本发明专利技术涉及一种抛光组合物，它更适合用于磁盘基片的抛光。抛光组合物含有：研磨剂、微纹消除剂、氧化剂、抛光促进剂、以及水。微纹消除剂是一种还原剂，它含以下组中选出的至少一种：膦酸、亚膦酸、连二磷酸铵、硫酸铵、硫酸钠、对苯二酚、焦酚、异抗坏血酸、异抗坏血酸钠、Ｌ－抗坏血酸、蚁酸、蚁酸钠、蚁酸铵、草酸、草酸铵、碘酸铵以及五倍子酸。
【技术实现步骤摘要】
抛光组合物
本专利技术涉及一种用于抛光诸如磁盘基片或者此类物体的抛光组合物。
技术介绍
对用作充当计算机存储设备的硬盘的磁盘而言，要求其必须具备很高的记录密度。因此，磁盘所用的基片要求具备很好的表面性能，如很高的表面光滑度和痕量的表面刮痕。日本公开专利号No.2003-147337的专利披露了一种抛光组合物，它为满足基片的(高表面性能)要求作了改进。抛光组合物中含有：氧化铝之类的研磨颗粒，含磷无机酸，如磷酸或磷酸盐，除了含磷无机酸或盐之外还含无机酸，如硝酸，氧化剂，如过氧化氢，以及水。无机酸具备改善研磨颗粒的分散状况以抑制被抛光基片表面刮痕的产生的功能。氧化剂起蚀刻剂的作用，可降低基片抛光后的表面粗糙度。然而，如公开专利号No.2003-147337的日本专利所描述的抛光后使用抛光组合物制备基片的方法中，基片具有很差的微波纹度值，微波纹度是表面光滑度的一个指标。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种抛光组合物，它更适用于磁盘基片的抛光。为了实现前述和其他目的以及根据本专利技术的意图，本专利技术提供了一种抛光组合物。抛光组合物含有：研磨剂，微度纹消除剂，氧化剂，抛光促进剂，以及水。本专利技术还提供了一种抛光磁盘基片的方法，该方法包括制备上述抛光组合物和用抛光组合物对磁盘基片的表面进行抛光。而且，本专利技术提供了一种磁盘，该磁盘由基片经抛光组合物抛光后制备而得。本专利技术的其它方面和优点将结合对本专利技术的原理举例描述和解释来体现。 具体实施方式下面将描述本专利技术的一个实施例。按照本实施例，抛光组合物含有：研磨剂、微纹消除剂、氧化剂、抛光促进剂、以及-->水。抛光组合物可用于抛光，如对磁盘的基片。这种基片可以是由镍—磷化学镀层镀在铝合金空白元件上而成，也可以是镍—铁层镀在一空白元件上而成。另外基片可以是含碳化硼或碳的基片。研磨剂在物体机械抛光过程中起作用，研磨剂优选含至少一种从以下组中选出的成分：氧化铝，氧化硅，氧化铈，氧化锆，氧化钛，碳化硅，四氮化三硅。进一步优选含二氧化硅。二氧化硅在物体的抛光过程中，引起刮痕产生的可能性比较小，因为它有相对较低的硬度。研磨剂中所含的二氧化硅优选胶态二氧化硅、烟化二氧化硅或沉淀二氧化硅，进一步优选胶体二氧化硅。胶体二氧化硅在物体抛光过程中，引起刮痕产生的危险性尤其小。胶体二氧化硅由无定形二氧化硅颗粒组成，表面带电，在水中以胶体状态分散。胶体二氧化硅可由这样的方法制得：将通过离子交换从超细胶体二氧化硅中除去硅酸钠和硅酸钾，再经过颗粒增长工艺的方法。可选择地，胶态二氧化硅的制备也可以用烷氧基硅烷在酸或碱的条件下水解的方法，或者是有机硅化合物加热后在潮湿的体系下分解的方法。烟化二氧化硅为链状，含数个至数十个颗粒，颗粒聚集成三维状。研磨剂可以含两种或更多的二氧化硅。研磨剂的平均粒径由BET法测定研磨剂的比表面积而得。粒径优选范围为不小于0.005μm，不大于0.5μm。进一步优选不小于0.01μm，不大于0.3μm。如果研磨剂的平均粒径小于0.005μm，则抛光组合物没有高速抛光物体的能力，换言之，即抛光组合物的抛光速率可能被降低了。而且，精确抛光将变得困难，因为较大的抛光阻力会引起抛光机械的振动。如果研磨剂的平均粒径大于0.5μm，抛光组合物中可能会产生沉淀，其结果是，在被抛光物体的表面可能产生大量的刮痕，或者物体在抛光后表面变得非常粗糙。抛光组合物中，研磨剂的含量优选不低于0.01％重量，不高于40％重量；进一步优选不低于0.1％重量，不高于10％重量。如果研磨剂的质量含量低于0.01％重量，抛光组合物的抛光速率可能会被降低，而且，精确抛光将变得困难，因为较大的抛光阻力会引起抛光机械的振动。如果研磨剂的含量高于40％重量，研磨剂可能会聚结，其结果是，抛光组合物的贮存稳定性将被破坏，并且由于存在聚结的研磨剂，被抛光物体的表面可能会产生大量的刮痕。而且，从费用上考虑，含大量研磨剂的抛光组合物是不经济的。微纹消除剂是一种还原剂，具备减少物体抛光后的微波纹度的功能。假设微纹消除剂调节了抛光组合物中所含的氧化剂和抛光促进剂的功能，从而抑制了过量的蚀刻以减少微波纹度。-->微纹消除剂优选含以下组中选出的至少一种：膦酸(有时称作磷酸)、亚膦酸(有时称作连二磷酸)、连二磷酸铵、硫酸铵、硫酸钠、对苯二酚、焦棓酚(有时称作焦棓酸)、异抗坏血酸、异抗坏血酸钠、L-抗坏血酸、蚁酸、蚁酸钠、蚁酸铵、草酸、草酸铵、碘酸铵以及五倍子酸(有时称作3，4，5-三羟基安息香酸)。