SRAM存储器及其形成方法技术

一种SRAM存储器及其形成方法，其中SRAM存储器包括：基底；传输晶体管，所述传输晶体管包括：传输栅极结构，位于基底上；第一传输源漏区和第二传输源漏区，分别位于所述传输栅极结构两侧的基底中，部分第一传输源漏区和部分第二传输源漏区被传输栅极结构遮盖，所述传输栅极结构遮盖的第一传输源漏区为第一遮盖区，所述传输栅极结构遮盖的第二传输源漏区为第二遮盖区，在垂直于传输栅极结构侧壁的方向上，所述第二遮盖区的尺寸大于第一遮盖区的尺寸。所述SRAM存储器使读写速度同时提高。

SRAM memory and its forming method

A SRAM memory and forming method thereof, wherein SRAM memory includes: a substrate; a transfer transistor, the transmission transistor includes: a transmission gate structure disposed on the substrate; a first transmission source drain region and a second transmission source and drain regions are located in the basement of the transmission gate on both sides of the structure, the first part of the source and drain regions and transmission the second part is the transmission gate source and drain regions cover structure, a first transmission source of the transmission gate structure covering the drain region as the first cover area, covering the second transmission gate structure transmission source and drain regions second covering area, perpendicular to the side wall of the gate structure transmission direction, the second cover the size is larger than the first cover area size. The SRAM memory improves the read and write speed simultaneously.

【技术实现步骤摘要】
SRAM存储器及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种SRAM存储器及其形成方法。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，存储器呈现出高集成度、快速、低功耗的发展趋势。从功能上将存储器分为随机存储器(RAM，RandomAccessMemory)和只读存储器(ROM，ReadOnlyMemory)。随机存储器工作时，可以随时从任何一个指定的地址读出数据，也可以随时将数据写入任何一个指定的存储单元。随机存储器的读写操作方便，使用灵活。随机存储器可以分为静态随机存储器(SRAM)和动态随机存储器(DRAM)。其中，SRAM利用带有正反馈的触发器来存储数据，主要依靠依靠持续的供电来保持数据的完整性，在使用过程中，不需刷新。SRAM已被广泛应用在计算机的高速缓存和频繁的数据处理中。然而，现有技术中静态随机存储器的读写速度不能同时提高。