清洗组合物制造技术

本发明专利技术公开一种存储硬盘的清洗组合物，它含有水和选自含氧酸、含氧酸盐和氯化物的添加剂。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在计算机存储装置的存储硬盘生产过程中对存储硬盘(磁盘的基片)表面抛光后适于用作表面修饰的清洗组合物。更具体地说，本专利技术涉及能在Ni-P盘、Ni-Fe盘、铝盘、碳化硼盘或碳盘之类存储硬盘抛光和纹理处理(texturing)后的表面修饰过程中形成极好处理表面的清洗组合物。这些存储硬盘可用于制造容量大、记录密度高的磁盘装置的存储硬盘。近年来，用于磁盘装置的存储硬盘(如计算机的存储介质之一)的尺寸越来越小，容量越来越大，磁介质也由常规的涂覆型变成用溅镀法或电镀法等形成的薄膜介质。目前最常用的磁盘基片(下文中称为“基片”)是具有涂覆在铝基片上的非电Ni-P镀层的磁盘基片。这种磁盘基片在电镀后通常用含有氧化铝、各种其它抛光材料、水和各种抛光促进剂的抛光组合物(下文中根据其性质称为“浆料”)进行抛光。在许多情况下，在抛光后的基片表面可能形成尺寸通常不超过50微米的细小突起物(下文中称作“微型突起物”)。形成微型突起物的原因例如是抛光时磨削掉的Ni-P镀层切屑的重新粘附，抛光材料磨擦Ni-P表面时形成毛刺，或浆料组合物中的磨粒淀积到基片表面上，这视浆料类型的不同其程度有所变化。另外，为了防止记录信息的磁头卡在存储硬盘中，可进行所谓的纹理处理，以便在抛光后在基片上刻痕。在这种纹理处理过程中，也可能由于Ni-P镀层切屑的重新粘接或由于纹理处理组合物(下文中如抛光组合物一样称作“浆料”)中磨粒的磨擦形成毛刺，形成微型突起物。另一方面，随着存储硬盘高容量的趋势，记录密度每年以百分之几十的速率提高。因此，近来的磁盘装置需要尽可能降低磁头的飞行高度，即磁头与存储硬盘间的空间。目前磁头的飞行高度已减小到至多为0.15微米。另外，最近为了进一步降低磁头的飞行高度，已提出进行光纹理处理，以在基片上形成更薄的痕线，或使用未经纹理处理而没有痕线的无纹理基片。因此，所谓的飞行高度越来越低的磁头正在向前发展。总之，要求很低的磁头飞行高度。因此，如果存储硬盘表面有几微米高的微型突起物，磁头很可能与基片表面上的这些微型突起物发生碰撞，即可能发生所谓的“磁头碰坏”，从而很可能损坏存储硬盘表面或磁头上的磁介质，这又导致磁盘装置的损坏。另外，即使是不会导致磁头碰坏的更小突起物也可能由于突起物处磁性的湍流而使其引起信息的读写错误。因此，在抛光和纹理处理步骤中，即制备磁介质的上述步骤中防止形成微型突起物是很重要的，同时必须完全除去形成的微型突起物。为了除去这些微型突起物，通常在制造基片方法中的抛光后对基片进行清洗。清洗处理主要是通过除去留在表面上的切屑和磨粒清洁抛光后的基片表面。另一方面，如果对基片进行抛光和纹理处理后使用过的浆料(下文中称为“废浆”)经干燥后淀积在基片表面上，这些浆料不能在以后清洗步骤中完全除去，因此，很可能形成微型突起物。另外，如果将抛光和纹理处理后被浆料污染的基片直接放入清洗装置，则清洗装置可能过载。另外，留在基片上的废液可能接触工作人员的身体或衣服，或污染工作场所，从而污染工作环境。避免这些问题也是对抛光和纹理处理后基片进行清洗处理的目的。对于上述目的，现在一般是在纹理处理后用纯水或含表面活性剂的清洗组合物代替浆料，并在低压下在相同的装置中对基片进行短时间的清洗处理。然而，用这种纯水或清洗组合物进行清洗时存在如下问题，很可能形成微型突起物，不能完全防止形成微型突起物，所用的表面活性剂不能被随后的清洗完全除去，而可能留在基片上，可能形成微型突起物以外的其它表面缺陷，如擦痕或凹陷。本专利技术的目的是解决上述问题，并提供能除去微型突起物的清洗组合物。正如目前对用于清洗基片的清洗组合物所要求的那样，用这种清洗组合物可以获得既无微型突起物又无其它表面缺陷(如擦痕或凹陷)的极好基片表面。同时，这种清洗组合物能防止磨粒从浆料中淀积出来，减少对清洗装置的负载，并改善工作环境。本专利技术提供一类存储硬盘的清洗组合物，它含有水和选自含氧酸、含氧酸盐和氯化物的添加剂。本专利技术也提供这种组合物作为存储硬盘清洗剂的用途。本专利技术还提供一种存储硬盘的清洗方法，在这种方法中将这种组合物用作清洗剂。