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公开了各种3D存储单元、阵列架构和工艺。在一个实施例中，提供了一种存储器单元结构，其通过以下工艺形成：交替沉积多个半导体层和多个牺牲层以形成堆叠；使用深沟槽工艺形成通过所述堆叠的垂直位元线孔；使用各向同性掺杂工艺通过所述位元线孔在所述半导体...
该专利属于NEO半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过NEO半导体公司授权不得商用。

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