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种SRAM存储器及其形成方法，以使SRAM存储器的读写速度得以同时提高。为解决上述问题，本专利技术提供一种SRAM存储器，包括：基底；传输晶体管，所述传输晶体管包括：传输栅极结构，位于基底上；第一传输源漏区和第二传输源漏区，分别位于所述传输栅极结构两侧的基底中，部分第一传输源漏区和部分第二传输源漏区被传输栅极结构遮盖，所述传输栅极结构遮盖的第一传输源漏区为第一遮盖区，所述传输栅极结构遮盖的第二传输源漏区为第二遮盖区，在垂直于传输栅极结构侧壁的方向上，所述第二遮盖区的尺寸大于第一遮盖区的尺寸。可选的，所述基底包括第一区域和第二区域；所述传输晶体管包括第一传输晶体管和第二传输晶体管；所述第一传输晶体管包括：第一传输栅极结构，位于第一区域的基底上；第一子传输源漏区和第二子传输源漏区，分别位于所述第一传输栅极结构两侧的基底中，部分第一子传输源漏区和部分第二子传输源漏区被第一传输栅极结构遮盖，第一传输栅极结构遮盖的第一子传输源漏区为第一子遮盖区，第一传输栅极结构遮盖的第二子传输源漏区为第二子遮盖区，在垂直于第一传输栅极结构侧壁的方向上，所述第二子遮盖区的尺寸大于所述第一子遮盖区的尺寸；所述第二传输晶体管包括：第二传输栅极结构，位于第二区域的基底上；第三子传输源漏区和第四子传输源漏区，分别位于所述第二传输栅极结构两侧的基底中，部分第三子传输源漏区和部分第四子传输源漏区被第二传输栅极结构遮盖，第二传输栅极结构遮盖的第三子传输源漏区为第三子遮盖区，第二传输栅极结构遮盖的第四子传输源漏区为第四子遮盖区，在垂直于第二传输栅极结构侧壁的方向上，所述第四子遮盖区的尺寸大于所述第三子遮盖区的尺寸。可选的，所述第一传输晶体管还包括：第一子传输侧墙，位于第一传输栅极结构一侧侧壁，部分第一子传输源漏区被第一传输栅极结构和第一子传输侧墙遮盖；第二子传输侧墙，位于第一传输栅极结构另一侧侧壁，部分第二子传输源漏区被第一传输栅极结构和第二子传输侧墙遮盖，所述第二子传输侧墙的厚度小于第一子传输侧墙的厚度；所述第二传输晶体管还包括：第三子传输侧墙，位于第二传输栅极结构一侧侧壁，部分第三子传输源漏区被第二传输栅极结构和第三子传输侧墙遮盖；第四子传输侧墙，位于第二传输栅极结构另一侧侧壁，部分第四子传输源漏区被第二传输栅极结构和第四子传输侧墙遮盖，所述第四子传输侧墙的厚度小于第三子传输侧墙的厚度。本专利技术还提供一种SRAM存储器的形成方法，包括：提供基底；形成传输晶体管，形成所述传输晶体管的方法包括：在所述基底上形成传输栅极结构；在所述传输栅极结构两侧的基底中分别形成第一传输源漏区和第二传输源漏区，部分第一传输源漏区和部分第二传输源漏区被传输栅极结构遮盖，所述传输栅极结构遮盖的第一传输源漏区为第一遮盖区，所述传输栅极结构遮盖的第二传输源漏区为第二遮盖区，在垂直于传输栅极结构侧壁的方向上，所述第二遮盖区的尺寸大于第一遮盖区的尺寸。可选的，所述基底包括第一区域和第二区域；所述传输晶体管包括第一传输晶体管和第二传输晶体管；形成所述第一传输晶体管和第二传输晶体管的方法包括：在第一区域的基底上形成第一传输栅极结构；在第二区域的基底上形成第二传输栅极结构；在所述第一传输栅极结构两侧的基底中分别形成第一子传输源漏区和第二子传输源漏区，部分第一子传输源漏区和部分第二子传输源漏区被第一传输栅极结构遮盖，第一传输栅极结构遮盖的第一子传输源漏区为第一子遮盖区，第一传输栅极结构遮盖的第二子传输源漏区为第二子遮盖区，在垂直于第一传输栅极结构侧壁的方向上，所述第二子遮盖区的尺寸大于第一子遮盖区的尺寸；在所述第二传输栅极结构两侧的基底中分别形成第三子传输源漏区和第四子传输源漏区，部分第三子传输源漏区和部分第四子传输源漏区被第二传输栅极结构遮盖，第二传输栅极结构遮盖的第三子传输源漏区为第三子遮盖区，第二传输栅极结构遮盖的第四子传输源漏区为第四子遮盖区，在垂直于第二传输栅极结构侧壁的方向上，所述第四子遮盖区的尺寸大于第三子遮盖区的尺寸。