公开了用于NAND闪速存储器的方法和装置。在实施例中，提供了NAND闪速存储器，包括分别连接到多个位线选择栅极的多个位线以及连接到多个位线选择栅极的页缓冲器。该NAND闪速存储器还包括分别连接到多个位线的多个加载器件。多个加载器件被配置...

公开了用于NAND闪速存储器的方法和装置。在实施例中，提供了一种用于对NAND闪速存储器进行编程的方法，包括：在字线上设置编程条件，以设置与多个位线相关联的多个存储单元的编程；以及顺序地启用位线选择栅极，以将数据从页缓冲器加载到存储器的...

公开了用于具有对准的深沟槽接触的三维(3D)阵列的方法和设备。在一实施例中，一种方法包括形成具有导体层和绝缘体层的阵列堆叠体以及在阵列堆叠体的顶部上形成硬掩膜。硬掩膜包括多个孔。该方法还包括：在硬掩膜的顶部上形成回拉掩膜；以及对回拉掩膜...

公开了一种双功能混合存储单元。在一方面，存储单元包括衬底、形成在衬底上的底部电荷俘获区、形成在底部电荷俘获区上的顶部电荷俘获区，以及形成在顶部电荷俘获区上的栅极层。在另一方面，公开了一种用于编程存储单元的方法，该存储单元具有衬底、底部电...

本申请公开了一种双晶体管(2T)氧化硅氮氧化硅(SONOS)闪速存储器。一方面，一种装置包括：一个控制栅极晶体管，具有沉积在一个N阱中的源极和漏极扩散区，形成在与所述源极和漏极扩散区重叠的所述N阱上的一个电荷捕获区，以及形成在所述电荷捕...

公开了一种CMOS反熔丝单元。在一个方面中，一种装置包括N‑阱和在N‑阱上形成的反熔丝单元。反熔丝单元包括沉积在N‑阱中的漏极P+扩散区、沉积在N‑阱中的源极P+扩散区以及沉积在N‑阱上的氧化层，氧化层具有与漏极P+扩散区重叠的重叠区域...

本申请公开了一种3D双密度NAND快闪存储器装置。一方面，这种装置包括有被绝缘层分离且具有3D堆叠结构的字线层。所述堆叠结构包括有已选定数目的字线层。所述装置还包括有一个沉积于所述堆叠结构的NAND串阵列，且该阵列垂直于所述堆叠结构的顶...

本文件公开了一种SONOS字节可擦除的EEPROM。一方面，设备包括多个形成EEPROM存储器阵列的SONOS存储单元。该设备还包括产生偏置电压以对存储单元进行编程和擦除的控制器。控制器当编程所选择的存储单元时执行刷新操作，以减少未选择...

一种记忆装置，其包括静态随机存取记忆体(SRAM)电路、及一第一非挥发性记忆体(NVM)串、一第二NVM串、一第一及一第二漏极选择闸极(DSGs)。该SRAM电路能够暂时地储存响应于位线(BL)信息的信息，其耦接于该SRAM电路的输入终...

公开一种存储器系统，该存储器系统能够使用呈堆栈构型排列的挥发性与非挥发性混合式存储器装置储存信息。一方面，该存储器系统包括存储器元件、汲极选择闸极(“DSG”)晶体管以及电容器元件。在一实例中，每一存储器元件包括源极端、闸极端、汲极端以...

一种能够使用晶载动态随机存储器(“DRAM”)与非易失存储器(“NVM”)储存数据的存储设备。一方面，该存储设备包括：NVM单元、字线(WLs)、单元信道、及DRAM模式选择。该NVM单元能够持续地保留信息；以及该WLs被配置用于选择N...

公开一种利用多页编程在非易失性存储器装置中存储信息或数据的方法。该方法在一个方面能够激活第一漏极选择栅(“DSG”)信号。在响应于第一漏极选择栅信号的激活在第一时钟周期期间从位线(“BL”)加载第一数据至第一存储器块的非易失性存储器页之...