抛光组合物制造技术

提供了一种减少磨蚀且用于半导体元件制造工艺的最终抛光工序中的抛光组合物。该抛光组合物含有胶体二氧化硅、高碘酸化合物、氨水、硝酸铵和水，且它的ｐＨ值在１．８～４．０之间。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
抛光组合物
本专利技术涉及一种抛光组合物，更具体地，涉及一种用于例如制造半导体元件的线路的抛光工序中的抛光组合物。
技术介绍
在半导体元件生产过程中，抛光工序是按CMP(化学机械抛光)法进行的。在用CMP法形成线路时，首先在一绝缘层上形成线路沟，然后在绝缘层的上面形成金属层，这样，金属层就完全填满线路。然后金属层被抛光并除去以至于绝缘层的上表面暴露出来。线路由留在线路沟中的金属层形成。日本国家阶段公开的专利No.2000-501771披露了一种现有技术的抛光组合物。该抛光组合物由往氧化铝浆中添加过硫酸铵、高碘酸钾、氢氧化钠而制成。氧化铝浆可对金属层机械抛光，并且过硫酸铵和高碘酸钾的协同作用提高了导电层的抛光速率。但是，目前所用的抛光组合物，不仅提高了导电层的抛光速率，同时也提高了绝缘层的抛光速率。结果是，当使用目前所用的抛光组合物对布线区的的金属层和的绝缘层进行最终抛光时，布线区中的绝缘层的上表面高度比布线区外的绝缘层的上表面高度要低，这就意味着产生了局部磨蚀(参见图3)。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的是提供一种用于半导体元件生产工艺的抛光工序中的抛光组合物，它不易产生磨蚀。本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于半导体元件制造工艺的最终抛光工序中的抛光组合物，其中，所述半导体元件包括一个具有其上形成沟槽的表面的绝缘层，和形成在绝缘层上的导电层；所述抛光组合物包括：以大于５０ｇ／ｌ、小于１６０ｇ／ｌ的量混合在所述抛光组合物中的胶体二氧 化硅；高碘酸化合物；氨；硝酸铵；以及水，其特征在于，所述抛光组合物具有１．８～４．０的ｐＨ值范围。

【技术特征摘要】
JP 2002-10-1 2002-2892021.一种用于半导体元件制造工艺的最终抛光工序中的抛光组合物，其中，所述半导体元件包括一个具有其上形成沟槽的表面的绝缘层，和形成在绝缘层上的导电层；所述抛光组合物包括：以大于50g/l、小于160g/l的量混合在所述抛光组合物中的胶体二氧化硅；高碘酸化合物；氨；硝酸铵；以及水，其特征在于，所述抛光组合物具有1.8～4.0的pH值范围。2.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，高碘酸化合物为选自以下化合物中的至少一种化合物：原高碘酸、偏高碘酸、二中高碘酸、中高碘酸、二原高碘酸、高碘酸铵、高碘酸钾和高碘酸钠。3.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述混合在抛光组合物中的高碘酸化合物的量为大于6g/l、小于12g/l。4.如权利要求1的抛光组合物，其特征在于，所述混合在抛光组合物中的硝酸铵的量为大于5g/l、小于15g/l。5.如权利要求1的抛光组合物，其特征在于，所述抛光组合物包含铝、镓、铟、铊、锡、铅、铋和属于元素周期表I...

【专利技术属性】
技术研发人员：大野晃司，堀川智代，酒井谦儿，伊奈克芳，
申请(专利权)人：福吉米株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]