【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的示例性实施例总体上涉及存储器领域，更具体地，本专利技术涉及存储器单元和阵列结构以及相关联的工艺。
技术介绍
1、随着电子电路的复杂性和密度的增加，存储器尺寸、复杂性和成本是重要的考虑因素。一种增加存储器容量的方法是使用三维(3d)阵列结构。3d阵列结构目前已成功地用于nand闪存中。然而，对于动态随机存取存储器(dram)，由于其特殊的一个晶体管一个电容器(one-transistor-one-capacitor，1t1c)单元结构，还没有实现成本有效的3d阵列结构。
技术实现思路
1、在各种示例性实施例中，公开了三维(3d)存储器单元、阵列结构以及相关联的工艺。在一个实施例中，公开了一种使用浮体单元来实现dram的新颖3d阵列结构。该阵列结构是使用类似于3d nand闪存的深沟槽工艺形成的。因此，可以实现超高密度dram。在一个实施例中，提供了3d nor型存储器单元和阵列结构。所公开的存储器单元和阵列结构适用于许多技术。例如，本专利技术的存储器单元和阵列结构适用于动态随机存...
【技术保护点】
1.一种存储器单元结构，其通过以下工艺形成：
2.根据权利要求1所述的存储器单元结构，其中，所述各向同性掺杂工艺包括等离子体掺杂(PLAD)、气相掺杂、碰撞等离子体掺杂或等离子体浸没离子注入(PIII)中的一者。
3.根据权利要求1所述的存储器单元结构，其中，所述浮体形成为具有与所述半导体层的掺杂类型相反的掺杂类型。
4.根据权利要求1所述的存储器单元结构，其中，所述位元线导体包括金属材料或多晶硅材料中的一者。
5.根据权利要求1所述的存储器单元结构，还包括在沉积所述导体以填充所述位元线孔之前沉积半导体层的操作。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种存储器单元结构，其通过以下工艺形成：
2.根据权利要求1所述的存储器单元结构，其中，所述各向同性掺杂工艺包括等离子体掺杂(plad)、气相掺杂、碰撞等离子体掺杂或等离子体浸没离子注入(piii)中的一者。
3.根据权利要求1所述的存储器单元结构，其中，所述浮体形成为具有与所述半导体层的掺杂类型相反的掺杂类型。
4.根据权利要求1所述的存储器单元结构，其中，所述位元线导体包括金属材料或多晶硅材料中的一者。
5.根据权利要求1所述的存储器单元结构，还包括在沉积所述导体以填充所述位元线孔之前沉积半导体层的操作。
6.根据权利要求1所述的存储器单元结构，还包括在沉积所述导体材料以填充所述位元线孔之前使...
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