进一步优选含以下组中选出的至少一种：膦酸、焦棓酸以及五倍子酸，最优选含五倍子酸。膦酸、亚膦酸、连二磷酸铵、硫酸铵、硫酸钠、对苯二酚、焦酚、异抗坏血酸、异抗坏血酸钠、L-抗坏血酸、蚁酸、蚁酸钠、蚁酸铵、草酸、草酸铵、碘酸铵以及五倍子酸均具备很高的减少微纹的能力。在它们之中，膦酸、焦棓酸以及五倍子酸具备尤其高的减少微纹的能力。而且，五倍子酸具备最高的减少微纹的能力。抛光组合物中，微波纹度消除剂的含量优选不低于0.01％重量，不高于2％重量；进一步优选不低于0.05％重量，不高于1％重量。如果微波度消除剂的含量低于0.01％重量，则抛光后所得的实物的微波度可能没有被显著的减少；而如果微纹消除剂的含量高于2％重量，则性价比将会很低，使用这种含量的微纹消除剂将是不经济的。氧化剂通过氧化被正在抛光物体，加速了研磨剂的机械抛光。氧化剂优选含以下组中选出的至少一种：过氧化氢、硝酸、高锰酸钾以及过硫酸盐，进一步优选含过氧化氢。过氧化氢具备很高的氧化能力，它分解为酸和水，对环境温和，并且相对便宜。过氧化氢可以水溶液的形式加入到抛光组合物中，溶液中，过氧化氢的含量为30％～35％重量。抛光组合物中，氧化剂的含量优选不低于0.1％重量，不高于15％重量，进一步优选不低于0.5％重量，不高于10％重量。如果氧化剂的含量低于0.1％重量，则抛光组合物的抛光速率将被降低，被抛光物体表面产生许多刮痕；如果氧化剂的含量高于15％重量，则性价比将会很低，使用这种含量的氧化剂将是不经济的。抛光促进剂通过化学抛光物体，加速了物体的抛光。抛光促进剂优选含以下组中选出的至少一种：磷酸、磷酸盐、一种有机酸(除蚁酸、草酸、五倍子酸外)。进一步优选含磷酸盐和至少一种磷酸以及有机酸。磷酸、磷酸盐和有机酸具备很高的化学抛光物体的能力。在它们之中，磷酸盐不仅加速物体的抛光，而且在被抛光物体的表面形成一层保护膜，抑制了被抛光物体表面刮痕的产生。抛光促进剂中的有机酸优选含以下组中选出的至少一种：柠檬酸、马来酸、马来酸酐、苹果酸、乙醇酸、琥珀酸、衣康酸、丙二酸、亚氨基二乙酸、葡糖酸、乳酸、扁桃酸、酒石酸、巴豆酸、尼克酸、醋酸、己二酸。进一步优选含有以下组中选出的至少一种：柠檬酸、马来酸、马来酸酐、乙醇酸以及琥珀酸。柠檬酸、马来酸、马来酸酐、苹果酸、乙醇-->酸、琥珀酸、衣康酸、丙二酸、亚氨基二乙酸、葡糖酸、乳酸、扁桃酸、酒石酸、巴豆酸、尼克酸、醋酸和己二酸均具备很高的化学抛光物体的能本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种抛光组合物，其特征在于，包含：研磨剂、微纹消除剂、氧化剂、抛光促进剂、以及水。
【技术特征摘要】
JP 2003-7-3 2003-1913071.一种抛光组合物，其特征在于，包含：研磨剂、微纹消除剂、氧化剂、抛光促进剂、以及水。2.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述微纹消除剂是一种还原剂。3.如权利要求2所述的抛光组合物，其特征在于，所述微纹消除剂含有选自膦酸、亚膦酸、连二磷酸铵、硫酸铵、硫酸钠、对苯二酚、焦酚、异抗坏血酸、异抗坏血酸钠、L-抗坏血酸、蚁酸、蚁酸钠、蚁酸铵、草酸、草酸铵、碘酸铵以及五倍子酸中的至少一种。4.如权利要求2所述的抛光组合物，其特征在于，所述微纹消除剂含有选自亚膦酸、焦酚、五倍子酸中的至少一种。5.如权利要求2所述的抛光组合物，其特征在于，所述微纹消除剂含有五倍子酸。6.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述包含在抛光组合物中的微纹消除剂的含量不低于0.01％重量，且不高于2％重量。7.如权利要求6所述的抛光组合物，其特征在于，所述包含在抛光组合物中的微纹消除剂的含量不低于0.05％重量，且不高于1％重量。8.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述抛光促进剂包含选自磷酸、磷酸盐和除蚁酸、草酸、五倍子酸外的有机酸中的至少一种。9.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述抛光促进剂包含磷酸盐和磷酸与...
【专利技术属性】
技术研发人员：神谷知秀，横道典孝，大胁寿树，
申请(专利权)人：福吉米株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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