可选的，还包括：在第一传输栅极结构两侧侧壁分别形成第一子传输侧墙和第二子传输侧墙，所述第二子传输侧墙的厚度小于第一子传输侧墙的厚度；在所述第二传输栅极结构两侧侧壁分别形成第三子传输侧墙和第四子传输侧墙，所述第四子传输侧墙的厚度小于第三子传输侧墙的厚度；形成第一子传输侧墙、第二子传输侧墙、第三子传输侧墙和第四子传输侧墙后，在所述第一传输栅极结构、第一子传输侧墙和第二子传输侧墙两侧的基底中分别形成第一子传输源漏区和第二子传输源漏区，在所述第二传输栅极结构、第三子传输侧墙和第四子传输侧墙两侧的基底中分别形成第三子传输源漏区和第四子传输源漏区，所述第一子传输侧墙位于第一传输栅极结构和第一子传输源漏区之间，所述第二子传输侧墙位于第一传输栅极结构和第二子传输源漏区之间，所述第三子传输侧墙位于第二传输栅极结构和第三子传输源漏区之间，所述第四子传输侧墙位于第二传输栅极结构和第四子传输源漏区之间。可选的，形成所述第一子传输侧墙、第二子传输侧墙、第三子传输侧墙和第四子传输侧墙的方法包括：形成覆盖所述基底、第一传输栅极结构和第二传输栅极结构的侧墙材料层；在所述第一传输栅极结构一侧的侧墙材料层中注入第一离子；在所述第二传输栅极结构一侧的侧墙材料层中注入第二离子；刻蚀所述侧墙材料层，形成第一子传输侧墙、第二子传输侧墙、第三子传输侧墙和第四子传输侧墙，所述第二子传输侧墙对应第一传输栅极结构一侧具有第一离子的侧墙材料层，所述第四子传输侧墙对应第二传输栅极结构一侧具有第二离子的侧墙材料层。可选的，形成第一子传输源漏区和第二子传输源漏区的方法为：在所述第一传输栅极结构、第一子传输侧墙和第二子传输侧墙两侧的基底中分别形成第一初始子传输源漏区和第二初始子传输源漏区；在所述第二传输栅极结构、第三子传输侧墙和第四子传输侧墙两侧的基底中分别形成第三初始子传输源漏区和第四初始子传输源漏区；对所述第一初始子传输源漏区、第二初始子传输源漏区、第三初始子传输源漏区和第四初始子传输源漏区进行退火处理，使第一初始子传输源漏区、第二初始子传输源漏区、第三初始子传输源漏区和第四初始子传输源漏区向两侧扩散，分别对应形成第一子传输源漏区、第二子传输源漏区、第三子传输源漏区和第四子传输源漏区。与现有技术相比，本专利技术的技术方案具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SRAM存储器，其特征在于，包括：基底；传输晶体管，所述传输晶体管包括：传输栅极结构，位于基底上；第一传输源漏区和第二传输源漏区，分别位于所述传输栅极结构两侧的基底中，部分第一传输源漏区和部分第二传输源漏区被传输栅极结构遮盖，所述传输栅极结构遮盖的第一传输源漏区为第一遮盖区，所述传输栅极结构遮盖的第二传输源漏区为第二遮盖区，在垂直于传输栅极结构侧壁的方向上，所述第二遮盖区的尺寸大于第一遮盖区的尺寸。

【技术特征摘要】
1.一种SRAM存储器，其特征在于，包括：基底；传输晶体管，所述传输晶体管包括：传输栅极结构，位于基底上；第一传输源漏区和第二传输源漏区，分别位于所述传输栅极结构两侧的基底中，部分第一传输源漏区和部分第二传输源漏区被传输栅极结构遮盖，所述传输栅极结构遮盖的第一传输源漏区为第一遮盖区，所述传输栅极结构遮盖的第二传输源漏区为第二遮盖区，在垂直于传输栅极结构侧壁的方向上，所述第二遮盖区的尺寸大于第一遮盖区的尺寸。2.根据权利要求1所述的SRAM存储器，其特征在于，所述基底包括第一区域和第二区域；所述传输晶体管包括第一传输晶体管和第二传输晶体管；所述第一传输晶体管包括：第一传输栅极结构，位于第一区域的基底上；第一子传输源漏区和第二子传输源漏区，分别位于所述第一传输栅极结构两侧的基底中，部分第一子传输源漏区和部分第二子传输源漏区被第一传输栅极结构遮盖，第一传输栅极结构遮盖的第一子传输源漏区为第一子遮盖区，第一传输栅极结构遮盖的第二子传输源漏区为第二子遮盖区，在垂直于第一传输栅极结构侧壁的方向上，所述第二子遮盖区的尺寸大于所述第一子遮盖区的尺寸；所述第二传输晶体管包括：第二传输栅极结构，位于第二区域的基底上；第三子传输源漏区和第四子传输源漏区，分别位于所述第二传输栅极结构两侧的基底中，部分第三子传输源漏区和部分第四子传输源漏区被第二传输栅极结构遮盖，第二传输栅极结构遮盖的第三子传输源漏区为第三子遮盖区，第二传输栅极结构遮盖的第四子传输源漏区为第四子遮盖区，在垂直于第二传输栅极结构侧壁的方向上，所述第四子遮盖区的尺寸大于所述第三子遮盖区的尺寸。