抛光组合物制造技术

一种抛光组合物，它包含平均初级粒度为２００纳米或更小的磨料、氧化剂、ｐＫ１为２或更小的酸和／或它的盐、和水，其中抛光组合物的酸值为２０～０．２毫克ＫＯＨ／克；一种减少基片上微小擦痕的方法，它包括使用上述的抛光组合物抛光欲被抛光的基片；以及一种制造基片的方法，它包括使用上述的抛光组合物抛光欲被抛光的基片。该抛光组合物适用于最后抛光记忆硬盘基片和抛光半导体元件。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及抛光组合物、使用上述抛光组合物的减少基片的细微擦伤的方法、以及使用该抛光组合物制造基片的方法。该抛光组合物可以合适的用来抛光记忆硬盘基片成品和抛光半导体元件。
技术介绍
近年的记忆硬盘驱动器被要求具有高容量、小尺寸。为了提高记录密度，已强烈要求降低磁头的浮动高度以及减小单位记录面积。与此同时，就磁盘用基片的制造工序来说，抛光后对表面质量的要求也逐年变得严格。为了满足磁头的低浮动高度的要求，就要减小磁盘表面的表面粗糙度、微小的波纹、起伏(roll off)和突起。为了达到减小单位记录面积的要求，容许的擦伤和坑(pit)的尺寸和深度越来越小。同样，在半导体领域，随着高集成化电路、在操作频率的更高速度的趋向，配线的微细化也在继续。即使在半导体装置的制造工艺中，因为在光致蚀膜曝光时，随着配线微细化聚焦深度变浅，所以希望图案形成表面进一步平滑化。为了满足上述要求，已有人建议使用具有改进的表面光滑度如表面粗糙度Ra和Rmax、擦伤、坑(pits)以及突起的抛光组合物(特开平9-204657号公报、特开平11-167715号公报和特开平11-246849号公报)。但是，作为改进表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抛光组合物，它包含平均初级粒度为２００纳米或更小的磨料、氧化剂、ｐＫ１为２或更小的酸和／或它的盐、和水，其中该抛光组合物的酸值为２０ｍｇＫＯＨ／ｇ或更小和０．２ｍｇＫＯＨ／ｇ或更高。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：大岛良晓，荻原敏也，
申请(专利权)人：花王株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]