利用能够执行NVM及DRAM功能的存储器储存信息的方法及设备技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】利用能够执行NVM及DRAM功能的存储器储存信息的方法及设备本申请要求：基于2014年9月24日提出的专利技术名称为“D-NAND：结合DRAM与NAND的新型存储单元及阵列”的美国临时专利申请序列号：62/054,391的优先权，该申请为在2015年9月4日提出的专利技术名称为“利用多页编程写入非易失性存储器的方法及设备”的共同申请的美国专利申请序列号为14/846,673的部分继续申请(CIP)，所有这些全部结合在此，作为参考。
本专利技术示例性实施方式涉及半导体与集成电路领域。更具体地，本专利技术示例性实施方式涉及存储与储存设备。
技术介绍
数字处理系统通常包括用于数据储存的存储设备。例如，该存储设备大致被分类为易失性和/或非易失性存储设备。易失性存储设备包括随机存取存储器(“RAM”)、静态随机存取存储器(“SRAM”)、及/或动态随机存取存储器。非易失性存储设备(“NVM”)可以是NAND闪存、NOR闪存、相变存储器、电可擦除可编程只读存储器(“EEPROM”)、以及硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(“SONOS”)存储器等等。NVM，诸如以NAND或NO...
【技术保护点】
一种能够储存信息的存储设备，包括：多个第一非易失性存储(“NVM”)单元，其能够持续地保留信息；多个第一字线(“WLs”)，其耦接至所述多个NVM单元并且被配置用于选择所述多个第一NVM单元中的一个为待被存取的；第一单元信道，其耦接至所述多个NVM单元并且被配置用于使所述多个NVM单元相互连接，以形成第一NVM串；以及第一动态随机存取存储(“DRAM”)模式选择，其耦接至所述第一NVM串并且被配置用于：当所述第一DRAM模式选择被激活时，临时地将数据储存于所述第一单元信道中。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.24 US 62/054,391;2015.09.04 US 14/846,6731.一种能够储存信息的存储设备，包括：多个第一非易失性存储(“NVM”)单元，其能够持续地保留信息；多个第一字线(“WLs”)，其耦接至所述多个NVM单元并且被配置用于选择所述多个第一NVM单元中的一个为待被存取的；第一单元信道，其耦接至所述多个NVM单元并且被配置用于使所述多个NVM单元相互连接，以形成第一NVM串；以及第一动态随机存取存储(“DRAM”)模式选择，其耦接至所述第一NVM串并且被配置用于：当所述第一DRAM模式选择被激活时，临时地将数据储存于所述第一单元信道中。2.如权利要求1所述的存储设备，进一步包括：第一NVM模式选择，其耦接至所述第一NVM串并且被配置用于：当所述第一NVM模式选择被激活时，持续地将数据储存于所述多个NVM单元中的一个内。3.如权利要求2所述的存储设备，进一步包括：第一位线(“BL”)，其耦接于所述第一NVM串并且被配置用于提供位信息。4.如权利要求3所述的存储设备，进一步包括：第一汲极选择闸极(“DSG”)，其耦接于所述第一NVM串并且被配置用于连接至所述第一BL；以及源极选择闸极(“SSG”)，其耦接于所述第一NVM串并且被配置用于连接至源极线(“SL”)。5.如权利要求2所述的存储设备，其中，所述第一DRAM模式选择及所述第一NVM模式选择通过单一控制信号控制。6.如权利要求1所述的存储设备，其中，所述多个第一NVM单元包括至少一个NAND非易失性存储单元。7.如权利要求6所述的存储设备，其中，所述NAND非易失性存储单元被配置用于：在正常作业情形及紧急电力损耗情形中的一个情形期间储存数据。8.如权利要求1所述的存储设备，其中，所述多个第一WLs被施加通过电压，所述通过电压高于截止单元电压。9.如权利要求7所述的存储设备，其中，所述多个第一NVM单元通过所述第一单元信道串联地相互连接。10.如权利要求1所述的存储设备，进一步包括：多个第二NVM单元，其能够持续地保留信息；多个第二WLs，其耦接于所述多个NVM单元并且被配置用于：选择所述多个第二NVM单元中的一个为待被存取的；第二单元信道，其耦接于所述多个NVM单元并且被配置用于使所述多个NVM单元相互连接，以形成第二NVM串；以及第二DRAM模式选择，其耦接于所述第二NVM串并且被配置用于：当所述第二DRAM模式选择激活时，临时地将数据储存在所述第二单元信道中。11.如权利要求1所述的存储设备，其中，所述多个第一NVM单元包括至少一个硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(“SONOS”)非易失性存储单元。12.一种用于将信息储存在存储器阵列中的方法，包括：发出动态随机存取存储(“DRAM”...
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