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一种能够使用晶载动态随机存储器(“DRAM”)与非易失存储器(“NVM”)储存数据的存储设备。一方面，该存储设备包括：NVM单元、字线(WLs)、单元信道、及DRAM模式选择。该NVM单元能够持续地保留信息；以及该WLs被配置用于选择NVM...
该专利属于NEO半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过NEO半导体公司授权不得商用。

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