抛光组合物及使用它的抛光方法技术

一种抛光组合物，它包含：（ａ）至少一种选自二氧化硅和氧化铝的研磨剂；（ｂ）至少一种有机化合物，它选自聚环氧乙烷、聚环氧丙烷、聚氧乙烯烷基醚、聚氧丙烯烷基醚、聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚和由式（１）表示的具有Ｃ≡Ｃ三键的聚氧化烯加聚物：其中Ｒ↓［１］－Ｒ↓［６］各是Ｈ或Ｃ↓［１－１０］烷基，Ｘ和Ｙ各是乙烯氧基或丙烯氧基，ｍ和ｎ各是１－２０的正整数；（ｃ）至少一种选自柠檬酸、草酸、酒石酸、甘氨酸、α－丙氨酸和组氨酸的加速抛光的化合物；（ｄ）至少一种选自苯并三唑、苯并咪唑、三唑、咪唑和甲苯三唑的防腐蚀剂；（ｅ）过氧化氢；以及（ｆ）水。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用来抛光半导体、光掩模和各种存储硬盘的基材的抛光组合物，具体涉及一种例如在半导体工业中用来抛光器件晶片的表面使之平整的抛光组合物。更具体地说，本专利技术涉及这样一种抛光组合物，在对半导体器件应用所谓的化学机械抛光技术的抛光步骤中，在加工器件晶片的过程中，它的效率高，选择性高，并可用来形成优良的抛光表面；还涉及采用该组合物的抛光方法。
技术介绍
包括电脑的所谓高技术产品近年来进展很大，用于这些产品的部件例如ULSI器件，已逐年被开发出来，以便达到高集成度和高速度。伴随着这些进展，半导体器件的设计尺度逐年精细化，在制造器件的过程中，聚焦深度日益变浅，形成图案的表面的平整化要求也就越来越严格。另外，为了对付由于在器件上布线细化导致的线路电阻增大问题，研究了采用铜代替钨或铝作为布线材料。根据其本性，铜几乎不能通过各向异性侵蚀进行加工，因此它需要下述加工。即在绝缘层上形成布线的凹槽和通道之后，通过喷镀或电镀形成铜线(所谓的金属镶嵌方法)，接着，将沉积在绝缘层上不需要的铜层用化学机械抛光(下面称为CMP)法除去，化学机械抛光是机械抛光和化学抛光的结合。但是，在这种加工中也可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抛光组合物，它包含： （ａ）至少一种选自二氧化硅和氧化铝的研磨剂； （ｂ）至少一种有机化合物，它选自聚环氧乙烷、聚环氧丙烷、聚氧乙烯烷基醚、聚氧丙烯烷基醚、聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚和由式（１）表示的具有Ｃ≡Ｃ三键的聚氧化烯加聚物： Ｒ↓［１］Ｏ－（Ｘ）↓［ｍ］－＊－Ｃ≡Ｃ－＊－（Ｙ）↓［ｎ］－ＯＲ↓［２］ 其中Ｒ↓［１］－Ｒ↓［６］各是Ｈ或Ｃ↓［１－１０］烷基，Ｘ和Ｙ各是乙烯氧基或丙烯氧基，ｍ和ｎ各是１－２０的正整数， （ｃ）至少一种选自柠檬酸、草酸、酒石酸、甘氨酸、α－丙氨酸和组氨酸的加速抛光的化合物； （ｄ）至少一种选自苯并三唑、苯并咪唑、三唑、咪唑和...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：酒井谦儿，玉井一诚，北村忠浩，松田刚，伊奈克芳，
申请(专利权)人：不二见株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]