一种半导体工艺中金属钯无氰腐蚀的方法技术

本申请公开了半导体工艺中金属钯无氰腐蚀的方法，包括以下步骤：Pd沉积，待腐蚀区域制备待腐蚀区域制备；预清洗；一次氧化(臭氧预处理)；二次氧化(FeCl<subgt;3</subgt;氧化)；酸洗；螯合剂后处理，在FeCl<subgt;3</subgt;一次氧化腐蚀的基础上，提出了增加臭氧二次氧化处理过程，通过上述两步氧化处理，使表层Pd充分形成氧化层，更易于溶解在酸性溶液中，进而实现金属Pd的有效无氰腐蚀。通过螯合剂后处理，能够有效减少表面Pd离子难溶物残留，上述过程所用试剂不包含氰化物及其他重金属盐离子试剂，是一种清洁环保的腐蚀工艺，操作简便，工艺可控，对于半导体蚀法腐蚀工艺的优化发展具有重要意义。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体工艺，特别是涉及一种半导体工艺中金属钯无氰腐蚀的方法。

技术介绍

1、半导体技术作为信息时代的核心基石，是科技自立和经济高质量增长的重要驱动力，而随着芯片特征尺寸从微米量级发展到纳米量级，集成电路中晶体管尺寸的缩减逐渐接近硅原子的物理极限。相比于传统硅基晶体管受制于材料、载流子漂移速度、沟道长度、寄生效应等问题，碳基低维材料凭借优良的电学性能、稳定的结构成为后摩尔时代最理想的半导体材料。区别于传统体材料半导体，低维碳基材料与金属的接触性质决定了器件的性能，因此接触金属研究成为研究热点之一。

2、金属与半导体接触主要包含两种方式，分别是欧姆接触和肖特基接触。欧姆接触中金属与半导体之间不存在势垒，载流子可以顺利从金属流入半导体，传统的接触金属主要包括al、al-cu、ag、au、pt、sn、ni、ti等。由于碳基材料的特殊性质，与其功函数接近的金属更容易减小二者之间的势垒差，因此碳基材料常见的接触金属包括co、au、

3、ti、pd等，与传统接触金属au相比，pd与碳基材料具有更接近的功函数，此外，pd的颗粒度更小，可以本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体工艺中金属钯无氰腐蚀的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种半导体工艺中金属钯无氰腐蚀的方法，其特征在于：第三步中一次氧化过程通过臭氧预处理样品表面，使表面Pd形成一层超薄PdO2/Pd2O3，作为二次氧化的前驱体，其中臭氧发生器工作温度为90～120℃，臭氧发生时间为500～2000ms，吹扫样品表面时间为5～10s，重复2～5个循环。

3.根据权利要求1所述的一种半导体工艺中金属钯无氰腐蚀的方法，其特征在于：所述第四步中采用HCl/FeCl3溶液对金属Pd进行二次氧化，PdO2/Pd2O3首先与HCl反应，逐步转化为PdC...

【技术特征摘要】

1.一种半导体工艺中金属钯无氰腐蚀的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种半导体工艺中金属钯无氰腐蚀的方法，其特征在于：第三步中一次氧化过程通过臭氧预处理样品表面，使表面pd形成一层超薄pdo2/pd2o3，作为二次氧化的前驱体，其中臭氧发生器工作温度为90～120℃，臭氧发生时间为500～2000ms，吹扫样品表面时间为5～10s，重复2～5个循环。

3.根据权利要求1所述的一种半导体工艺中金属钯无氰腐蚀的方法，其特征在于：所述第四步中采用hcl/fecl3溶液对金属pd进行二次氧化，pdo2/pd2o3首先与hcl反应，逐步转化为pdcl2和pdcl3；在pdo2/pd2o3与hcl反应的诱导下，fe3+与氧化层下的pd氧化反应，形成pd2+或pd3+溶解于溶液中，实现pd的腐蚀溶解；此外，hcl还可以防止fecl3水解，fecl3溶液浓度为200～300g/l，每100ml溶液中需加入15～20mlhcl，所述金属pd包含前驱体pdo2和pd2o3。

4.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵培均，杨杨，李忠辉，霍帅，张勇，曹正义，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：