一种发光二极管芯片的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管芯片的制备方法，属于半导体技术领域。包括：在衬底上生长外延层；沉积一层第一绝缘材料；在第一道光刻工艺形成的光刻胶的保护下刻蚀第一绝缘材料，形成电流阻挡层；去除光刻胶；沉积一层透明导电材料；在第二道光刻工艺形成的光刻胶的保护下刻蚀透明导电材料，形成透明导电层；刻蚀外延层，形成凹槽；采用第一腐蚀溶液对透明导电层的边缘进行腐蚀，使透明导电层的边缘和凹槽的边缘的距离为1～2μm；采用第二腐蚀溶液对电流阻挡层进行腐蚀，形成通孔；去除光刻胶；沉积一层第二绝缘材料；在第三道光刻工艺形成的光刻胶的保护下刻蚀第二绝缘材料，形成钝化层；铺设电极材料；去除光刻胶。本发明专利技术降低成本，提高效率。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管芯片的制备方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种发光二极管芯片的制备方法。
技术介绍
发光二极管(英文：LightEmittingDiode，简称：LED)是一种能够将电能有效转化为光能的半导体器件，作为目前最具潜力的新光源，已经广泛应用于军事、生活照明、背光照明等领域。现有LED芯片的制备方法通常包括：在蓝宝石衬底上依次生长n型氮化物半导体层、有源层、p型氮化物半导体层；在p型氮化物半导体层上开设从p型氮化物半导体层延伸至n型氮化物半导体层的凹槽；在p型氮化物半导体层上形成电流阻挡层；在电流阻挡层和p型氮化物半导体层上形成透明导电层；在p型氮化物半导体层上形成p型电极，并在n型氮化物半导体层上形成n型电极；在n型氮化物半导体层和透明导电层上形成钝化层。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：凹槽、电流阻挡层、透明导电层、电极(包括p型电极和n型电极)、以及钝化层的形成均需要采用光刻工艺形成一定图形的光刻胶，并在光刻胶的保护下进行刻蚀，因此现有LED芯片的制备方法一共采用了五道光刻工艺，实现成本很高。而且为了避免透明导电层覆盖在凹槽侧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在衬底上生长外延层，所述外延层包括依次层叠在所述衬底上的N型层、有源层和P型层；在所述P型层上沉积一层第一绝缘材料；在第一道光刻工艺形成的光刻胶的保护下刻蚀所述第一绝缘材料，形成电流阻挡层；去除所述第一道光刻工艺形成的光刻胶；在所述电流阻挡层和所述P型层上沉积一层透明导电材料；在第二道光刻工艺形成的光刻胶的保护下刻蚀所述透明导电材料，形成透明导电层；在所述第二道光刻工艺形成的光刻胶的保护下刻蚀所述外延层，形成从所述P型层延伸至所述N型层的凹槽；采用第一腐蚀溶液对所述透明导电层的边缘进行腐蚀，使所述透明导电层的边缘和所述凹槽的边缘的距离...

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在衬底上生长外延层，所述外延层包括依次层叠在所述衬底上的N型层、有源层和P型层；在所述P型层上沉积一层第一绝缘材料；在第一道光刻工艺形成的光刻胶的保护下刻蚀所述第一绝缘材料，形成电流阻挡层；去除所述第一道光刻工艺形成的光刻胶；在所述电流阻挡层和所述P型层上沉积一层透明导电材料；在第二道光刻工艺形成的光刻胶的保护下刻蚀所述透明导电材料，形成透明导电层；在所述第二道光刻工艺形成的光刻胶的保护下刻蚀所述外延层，形成从所述P型层延伸至所述N型层的凹槽；采用第一腐蚀溶液对所述透明导电层的边缘进行腐蚀，使所述透明导电层的边缘和所述凹槽的边缘的距离为1～2μm；采用第二腐蚀溶液对所述电流阻挡层进行腐蚀，在所述电流阻挡层内形成延伸至所述P型层的通孔；去除所述第二道光刻工艺形成的光刻胶；在所述透明导电层、所述通孔的侧壁、所述P型层、所述凹槽的侧壁和所述N型层上沉积一层第二绝缘材料；在第三道光刻工艺形成的光刻胶的保护下刻蚀所述第二绝缘材料，形成钝化层；在所述第三道光刻工艺形成的光刻胶、所述P型层和所述N型层上铺设一层电极材料；去除所述第三道光刻工艺形成的光刻胶、以及所述第三道光刻工艺形成的光刻胶上的所述电极材...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄龙杰，马双彪，陈骁，罗刚，顾小云，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33