超大规模集成电路铝布线抛光液制造技术

本发明专利技术公开了一种化学作用强、去除速率快、无污染、无划伤、易清洗且成本低的超大规模集成电路多层铝布线碱性抛光液。抛光液成分和重量％比组成如下：ｐＨ值调节剂１－１０、硅溶胶１０－９０、表面活性剂０．５－５、氧化剂０．５－５、去离子水为余量。本发明专利技术为碱性条件下强络合、强化学作用的方法，在压力一致的情况下，表面各处化学反应和研磨速率一致性好，同时选用高浓度小粒径ＳｉＯ↓［２］溶胶作为抛光液磨料，解决了Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］磨料硬度大易划伤、易沉淀等诸多弊端，加入醚醇类活性剂，加速铝线表面反应物和生成物的质量传递，现了高速率，低粗糙，低成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化学机械抛光
，特别是涉及一种用于超大规模集成电路铝布线的抛光液。
技术介绍
在ULSI多层铝布线的化学机械抛光中，全局和局部平整度十分重要。随着衬底尺寸由Φ200mm向Φ300mm发展，抛光后的表面平整度、粗糙度对抛光后铝线表面状态的的影响越来越大。表面平整度、粗糙度直接影响到铝的下一层布线，影响电路的击穿特性、界面态和少子寿命，直接关系到IC器件的性能质量和成品率。特征尺寸在0.13μm以上集成电路，铝CMP工艺是多层布线工艺中非常重要的一个环节，必须对介层洞外残留的铝进行CMP，达到全局平面化要求，这样才能继续在上面布线，如果铝CMP的技术不能达到要求的话，就会导致导线断裂。铝抛光液依成分、pH值等条件的不同各有优缺点。由于酸性浆料可溶性较好、酸性范围内氧化剂较多、抛光速率快，最先发展的是酸性浆料，如氧化剂Fe(NO3)3，H2O2和KIO3。pH值一般低于4，由于抛光设备都是金属材料制成，所以酸性抛光液对抛光设备腐蚀很严重，降低了使用寿命，而且会引起金属离子沾污，影响器件的性能；此外，酸性抛光液通常使用的是Al2O3磨料，它的粘度大，抛光后产物会粘在器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超大规模集成电路铝布线抛光液，其特征是，所述抛光液成分和重量％比组成如下：ｐＨ值调节剂１－１０；硅溶胶１０－９０；表面活性剂０．５－５；氧化剂０．５－５；去离子水余量。

【技术特征摘要】
1.一种超大规模集成电路铝布线抛光液，其特征是，所述抛光液成分和重量％比组成如下pH值调节剂 1-10； 硅溶胶 10-90；表面活性剂 0.5-5； 氧化剂 0.5-5；去离子水余量。2.根据权利要求1所述的超大规模集成电路铝布线抛光液，其特征是，所述抛光液成分和重量％比组成如下pH值调节剂 4-8.5；硅溶胶 50-85；表面活性剂 1.5-4.5； 氧化剂 1.5-4；去离子水余量。3.根据权利要求1所述的超大规模集成电路铝布线抛光液，其特征是，所述硅溶胶是粒径15～40nm的SiO2溶胶，其浓度1％～50％。4.根据权利要求1所述的超大规模集成电路铝...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘玉岭，牛新环，
申请(专利权)人：河北工业大学，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]