用于抛光铜基金属的浆制造技术

一种用于抛光铜基金属的浆，包括二氧化硅抛光材料，氧化剂，氨基酸，三唑类化合物和水，其中，所述氨基酸与所述三唑类化合物的含量比（氨基酸／三唑类化合物（重量比））为５－８。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
用于抛光铜基金属的浆
本专利技术涉及一种用于抛光铜基金属的浆，它适用于在形成半导体器件的包埋型铜基金属互连时所进行的化学机械抛光。
技术介绍
在制造半导体集成电路，比如日趋小型化、更集成化、处理速度更高的超大规模集成电路过程中，铜是用来构筑性能良好、可靠性高的互连的特别有用的电连接材料，因为它电阻小，耐电迁移和应力迁移的性能好。因为难以通过干腐蚀将铜加工成型，因此，铜的互连目前是通过所谓的金属镶嵌法(damascene method)，例如，通过以下的方式：首先，在硅基片上形成的绝缘膜上形成凹陷部分，如凹槽或连接孔。然后，在包括该凹陷部分的内侧的表面上形成阻挡金属膜之后，通过电镀法使铜膜生长从而填满该凹陷部分。之后通过化学机械抛光法(以下称为“CMP”)进行抛光直到除凹陷部分外的绝缘膜的表面完全裸露，从而使表面被平坦化。这样，形成了电连接部分如包埋铜互连，通道插头(via plug)或接触插头(contact plug)，它是由埋入凹部的铜构成的，介于其间的是阻挡金属膜。对于形成这类铜互连所使用的CMP浆来说，通常使用的浆包含氧化剂和抛光材料作为主要成分，另外还包括有机酸，如氨基酸本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于抛光铜基金属的浆，包括二氧化硅抛光材料，氧化剂，氨基酸，三唑类化合物和水，其中，所述氨基酸与所述三唑类化合物的含量比(氨基酸/三唑类化合物(重量比))为5-8。2.根据权利要求1的用于抛光铜基金属的浆，其中所述氨基酸为甘氨酸。3.根据权利要求1的用于抛光铜基金属的浆，其中所述三唑类化合物...

【专利技术属性】
技术研发人员：土屋泰章，井上智子，樱井伸，青柳健一，板仓哲之，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，东京磁气印刷株式会社，
类型：发明
国别省市：