温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请公开了半导体工艺中金属钯无氰腐蚀的方法，包括以下步骤：Pd沉积，待腐蚀区域制备待腐蚀区域制备；预清洗；一次氧化(臭氧预处理)；二次氧化(FeCl<subgt;3</subgt;氧化)；酸洗；螯合剂后处理，在FeCl<...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。