超大规模集成电路多层铜布线用化学机械全局平面化抛光液制造技术

技术编号:1652181 阅读:227 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种超大规模集成电路多层铜布线用化学机械全局平面化抛光液,其组成成分是:(重量%)磨料18~50,螯合剂0.1~10,络合剂0.005~25,活性剂0.1~10,氧化剂1~20,余量为去离子水。该抛光液损伤小、平整度高、易清洗;不腐蚀设备,不污染环境;选择性强,速率高;价格便宜,成本低。用于超大规模集成电路多层铜布线化学机械全局平面化抛光。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于一种抛光剂,特别涉及一种超大规模集成电路多层铜布线用化学机械全局平面化抛光液。本专利技术的
技术介绍
随着微电子技术的发展,甚大规模集成电路芯片集成度已高达几十亿个元器件,特征尺寸已进入纳米级,这就要求微电子工艺中的近百道工序,尤其是多层布线(最高已达10多层)、衬底、介质必须进行化学机械全局平整化,而化学机械抛光是已被证明的最好的平整化方法。甚大规模集成电路多层布线金属正由传统的Al向Cu转化,Cu布线与Al布线相比,电阻率低,抗电迁移率高,RC延迟时间短;可使布线层数减少一半,成本降低30%,加工时间缩短40%。Cu布线的优势已引起了研究人员和工业界的广泛关注,从1991年开始,美国的Cabot、IBM、Motorola,法国的LETI、CNET,德国的FRAUNHOFER及日本Fujimi、住友化学工业公司、台湾地区等都进行封闭性研究,呈现出激烈的竞争势头。但化学机械抛光动力学过程和相关机理未能搞清,尤其是达到高选择性、高速率。以硅为衬底的集成电路,通过金属导线互联,将元器件互联形成功能电路和部件。随着集成度的迅速增加,为了保证φ200nm硅衬底上进行高质量光刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超大规模集成电路多层铜布线用化学机械全局平面化抛光液,其特征在于:抛光液的组成成分如下:(重量%) 磨料 18~50, 螯合剂 0.1~10, 络合剂 0.005~25, 活性剂 0.1~10, 氧化剂 1~20, 去离子水 余量。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:刘玉岭王新檀柏梅张楷亮刘纳
申请(专利权)人:河北工业大学
类型:发明
国别省市:12[中国|天津]

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