一种中性抛光浆及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种中性抛光浆及其制备方法，中性浆料的成分为一种中性抛光浆质量组分：原料15-30％、悬浮剂0.5-5％、表面活性剂0.5-5％、硫酸盐0.05-2％、消泡剂0.01-1％、水57-83.94％。本发明专利技术的抛光浆料为中性，减少了酸碱性抛光浆料对人体的腐蚀伤害，也减少了对地下水的污染，减少对环境的影响；另外本抛光浆料的过程简单、原料易得，成本低，具有较高的应用价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种抛光浆，特别涉及一种中性抛光浆及其制备方法。
技术介绍
随着半导体工业的飞速发展，超大集成电路正朝向集成度提高、晶片直径增大、特征尺寸减少等方向发展，CMP工艺重要性尤显突出，而CMP关键技术之一是选择和配制一种高质量高效率的抛光浆料。目前市场上的抛光浆属于酸性或者碱性溶液，对人的皮肤造成腐蚀性影响，严重影响人的身心健康；并且使用后的废液影响了地下水，破坏了环境。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种中性抛光浆及其制备方法。一种中性抛光浆，包括如下质量组分：优选的，所述原料选自γ-Al(OH)3、γ-AlOOH、α-Al(OH)3中的一种。优选的，所述原料粒度要求为10-100微米。优选的，所述原料形貌为正六边形、球形、棒状、哑铃状、片状。一种上述中性抛光浆的制备方法，包括如下步骤：(1)原料的选取和处理：选取原料，将原料在1000-1200℃下煅烧2-6h，直至原料的比表面为1-2m2/g，冷却后将煅烧后的原料放置于研磨机中在800-1200RPM速度下研磨100-400分钟，直至原料的粒度达到8-10μm；(2)取步骤(1)中处理后15-30％的原料，0.5-5％悬浮剂，0.5-5％表面活性剂，0.05-2％硫酸盐，0.01-1％消泡剂，57-83.94％水混合搅拌均匀得到中性抛光浆。优选的，所述悬浮剂选自六偏磷酸钠、柠檬酸氨。优选的，所述表面活性剂为磺酸类阴离子表面活性剂。优选的，所述消泡剂为有机硅消泡剂。相较其他的技术方案，本专利技术的优点在于：本专利技术的抛光浆料为中性，减少了酸碱性抛光浆料对人体的腐蚀伤害，也减少了对地下水的污染，减少对环境的影响；另外本抛光浆料的过程简单、原料易得，成本低，具有较高的应用价值。具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。实施例1取哑铃状的粒径为10-100微米的γ-Al(OH)3，在隧道窑中1000℃下煅烧6h直至原料的比表面为1-2m2/g，冷却后将煅烧后的原料放置于研磨机中在1000RPM速度下研磨200分钟，直至原料的粒度达到8-10μm。再将原料按下列比例配制：物质质量比球磨后的原料18％六偏磷酸钠2％A-烯烃磺酸盐3％硫酸盐1％有机硅消泡剂0.5％水75.5％配制完成之后搅拌均匀，得到中性的抛光液。实施例2取哑铃状的粒径为10-100μm的α-Al(OH)3，在1200℃下煅烧3h直至原料的比表面为1-2m2/g，冷却后将煅烧后的原料放置于研磨机中在1100RPM速度下研磨280分钟，直至原料的粒度达到8-10μm。再将原料按下列比例配制：配制完成之后搅拌均匀，得到中性的抛光液。本专利技术中配好的产品在科本、劳尔抛光机上进行抛光(压力为0.3bar至0.8bar；时间5分钟至10分钟，转速为200至1000RPM)，在电子水平上称量其质量变化(切削量)，在显微镜下观察其划痕(表面质量)。最后所应说明的是，以上实，施例仅用以说明本专利技术的技术方案而非限制。尽管参照实施例对本专利技术进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，对本专利技术的技术方案进行修改或者等同替换，都不脱离本专利技术技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本专利技术的权利要求范围当中。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种中性抛光浆，其特征在于包括如下质量组分：

【技术特征摘要】
1.一种中性抛光浆，其特征在于包括如下质量组分：
2.根据权利要求1所述的中性抛光浆，其特征在于所述原料选自
γ-Al(OH)3、γ-AlOOH、α-Al(OH)3中的一种。
3.根据权利要求1所述的中性抛光浆，其特征在于所述原料粒度
要求为10-100微米。
4.根据权利要求1所述的中性抛光浆，其特征在于所述原料形貌
为正六边形、球形、棒状、哑铃状、片状。
5.一种权利要求1-4中所述的中性抛光浆的制备方法，其特征在
于包括如下步骤：
(1)原料的选取和处理：
选取原料，将原料在1000-1200℃下煅烧2-6h，直至原料的比表
面为1-2m2/g，冷却后将煅烧后的原料放置于...

【专利技术属性】
技术研发人员：周利虎，刘宇杰，宋军，
申请(专利权)人：德米特苏州电子环保材料有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32