具有电路损耗小、噪声低、频带宽、功率大、抗电磁辐射能力强等优点,使得其在军用电子装备和民用电子产品上得到广泛应用。在GaAs单片微波集成电路的生产过程中,光刻是最为关键的一道工艺步骤。光刻的精度和质量将直接影响器件的性能指标,同时也是影响器件成品率和可靠性的重要因素。荷兰的光刻机龙头企业ASML,在多年的发展下,曝光模式由步进式(Stepper)上升至扫描式(Scanner),乃至双扫描(Twin-scan),曝光能量由I线变成深紫外(DUV),甚至极紫外(EUV),GaAs器件所能达到的极限尺寸不断缩小;一般说来,GaAs器件要经历数层的光刻工艺,根据器件的性能需求,每层的关键尺寸不尽相同,采用高性能的扫描式(Scanner)曝光设备,尽管完全可以进行全部图层的曝光,但高昂的设备价格不得不列入光刻机选择的重要因素之一;实际上,选用ASML较高系列的光刻机执行关键层的曝光工艺,而选用较低系列的光刻机执行非关键层的曝光工艺,这种混合匹配曝光的方式更能高效发挥各系列光刻机的性能,并同时降低设备成本。光刻机的套刻匹配,可以分为不同型号光刻机的异机套刻匹配和同型号不同系列光刻机的套刻匹配;不同型号的光刻机,由于曝光镜头的性能差异较大,在曝光相同 ...
【技术保护点】
一种实现ASML步进式光刻机和ASML扫描式光刻机套刻匹配的方法,其特征是该方法包括如下步骤:(1)使用一块ASML标准掩膜版,该掩膜版包含用于圆片对准的标记图形;(2)使用另一块ASML标准掩膜版,该掩膜版包含用于步进式光刻机和扫描式光刻机套刻匹配的图形;(3)使用专用4英寸GaAs圆片,校准ASML扫描式光刻机的焦平面各项参数;(4)选用4英寸GaAs圆片,表面涂盖光刻胶;(5)ASML扫描式光刻机利用步骤(1)及步骤(2)中的掩膜版在步骤(4)所述的GaAs圆片上分别曝光对准标记图形和第一层套刻匹配图形;(6)曝光后GaAs圆片显影,显影后干法刻蚀;去除光刻胶后,重新涂盖与步骤(4)相同的光刻胶;(7)ASML步进式光刻机利用步骤(2)中的掩膜版在GaAs圆片上曝光第二层套刻匹配图形,显影后测试两层的套刻精度误差,软件自动补偿ASML步进式光刻机的相关参数,实现两台设备的套刻匹配。
【技术特征摘要】
1.一种实现ASML步进式光刻机和ASML扫描式光刻机套刻匹配的方法,其特征是该方法包括如下步骤:(1)使用一块ASML标准掩膜版,该掩膜版包含用于圆片对准的标记图形;(2)使用另一块ASML标准掩膜版,该掩膜版包含用于步进式光刻机和扫描式光刻机套刻匹配的图形;(3)使用专用4英寸GaAs圆片,校准ASML扫描式光刻机的焦平面各项参数;(4)选用4英寸GaAs圆片,表面涂盖光刻胶;(5)ASML扫描式光刻机利用步骤(1)及步骤(2)中的掩膜版在步骤(4)所述的GaAs圆片上分别曝光对准标记图形和第一层套刻匹配图形;(6)曝光后GaAs圆片显影,显影后干法刻蚀;去除光刻胶后,重新涂盖与步骤(4)相同的光刻胶;(7)ASML步进式光刻机利用步骤(2)中的掩膜版在GaAs圆片上曝光第二层套刻匹配图形,显影后测试两层的套刻精度误差,软件自动补偿ASML步进式光刻机的相关参数,实现两台设备的套刻匹配。2.根据权利要求1所述的一种实现ASML步进式光刻机和ASML扫描式光刻机套刻匹配的方法,其特征是所述的步骤(3)中ASML扫描式光刻机焦平面参数的调整采用的是ASML光刻机设备调试的流程。3.根据权利要求1所述的一种实现ASML步进式光刻机和ASML扫描式光刻机套刻匹配的方法,其特征是该套刻匹配是在4英寸的GaAs圆片上实现的。4.根据权利要求1所述的一种实现ASML步进...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘磊,殷履文,李永康,王溯源,王发稳,夏久龙,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第五十五研究所,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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