金属和金属/电介质结构的化学机械抛光用组合物制造技术

一种组合物，它包含：２．５～７０％体积的３０ｗｔ％阳离子改性硅溶胶的，其阳离子改性二氧化硅颗粒的平均粒度介于１２～３００ｎｍ；以及０．０５～２２ｗｔ％至少一种氧化剂；且其ｐＨ值介于２．５～６。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种金属和电介质结构的化学机械抛光(CMP)用高铜去除速率组合物、其生产方法及其应用。
技术介绍
集成半导体电路(IC)包含有结构的半导体、非导体和导电体的薄膜。这些有结构的薄膜通常是这样制造的例如，采用蒸汽沉积施加薄膜材料，然后再借助微平印方法形成结构。各种半导体、非导体和导体层材料的组合产生IC的电子电路元件，例如，晶体管、电容器、电阻和布线。IC的质量及其功能密切依赖于各种层材料的施加和形成结构中所能达到的精度。然而，随着层数的增加，层的平面性大大降低。超过某一层数后，这种现象将导致IC的一个或多个功能元件失效并因此导致整个IC的失效。诸层平面度的降低是由新的层不断积累，而这些层又不得不施加到已经形成结构的层上造成的。结构的形成造成高度差，最高可达每层0.6μm之多。这些高度差一层一层地积累，结果就意味着，下一层将不再施加到平面的表面上，而是施加到非平面的表面上了。第一个后果是随后施加上去的层具有不均一的厚度。在极端情况下，瑕疵和缺陷在电子功能元件内形成，接触质量低劣。而且，不平整的表面将给结构成形带来问题。为了能够产生足够小的特征，在微平印的工艺步骤中要求极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：L·普佩，G·帕辛，蔡明莳，
申请(专利权)人：拜尔公司，
类型：发明
国别省市：