3.根据权利要求2所述的SRAM存储器，其特征在于，所述第一传输晶体管和第二传输晶体管为N型。4.根据权利要求2所述的SRAM存储器，其特征在于，所述第一传输晶体管还包括：第一子传输侧墙，位于第一传输栅极结构一侧侧壁，部分第一子传输源漏区被第一传输栅极结构和第一子传输侧墙遮盖；第二子传输侧墙，位于第一传输栅极结构另一侧侧壁，部分第二子传输源漏区被第一传输栅极结构和第二子传输侧墙遮盖，所述第二子传输侧墙的厚度小于第一子传输侧墙的厚度；所述第二传输晶体管还包括：第三子传输侧墙，位于第二传输栅极结构一侧侧壁，部分第三子传输源漏区被第二传输栅极结构和第三子传输侧墙遮盖；第四子传输侧墙，位于第二传输栅极结构另一侧侧壁，部分第四子传输源漏区被第二传输栅极结构和第四子传输侧墙遮盖，所述第四子传输侧墙的厚度小于第三子传输侧墙的厚度。5.根据权利要求1所述的SRAM存储器，其特征在于，所述SRAM存储器还包括：锁存器，所述锁存器包括上拉晶体管和下拉晶体管；在写数据状态时，所述上拉晶体管和下拉晶体管将数据通过传输栅极结构存储到锁存器中，在读数据状态时，所述上拉晶体管和下拉晶体管将锁存器中存储的数据通过传输栅极结构输出。6.根据权利要求1所述的SRAM存储器，其特征在于，当所述SRAM存储器处于读数据状态时，第一传输源漏区为传输晶体管的漏区，第二传输源漏区为传输晶体管的源区；当所述SRAM存储器处于写数据状态时，第一传输源漏区为传输晶体管的源区，第二传输源漏区为传输晶体管的漏区。7.一种SRAM存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；形成传输晶体管，形成所述传输晶体管的方法包括：在所述基底上形成传输栅极结构；在所述传输栅极结构两侧的基底中分别形成第一传输源漏区和第二传输源漏区，部分第一传输源漏区和部分第二传输源漏区被传输栅极结构遮盖，所述传输栅极结构遮盖的第一传输源漏区为第一遮盖区，所述传输栅极结构遮盖的第二传输源漏区为第二遮盖区，在垂直于传输栅极结构侧壁的方向上，所述第二遮盖区的尺寸大于第一遮盖区的尺寸。8.根据权利要求7所述的SRAM存储器的形成方法，其特征在于，所述基底包括第一区域和第二区域；所述传输晶体管包括第一传输晶体管和第二传输晶体管；形成所述第一传输晶体管和第二传输晶体管的方法包括：在第一区域的基底上形成第一传输栅极结构；在第二区域的基底上形成第二传输栅极结构；在所述第一传输栅极结构两侧的基底中分别形成第一子传输源漏区和第二子传输源漏区，部分第一子传输源漏区和部分第二子传输源漏区被第一传输栅极结构遮盖，第一传输栅极结构遮盖的第一子传输源漏区为第一子遮盖区，第一传输栅极结构遮盖的第二子传输源漏区为第二子遮盖区，在垂直于第一传输栅极结构侧壁的方向上，所述第二子遮盖区的尺寸大于第一子遮盖区的尺寸；在所述第二传输栅极结构两侧的基底中分别形成第三子传输源漏区和第四子传输源漏区，部分第三子传输源漏区和部分第四子传输源漏区被第二传输栅极结构遮盖，第二传输栅极结构遮盖的第三子传输源漏区为第三子遮盖区，第二传输栅极结构遮盖的第四子传输源漏区为第四子遮盖区，在垂直于第二传输栅极结构侧壁的方向上，所述第四子遮盖区的尺寸大于第三子遮盖区的尺寸。9.根据权利要求8所述的SRAM存储器的形成方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：周飞，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31