本专利技术的清洗组合物能除去存储硬盘基片制造过程中形成的微型突起物，并能获得既无微型突起物又无其它表面缺陷(如擦痕或凹陷)的极好基片表面。另外，本专利技术的清洗组合物能有效地防止磨粒从浆料中淀积出来，从而减少对清洗装置的负载和改善工作环境。现在参照优选实施方案对本专利技术作详细描述。添加剂只要不损害本专利技术的效果，对本专利技术清洗组合物所用的含氧酸盐或氯化物的类型就没有特别的限制。然而，含氧酸盐较好选自硝酸盐、钼酸盐、硫酸盐、高氯酸盐、次氯酸盐、过硫酸盐、亚硫酸盐。这些含氧酸盐或氯化物较好选自如下化合物。(1)硝酸盐硝酸铝、硝酸镍、硝酸铵、硝酸钾、硝酸钙、硝酸钴、硝酸铯、硝酸钠和硝酸锂。(2)钼酸盐钼酸铵、钼酸钙和钼酸钠。(3)硫酸盐硫酸铝、硫酸铵、硫酸钾、硫酸钠、硫酸镍和硫酸镁。(4)高氯酸盐高氯酸钠和高氯酸钾。(5)次氯酸盐次氯酸钠和次氯酸钾。(6)过硫酸盐过硫酸钠、过硫酸钾和过硫酸铵。(7)亚硫酸盐亚硫酸钠、亚硫酸钾和亚硫酸铵。(8)氯化物氯化铝、氯化铵、氯化钾、氯化钙、氯化镍、氯化钠和氯化锂。这些化合物分别表示为单盐，但它们也可以是高级化合物，如复盐。另外，这些盐可以是无水盐或含有结晶水的盐。只要不损害本专利技术的效果，对本专利技术清洗组合物所用的含氧酸没有特别的限制。然而，所述的含氧酸较好选自高氯酸、次氯酸、过硫酸、亚硫酸、硫酸、硝酸和钼酸，更好选自高氯酸、次氯酸、过硫酸和亚硫酸。这些含氧酸盐、氯化物或含氧酸(下文中一般称为“添加剂”)可以单独使用或作为混合物组合使用。例如，添加剂较好是含氧酸和含氧酸盐的混合物。特别优选的添加剂是硝酸铝、钼酸铵或硝酸铝和钼酸铵的混合物。清洗组合物中这种添加剂的含量视添加剂作用的强度而变化的，但较好为0.001-50％重量，更好为0.01-30％重量，按清洗组合物的总量计。一般当添加剂的用量增加时，本专利技术的效果会更强。然后，如果用量太大时，经济上的不利会超过效果的提高。水的用量较好为50-99.999％重量，更好为70-99.99％重量，按清洗组合物的总量计。本专利技术清洗组合物的pH较好至多为7。使用上述添加剂的清洗组合物的pH通常至多为7。然而，如果pH变化时，例如加入各种辅助添加剂使pH大于7时，宜将pH调节到至多为7的值。在这种情况下，宜用上述含氧酸进行调节。用本专利技术清洗组合物作为基片清洗剂可除去微型突起物的详细机理没有清楚地理解。但以Ni-P电镀基片为例，对此机理作如下解释。本专利技术人认为本专利技术的添加剂使Ni-P镀的表面发生化学变化，使得淀积在抛光后基片表面上的Ni-P切屑和抛光和纹理处理过程中被磨料磨擦形成的毛刺变脆，从而当用含有本专利技术清洗组合物的抛光垫擦洗时容易除去。也可以想象，Ni-P镀的表面化学性质发生了变化，使得Ni-P切屑和浆料中的磨粒难于重新沉淀在上面。清洗组合物本专利技术清洗组合物的制造方法一般是称量预定量的上述添加剂，然后将其混合和溶解在水中。将这种添加剂溶解在水中的方法是任选的，例如可以是用叶片搅拌器搅拌的方法、用超声分散法溶解这些添加剂的方法，等等。在制备本专利技术的清洗组合物时，为了保持或稳定本专利技术清洗组合物的质本文档来自技高网...

【技术保护点】
存储硬盘的清洗组合物，其特征在于它含有水和选自含氧酸、含氧酸盐和氯化物的添加剂。

【技术特征摘要】
JP 1996-11-26 314707/961.存储硬盘的清洗组合物，其特征在于它含有水和选自含氧酸、含氧酸盐和氯化物的添加剂。2.如权利要求1所述的组合物，其特征还在于所述的添加剂选自高氯酸、次氯酸、过硫酸、亚硫酸、硫酸、硝酸、钼酸、硝酸盐、钼酸盐、硫酸盐、高氯酸盐、次氯酸盐、过硫酸盐、亚硫酸盐和氯化物。3.如权利要求1所述的组合物，其特征还在于所述的添加剂选自硝酸铝、硝酸镍、硝酸铵、硝酸钾、硝酸钙、硝酸钴、硝酸铯、硝酸钠、硝酸锂、钼酸铵、钼酸钙、钼酸钠、硫酸铝、硫酸铵、硫酸钾、硫酸钠、硫酸镍、硫酸镁、高氯酸钠、高氯酸钾、次氯酸钠、次氯酸钾、过硫酸钠、过硫酸钾、过...

【专利技术属性】
技术研发人员：大胁寿树，
申请(专利权)人：不二见株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]